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基于SMIC 180nm工艺的内插延时链型TDC芯片
1
作者
汪炯
马毅超
+2 位作者
蒋俊国
庄建
滕海云
《半导体技术》
北大核心
2023年第12期1108-1114,共7页
在高能同步辐射光源的高分辨谱学线站系统(HEPS-B5)的核共振散射实验中,为满足测试样品对时间数字转换皮秒级的高分辨率时间测量要求,基于SMIC 180 nm工艺设计了一款内插延时链型的四通道时间数字转换器(TDC)芯片。该TDC芯片采用“粗计...
在高能同步辐射光源的高分辨谱学线站系统(HEPS-B5)的核共振散射实验中,为满足测试样品对时间数字转换皮秒级的高分辨率时间测量要求,基于SMIC 180 nm工艺设计了一款内插延时链型的四通道时间数字转换器(TDC)芯片。该TDC芯片采用“粗计数”和“细计数”相结合的链状结构,通过内插延时链法来提高测量分辨率,并结合时钟计数器以实现较大的动态测量范围。为了阻止亚稳态的传递,使用两级反相器作为基本延时单元,另外通过异步先进先出(FIFO)缓冲器实现数据在不同时钟域之间的安全传递。实验测试结果表明,该TDC芯片的时间分辨率可达到56.3 ps,动态测量范围为0~262μs,能够满足核共振散射实验的高精度时间测量要求。
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关键词
高能
同步
辐射
光源
(
heps
)
内插延时链
时间数字转换器(TDC)
高分辨率
180nm工艺
下载PDF
职称材料
题名
基于SMIC 180nm工艺的内插延时链型TDC芯片
1
作者
汪炯
马毅超
蒋俊国
庄建
滕海云
机构
陕西科技大学电气与控制工程学院
散裂中子源科学中心
中国科学院高能物理研究所
出处
《半导体技术》
北大核心
2023年第12期1108-1114,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(11975255)。
文摘
在高能同步辐射光源的高分辨谱学线站系统(HEPS-B5)的核共振散射实验中,为满足测试样品对时间数字转换皮秒级的高分辨率时间测量要求,基于SMIC 180 nm工艺设计了一款内插延时链型的四通道时间数字转换器(TDC)芯片。该TDC芯片采用“粗计数”和“细计数”相结合的链状结构,通过内插延时链法来提高测量分辨率,并结合时钟计数器以实现较大的动态测量范围。为了阻止亚稳态的传递,使用两级反相器作为基本延时单元,另外通过异步先进先出(FIFO)缓冲器实现数据在不同时钟域之间的安全传递。实验测试结果表明,该TDC芯片的时间分辨率可达到56.3 ps,动态测量范围为0~262μs,能够满足核共振散射实验的高精度时间测量要求。
关键词
高能
同步
辐射
光源
(
heps
)
内插延时链
时间数字转换器(TDC)
高分辨率
180nm工艺
Keywords
high energy photon source(
heps
)
interpolation delay chain
time-to-digital converter(TDC)
high resolution
180 nm process EEACC:1265B
2570D
分类号
TN791 [电子电信—电路与系统]
TN432
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于SMIC 180nm工艺的内插延时链型TDC芯片
汪炯
马毅超
蒋俊国
庄建
滕海云
《半导体技术》
北大核心
2023
0
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