期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
6
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
量子保密系统真随机源的实现
被引量：
5
1
作者
魏正军
唐志列
+3 位作者
刘景锋
陈志新
廖常俊
刘颂豪
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第9期936-938,共3页
研究了基于物理随机源的方法产生真随机码:即用基于晶体二极管pn结齐纳击穿电压的随机性产生随机的电平信号,然后利用电压比较器甄别噪声电压,从而获得随机二进制序列,可用于控制量子保密通信系统的位相调制器,从而产生随机量子码。研...
研究了基于物理随机源的方法产生真随机码:即用基于晶体二极管pn结齐纳击穿电压的随机性产生随机的电平信号,然后利用电压比较器甄别噪声电压,从而获得随机二进制序列,可用于控制量子保密通信系统的位相调制器,从而产生随机量子码。研制的随机二进制码理论上最大码率200kbit/s。
展开更多
关键词
电压比较器
随机量子码
量子保密通信
真随机源
齐纳击穿
原文传递
采用最新失调误差修整技术的DigiTrim精密放大器
被引量：
2
2
作者
周文胜
《电子产品世界》
2002年第10B期77-79,共3页
本文对现有的各种精密放大器失调误差修整技术进行比较,阐述了ADI的DigiTrim修整技术的原理,以及DigiTrim系列精密放大器的主要特性及应用。
关键词
失调误差修整技术
DigiTrim
精密放大器
激光修整
齐纳击穿
下载PDF
职称材料
工艺参数对低压TVS器件耐压的影响
被引量：
1
3
作者
陈天
谷健
郑娥
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期106-111,共6页
目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V...
目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V。DP注入能量在50 ke V以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6 V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2μm时击穿电压保持为7 V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升。通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护。
展开更多
关键词
瞬间电压抑制(TVS)二极管
击穿
电压
工艺参数
静电放电(ESD)
齐纳击穿
下载PDF
职称材料
浅谈热电阻齐纳击穿的判别
4
作者
翟大海
张一
《投资与创业》
2012年第6期198-198,201,共2页
本文简单介绍了热电阻齐纳击穿的发生机理和故障现象，分析了故障原因，并提出了解决方法。
关键词
齐纳击穿
热电阻
软
击穿
温度元件
阻值
下载PDF
职称材料
CMOS专用定时电路(LC4767)工艺研究
5
作者
王卫民
郭玉璞
+3 位作者
龙凯风
田松
高松
王金良
《微处理机》
2000年第4期12-13,共2页
主要介绍了专用ＣＭＯＳ电路中采用齐纳二极管降低并稳定电压，保证电路的正常工作并降低功耗，拓宽了 ＣＭＯＳ混合电路的应用范围。
关键词
CMOS
齐纳击穿
齐
纳
二极管
下载PDF
职称材料
304奥氏体不锈钢腐蚀失效原因分析及组织表征
被引量：
10
6
作者
张志伟
刘素芬
+3 位作者
李兆杰
王凡
孙远东
张杨
《金属热处理》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第S01期96-102,共7页
本文研究了304亚稳态奥氏体不锈钢管由于腐蚀环境中的氯元素打破了不锈钢本身的自我平衡,形成的腐蚀现象及其对合金性能的影响。结果表明:该不锈钢管的失效特征为腐蚀失效;该处氯元素达到一定浓度,从而破坏了该不锈钢管表面形成的钝化膜...
本文研究了304亚稳态奥氏体不锈钢管由于腐蚀环境中的氯元素打破了不锈钢本身的自我平衡,形成的腐蚀现象及其对合金性能的影响。结果表明:该不锈钢管的失效特征为腐蚀失效;该处氯元素达到一定浓度,从而破坏了该不锈钢管表面形成的钝化膜,打破了不锈钢管本身的自我修复平衡,致使其发生点腐蚀,进而形成点腐蚀孔,最终导致泄漏故障发生。分析认为,氯元素能优先有选择地吸附在钝化膜上,把氧原子排挤掉,然后和钝化膜中的阳离子结合成可溶性氯化物,这些活性阴离子首先吸附在不锈钢管表面氧化膜的某些特定点上,生成微小的点蚀坑,一旦点蚀坑长成,随着腐蚀的进行,锈层和垢层一起在点蚀坑口沉积形成一个闭塞电池,并对氧化膜产生破坏作用,形成齐纳击穿效应。
展开更多
关键词
亚稳态
奥氏体不锈钢
腐蚀失效
钝化膜
齐纳击穿
效应
原文传递
题名
量子保密系统真随机源的实现
被引量：
5
1
作者
魏正军
唐志列
刘景锋
陈志新
廖常俊
刘颂豪
机构
华南师范大学物理系
华南师范大学信息光电子科技学院
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第9期936-938,共3页
基金
国家"973"计划资助项目(2001CB309300)
广州市资助项目(1999 02 035 01)
文摘
研究了基于物理随机源的方法产生真随机码:即用基于晶体二极管pn结齐纳击穿电压的随机性产生随机的电平信号,然后利用电压比较器甄别噪声电压,从而获得随机二进制序列,可用于控制量子保密通信系统的位相调制器,从而产生随机量子码。研制的随机二进制码理论上最大码率200kbit/s。
关键词
电压比较器
随机量子码
量子保密通信
真随机源
齐纳击穿
Keywords
Comparator circuits
Security of data
Stability
分类号
