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采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应
1
作者
宋文斌
许高博
+1 位作者
郭天雷
韩郑生
《电子器件》
CAS
2007年第5期1535-1538,共4页
制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反...
制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的.
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关键词
部分耗SOI
鸟嘴
效应
边缘电场
效应
反向窄沟道
效应
杂质重新分布
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职称材料
题名
采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应
1
作者
宋文斌
许高博
郭天雷
韩郑生
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《电子器件》
CAS
2007年第5期1535-1538,共4页
文摘
制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的.
关键词
部分耗SOI
鸟嘴
效应
边缘电场
效应
反向窄沟道
效应
杂质重新分布
Keywords
PD SOI
bird beak effect
fringing field
Inverse-Narrow-Width-Effect
doping redistribution
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应
宋文斌
许高博
郭天雷
韩郑生
《电子器件》
CAS
2007
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参考文献
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