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2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数 被引量：3
1
作者 高建军 高葆新 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期800-805,共6页
对高速调制器驱动电路 HEMT IC中器件参数进行了研究 ,着重讨论了 HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响 ,给出了满足电路性能要求的器件参数范围 ;对 2 .5— 10 Gb/ s PHEMT IC光驱动电路进行了计算机仿真 ,眼图模拟... 对高速调制器驱动电路 HEMT IC中器件参数进行了研究 ,着重讨论了 HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响 ,给出了满足电路性能要求的器件参数范围 ;对 2 .5— 10 Gb/ s PHEMT IC光驱动电路进行了计算机仿真 ,眼图模拟结果表明满足 2 .5— 10 Gb/ 展开更多
关键词 高速光集成电路 光发射机 驱动电路 HEMT器件模型参数
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