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高补偿硅的阻-温特性 被引量：6
1
作者 张建 巴维真 +3 位作者 陈朝阳 丛秀云 陶明德 M.K.巴哈迪尔哈诺夫 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期19-21,共3页
采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K)。测试结果表明:在没有光照条件下测试... 采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K)。测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质。 展开更多
关键词 高补偿硅 光敏 深能级
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高补偿硅的光敏感特性 被引量：3
2
作者 张建 巴维真 +3 位作者 陈朝阳 丛秀云 陶明德 M.K.巴哈迪尔哈诺夫 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期20-22,共3页
对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品... 对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。 展开更多
关键词 p型单晶硅 掺杂锰 高补偿硅 光敏感特性
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高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究
3
作者 崔志明 陈朝阳 +2 位作者 巴维真 蔡志军 丛秀云 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期53-55,共3页
采用4.5Ω.cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅。用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极。用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线。结果表明:经退火... 采用4.5Ω.cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅。用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极。用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线。结果表明:经退火后镍与硅形成硅镍化合物(Ni2Si),电极正反向电阻一致,性能稳定,形成欧姆接触。 展开更多
关键词 电子技术 高补偿硅 化学沉积法 硅镍化舍物
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