大容量多层陶瓷电容器的充测特性与测试方法研究

1

作者 肖国龙 龚正平 《自动化应用》 2024年第2期8-10,共3页

智能驾驶时代的到来使得新能源汽车得到了巨大发展,大容量、高耐压、多层陶瓷电容的市场需求与日俱增。这类电容属于Ⅱ类陶瓷电容,具有介电常数大、充放电时间长的特点,测试分选这类电容需提出更高要求。为满足这类电容的测试分选需求,... 智能驾驶时代的到来使得新能源汽车得到了巨大发展,大容量、高耐压、多层陶瓷电容的市场需求与日俱增。这类电容属于Ⅱ类陶瓷电容,具有介电常数大、充放电时间长的特点,测试分选这类电容需提出更高要求。为满足这类电容的测试分选需求,为相关行业研发人员解惑,分析了电容的介电特性、吸收电特性、充放电特性、双峰现象以及在线测试等。通过相关产品测试得出:在额定电压电流条件下,改变充电时间、充电次数、空位间隔等相关参数,可延长充电时间和充电后空置时间,减小漏电流。 展开更多

关键词 大容量 高耐压 多层陶瓷电容器 介电常数 吸收电流 双峰现象

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大功率电力电子器件的新发展

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作者 余岳辉 王惠刚 彭昭廉 《电源技术应用》 1999年第3期1-3,10,共4页

作为电力电子技术基础的电力电子器件的发展令人瞩目。GTO与IGBT的应用方兴未艾,它们既竞争而又不能互相取代,但同时也暴露出了各自的不足。GCT和IEGT正是针对它们的不足而新开发出的电力电子器件,并已展现了其广阔的应用前景。本文作... 作为电力电子技术基础的电力电子器件的发展令人瞩目。GTO与IGBT的应用方兴未艾,它们既竞争而又不能互相取代,但同时也暴露出了各自的不足。GCT和IEGT正是针对它们的不足而新开发出的电力电子器件,并已展现了其广阔的应用前景。本文作者对此作了较详细的论述,相信会使读者感兴趣。 展开更多

关键词 大功率电力电子器件 晶闸管 吸收电路 电力系统 高耐压 通态压降 驱动电路 串并联 大容量 变换装置

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具有高耐压全温度采集的电池管理系统设计

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作者 雷代良 《客车技术与研究》 2023年第5期19-22,共4页

由于电气化公路车辆的电池系统直接与超高压线网连接,因此需要设计对绝缘耐压及可靠性要求更高的电池管理系统来满足整车的需求。本文设计一种高电压、高可靠性的动力电池管理系统,其具有高耐压、全温度采集的功能。

关键词 电气化公路车辆 高耐压 全温度采集 电池管理系统

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低阻高耐压PTC陶瓷材料的研制动向 被引量：1

4

作者 薛泉林 《江苏陶瓷》 CAS 1998年第4期30-33,共4页

PTC材料的耐压强度E与室温比电阻率ρ存在比例关系 ,介绍了低阻、耐压强度高 。

关键词 低电阻率 高耐压 正电阻温度系数 陶瓷材料

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高亮度显示屏VFD的驱动芯片VF202及其应用

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作者 樊凌雁 周建国 邓先灿 《杭州电子工业学院学报》 2002年第3期49-53,共5页

VF2 0 2是深圳矽谷电子系统有限公司生产的高亮度真空荧光显示屏 (VFD)驱动芯片 ,该芯片具有 40个高耐压的输出端口 ,采用串行接口 ,可单独和级联使用 ,功能强大 ,控制简单。介绍了VF2 0 2的内部框图和功能 ,阐述了它的基本工作原理 ,... VF2 0 2是深圳矽谷电子系统有限公司生产的高亮度真空荧光显示屏 (VFD)驱动芯片 ,该芯片具有 40个高耐压的输出端口 ,采用串行接口 ,可单独和级联使用 ,功能强大 ,控制简单。介绍了VF2 0 2的内部框图和功能 ,阐述了它的基本工作原理 ,应用范围 ,并采用单片机设计了一套VF2 0 2在空调显示电路中应用的电路和软件。 展开更多

