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不同形变量轧制黄铜H80低温退火后的晶界特征分布 被引量：6
1
作者 姜英 蔡正旭 +1 位作者 王卫国 郭红 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期18-22,共5页
采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了黄铜H80经6%～50%冷轧变形后在633 K下进行长时间(24～72 h)退火后的晶界特征分布(GBCD)。结果表明:小变形(6%～10%)冷轧后较比中等变形(25%～50%)冷轧后的H80样品在随后的退火中更容易诱发高比例的... 采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了黄铜H80经6%～50%冷轧变形后在633 K下进行长时间(24～72 h)退火后的晶界特征分布(GBCD)。结果表明:小变形(6%～10%)冷轧后较比中等变形(25%～50%)冷轧后的H80样品在随后的退火中更容易诱发高比例的∑3、∑9和∑27等特殊晶界,其总值最高达76%;而且∑3n(n=1,2,3)特殊晶粒团的尺寸较大(100μm),一般大角晶界网络连通性的阻断效果明显优于后者。通过对特殊晶界的分布、形态和数量的对比分析,指出小变形低温退火可诱发某些晶界优先迁移,在迁移中生成非共格的∑3晶界并发生这些晶界的交互反应,这可能是黄铜H80实现GBCD优化的主要微观机制。 展开更多
关键词 黄铜h80 回复 再结晶 特殊晶界分布
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黄铜H80大变形后热处理状态对后续轧制退火晶界特征分布的影响 被引量：1
2
作者 姜英 郭红 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2010年第6期112-115,共4页
采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了黄铜H80大变形后热处理状态对后续轧制退火晶界特征分布的影响。结果表明:90%冷轧后在450℃退火4min能促进后续冷轧退火中特殊晶界的形成,特殊晶界比例达到69.7%。进一步通过织构(ODF)图和取向成像显... 采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了黄铜H80大变形后热处理状态对后续轧制退火晶界特征分布的影响。结果表明:90%冷轧后在450℃退火4min能促进后续冷轧退火中特殊晶界的形成,特殊晶界比例达到69.7%。进一步通过织构(ODF)图和取向成像显微(OIM)图分析显示,大变形退火形成的RC织构有利于非共格∑3晶界的形成,依靠非共格∑3晶界反应形成∑3n(n=1,2,3)特殊晶粒团,使一般大角晶界网络的连通性被打断,实现GBCD优化。 展开更多
关键词 黄铜h80 变形 再结晶 晶界特征分布
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