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基于高阻ZnO薄膜的光电导型紫外探测器 被引量：8
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作者 祁晓萌 彭文博 +1 位作者 赵小龙 贺永宁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第19期373-378,共6页
本文通过射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积一层ZnO薄膜,制备了Al-ZnO-Al结构光电导型紫外探测器件,并在室温下测试了所制备器件的暗场特性及其对紫外线的响应特性.暗场条件下器件电流特性测试结果表明所制备的ZnO薄膜电阻率达到了3.71... 本文通过射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积一层ZnO薄膜,制备了Al-ZnO-Al结构光电导型紫外探测器件,并在室温下测试了所制备器件的暗场特性及其对紫外线的响应特性.暗场条件下器件电流特性测试结果表明所制备的ZnO薄膜电阻率达到了3.71×109?·cm,是一种高阻薄膜.在波长365 nm,光强303μW/cm2的紫外线照射下,薄膜的电阻率为7.20×106?·cm,探测器明暗电流比达到了516.40 V偏置电压条件下周期性开关紫外线照时,探测器的上升和下降时间分别为199 ms和217 ms,响应速度快且重复性好,并利用ZnO半导体表面复合慢过程和体复合快过程对瞬态响应过程进行了理论拟合分析.本文研究结果表明,高阻ZnO薄膜紫外探测器具有良好的紫外光电响应特性. 展开更多
关键词 高阻zno薄膜 紫外探测 快速响应
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