关键词 高亮度显示屏 VFD 驱动芯片 VF202 应用 真空荧光显示 高耐压

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具有高耐压高精度的深低温热电偶的研究及应用 被引量：1

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作者 邹华 《功能材料信息》 2014年第4期21-22,共2页

本文主要从现有热电偶的研究,阐述了现阶段深低温热电偶产品存在一些方面的不足,为了满足现阶段深低温测量工程的发展,提出了一种具有高耐压高精度的深低温热电偶的结构特征、材料特征及其性能特征,并讲述了其在应用过程中的效果,并总... 本文主要从现有热电偶的研究,阐述了现阶段深低温热电偶产品存在一些方面的不足,为了满足现阶段深低温测量工程的发展,提出了一种具有高耐压高精度的深低温热电偶的结构特征、材料特征及其性能特征,并讲述了其在应用过程中的效果,并总结了自己对此热电偶的评价。 展开更多

关键词 高耐压 高精度 深低温热电偶 研究 应用

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2700V 4H-SiC结势垒肖特基二极管 被引量：1

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作者 倪炜江 李宇柱 +5 位作者 李哲洋 李赟 王雯 贾铃铃 柏松 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期223-225,232,共4页

在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2 700 V。正向开启电压为0.8 V,在V_F=2 V时正向电流密度122 A/cm^2,比导通电阻R_(on)=8.8 mΩ·cm^2。得到肖特基... 在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2 700 V。正向开启电压为0.8 V,在V_F=2 V时正向电流密度122 A/cm^2,比导通电阻R_(on)=8.8 mΩ·cm^2。得到肖特基接触势垒qΦ_B=1.24 eV,理想因子n=1。 展开更多

关键词 4H—SiC 结势垒肖特基二极管 高耐压

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低阻高耐压PTC陶瓷材料的新进展 被引量：1

8

作者 薛泉林 《江苏陶瓷》 CAS 2000年第2期1-3,共3页

介绍ρ 25，α /lgρ >15的低阻、高耐压、大温度系数的 PTC陶瓷新材料，可满足电池、车载用限流元件的应用需要。

关键词 低电阻率 高耐压 正电阻温度系数 陶瓷材料 PTC

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一种高耐压SPST天线调谐开关设计 被引量：1

9

作者 夏小辉 林福江 《信息技术与网络安全》 2021年第5期68-73,共6页

设计实现了一款高耐压单刀单掷天线调谐开关,用于Sub-6 GHz的天线孔径调谐、阻抗调谐以及宽带开关。设计采用串-并联和体区自适应偏置结构,兼顾插入损耗和隔离度;此外基于传统的堆叠结构进行改进,通过设计各级晶体管的尺寸不均匀,极大... 设计实现了一款高耐压单刀单掷天线调谐开关,用于Sub-6 GHz的天线孔径调谐、阻抗调谐以及宽带开关。设计采用串-并联和体区自适应偏置结构,兼顾插入损耗和隔离度;此外基于传统的堆叠结构进行改进,通过设计各级晶体管的尺寸不均匀,极大程度地提高了开关并联支路承受电压的能力;通过采用两级偏置网络,减小了栅端和体端的泄露从而削弱关断状态下寄生电容不等效应,最终实现支路电压耐受能力的提高。所提出的设计采用130 nm SOI CMOS工艺,仿真结果表明工作频率为0.1 GHz~5 GHz,导通电阻为1.24Ω,关断电容为112 fF,插入损耗为0.14~0.48 dB,隔离度带内大于30 dB,电压承受能力大于60 V。 展开更多

关键词 SPST天线调谐开关 非均匀堆叠结构 两级偏置网络 高耐压

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常用大功率、高耐压场效应管参数表 被引量：1

10

作者 刘祯 《家电检修技术》 2000年第2期43-44,共2页

由于现在新型大屏幕彩电及电脑显示器上大量的使用场效应管、型号繁杂。但是,各电子杂志、报刊上介绍这类管子性能参数的甚少。

关键词 场效应管 参数表 大功率 高耐压

原文传递

JQC-10F超小型直流电磁继电器的原理及开发

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作者 黄爱国 《机电元件》 2010年第4期54-55,共2页

本文介绍一种高耐压、高绝缘的超小型直流塑封直插式继电器的工作原理、性能、特点、设计分析。该产品可广泛应用于汽车电脑化控制、通讯、工业自动化装置、办公自动化设备、仪器仪表等领域。