TN918 [电子电信—通信与信息系统]
原文传递
题名
采用最新失调误差修整技术的DigiTrim精密放大器
被引量：
2
2
作者
周文胜
机构
ADI公司
出处
《电子产品世界》
2002年第10B期77-79,共3页
文摘
本文对现有的各种精密放大器失调误差修整技术进行比较,阐述了ADI的DigiTrim修整技术的原理,以及DigiTrim系列精密放大器的主要特性及应用。
关键词
失调误差修整技术
DigiTrim
精密放大器
激光修整
齐纳击穿
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
工艺参数对低压TVS器件耐压的影响
被引量：
1
3
作者
陈天
谷健
郑娥
机构
上海新进半导体制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期106-111,共6页
文摘
目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V。DP注入能量在50 ke V以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6 V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2μm时击穿电压保持为7 V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升。通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护。
关键词
瞬间电压抑制(TVS)二极管
击穿
电压
工艺参数
静电放电(ESD)
齐纳击穿
Keywords
transient voltage suppressor（TVS） diode
break voltage
process parameter
electro-static discharge（ESD）
Zener breakdown
分类号
TN312.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
浅谈热电阻齐纳击穿的判别
4
作者
翟大海
张一
机构
辽渔船厂
出处
《投资与创业》
2012年第6期198-198,201,共2页
文摘
本文简单介绍了热电阻齐纳击穿的发生机理和故障现象，分析了故障原因，并提出了解决方法。
关键词
齐纳击穿
热电阻
软
击穿
温度元件
阻值
分类号
G633.7 [文化科学—教育学]
下载PDF
职称材料
题名
CMOS专用定时电路(LC4767)工艺研究
5
作者
王卫民
郭玉璞
龙凯风
田松
高松
王金良
机构
东北微电子研究所
出处
《微处理机》
2000年第4期12-13,共2页
文摘
主要介绍了专用ＣＭＯＳ电路中采用齐纳二极管降低并稳定电压，保证电路的正常工作并降低功耗，拓宽了 ＣＭＯＳ混合电路的应用范围。
关键词
CMOS
齐纳击穿
齐
纳
二极管
Keywords
CMOS
Zener breakdown
Zener diode
分类号
TN492.05 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
304奥氏体不锈钢腐蚀失效原因分析及组织表征
被引量：
10
6
作者
张志伟
刘素芬
李兆杰
王凡
孙远东
张杨
机构
中国兵器工业第五二研究所
包头稀土研究院
出处
《金属热处理》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第S01期96-102,共7页
基金
“春蕾计划”基金项目,项目编号:BTSCL2016-05.
文摘
本文研究了304亚稳态奥氏体不锈钢管由于腐蚀环境中的氯元素打破了不锈钢本身的自我平衡,形成的腐蚀现象及其对合金性能的影响。结果表明:该不锈钢管的失效特征为腐蚀失效;该处氯元素达到一定浓度,从而破坏了该不锈钢管表面形成的钝化膜,打破了不锈钢管本身的自我修复平衡,致使其发生点腐蚀,进而形成点腐蚀孔,最终导致泄漏故障发生。分析认为,氯元素能优先有选择地吸附在钝化膜上,把氧原子排挤掉,然后和钝化膜中的阳离子结合成可溶性氯化物,这些活性阴离子首先吸附在不锈钢管表面氧化膜的某些特定点上,生成微小的点蚀坑,一旦点蚀坑长成,随着腐蚀的进行,锈层和垢层一起在点蚀坑口沉积形成一个闭塞电池,并对氧化膜产生破坏作用,形成齐纳击穿效应。
关键词
亚稳态
奥氏体不锈钢
腐蚀失效
钝化膜
齐纳击穿
效应
Keywords
metastable state
austenitic stainless steel
corrosion failure
passive film
ZENER BREAKDOWN
分类号
TQ055.81 [化学工程]
TQ53
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
量子保密系统真随机源的实现
魏正军
唐志列
刘景锋
陈志新
廖常俊
刘颂豪
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
5
原文传递
2
采用最新失调误差修整技术的DigiTrim精密放大器
周文胜
《电子产品世界》
2002
2
下载PDF
职称材料
3
工艺参数对低压TVS器件耐压的影响
陈天
谷健
郑娥
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
下载PDF
职称材料
4
浅谈热电阻齐纳击穿的判别
翟大海
张一
《投资与创业》
2012
0
下载PDF
职称材料
5
CMOS专用定时电路(LC4767)工艺研究
王卫民
郭玉璞
龙凯风
田松
高松
王金良
《微处理机》
2000
0
下载PDF
职称材料
6
304奥氏体不锈钢腐蚀失效原因分析及组织表征
张志伟
刘素芬
李兆杰
王凡
孙远东
张杨
《金属热处理》
CAS
CSCD
北大核心
2019
10
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
