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低温生长Cu(InGa)Se_2薄膜吸收层的掺钠工艺研究 被引量：3
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作者 何静婧 刘玮 +6 位作者 李志国 李博研 韩安军 李光旻 张超 张毅 孙云 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第19期519-525,共7页
在柔性聚酰亚胺衬底上低温制备Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳能电池,Na的掺入会改善电池特性,但不同的掺Na工艺对Cu(In,Ga)Se_2薄膜和器件特性的改善机理不同.本实验通过对比前掺NaF和后掺NaF工艺发现,在前掺Na工艺下,由于Na始终存在于Cu(In,Ga... 在柔性聚酰亚胺衬底上低温制备Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳能电池,Na的掺入会改善电池特性,但不同的掺Na工艺对Cu(In,Ga)Se_2薄膜和器件特性的改善机理不同.本实验通过对比前掺NaF和后掺NaF工艺发现,在前掺Na工艺下,由于Na始终存在于Cu(In,Ga)Se_2薄膜生长过程中,Na存在于多晶Cu(In,Ga)Se_2薄膜晶界处,起到了扩散势垒的作用,导致晶粒细碎、加剧两相分离,同时减小了施主缺陷的形成概率;而在后掺Na工艺下,掺入的Na对薄膜的结构及生长不产生影响,仅仅起到了钝化施主缺陷、改善薄膜缺陷态的作用.同时,研究表明,后掺Na工艺中,NaF必须依靠外界能量辅助才能扩散进Cu(In,Ga)Se_2内部,实验结果证实,只有衬底温度达到350℃以上时,掺入的NaF才能较好地改善薄膜特性.最终经掺Na工艺的优化,得到低温工艺制备的柔性聚酰亚胺衬底器件效率达10.4%. 展开更多
关键词 黄铜矿铜铟镓硒薄膜太阳电池 柔性衬底 低温沉积 Na掺杂机理
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