关键词 继电器 超小型 高耐压 高绝缘 低功耗

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电力半导体器件的进步——8kV、4kA级晶闸管的出现

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作者 中川勉 丁肃秋 《大功率变流技术》 1995年第3期10-15,共6页

介绍电力半导体器件在大容量、高性能方面的现状和展望。实现器件大容量、高耐压的主要技术是:采用大直径的高纯硅单晶;在工艺技术上采用离子注入法,保证硅片内质杂浓度均匀分布;载流子寿命的控制采用电子幅照方法,近年来提出了采用高... 介绍电力半导体器件在大容量、高性能方面的现状和展望。实现器件大容量、高耐压的主要技术是:采用大直径的高纯硅单晶;在工艺技术上采用离子注入法,保证硅片内质杂浓度均匀分布;载流子寿命的控制采用电子幅照方法,近年来提出了采用高能质子或氦离子幅照;在结构上采用压接式结构。目前已研制出12 kV、1.5kA的晶闸管,8kV、4kA的光控晶闸管,6 kV、6 kA的GTO,平板型压接结构的2 500V、100 A IGBT和 n型沟道的4 500 VIGBT,IPM(智能功能模块)也将会有很快发展。 展开更多

关键词 大容量 高耐压 GTO IGBT

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采用智能功率IC PWR-SMP260制作30W高性能开关电源

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作者 范国君 《实用影音技术》 1994年第4期53-55,46,共4页

日本PI公司新近推出把高耐压的功率晶体管和低压控制电路集成在同一基片上的智能型功率IC。可用于开关电源、电机控制器、镇流器等。本文以PWT-SMP260为例,介绍一新颖的30W开关电源。高耐压功率IC的特征近年,由于LSI的迅速发展,电子装... 日本PI公司新近推出把高耐压的功率晶体管和低压控制电路集成在同一基片上的智能型功率IC。可用于开关电源、电机控制器、镇流器等。本文以PWT-SMP260为例,介绍一新颖的30W开关电源。高耐压功率IC的特征近年,由于LSI的迅速发展,电子装置在不断地小型化,而AC/DC电源的集成化却进展较慢。其原因是AC/DC电源整流后DC电压达200～400V,开关晶体管的耐压一定要很高。 展开更多

关键词 开关电源 控制电路 功率晶体管 高耐压 控制回路 集成化 开关晶体管 保护电路 电机控制器 散热片

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太赫兹行波管用小型化电子枪高压绝缘性能研究

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作者 杜英华 董芮彤 +2 位作者 杨永亮 蔡军 邬显平 《真空电子技术》 2019年第4期51-54,共4页

本文介绍一种太赫兹行波管用高耐压小型化电子枪绝缘体的设计方法,使用CST软件对电子枪电场分布进行计算,优化绝缘体结构尺寸,使最高场强控制在10 7 V/m以内。实验发现金属-真空-绝缘体的三重交汇处存在的微小隙缝导致电场倍增,引发场... 本文介绍一种太赫兹行波管用高耐压小型化电子枪绝缘体的设计方法,使用CST软件对电子枪电场分布进行计算,优化绝缘体结构尺寸,使最高场强控制在10 7 V/m以内。实验发现金属-真空-绝缘体的三重交汇处存在的微小隙缝导致电场倍增,引发场致发射,造成绝缘体沿面放电,限制了聚焦极-阳极之间的高压,影响电子枪乃至行波管的正常工作。基于模拟计算进行了验证,优化聚焦极和绝缘体之间焊接工艺,解决了小型化电子枪的高耐压问题。该电子枪已成功用于多种太赫兹行波管中,可满足22 kV高压的稳定可靠工作。 展开更多

关键词 小型化电子枪 高耐压 真空沿面放电 电场分布

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专利

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《给水排水》 CSCD 北大核心 2008年第12期I0051-I0052,共2页

专利名称：高耐压防断裂排水管 申请号：200620036771．7 公开（公告）日：2007．11．28 申请（专利权）人：铁道第二勘察设计院 本实用新型公开了一种高耐压防断裂排水管，它包括有钢筋混凝土管（10），所述钢筋混凝土管（10）管内设... 专利名称：高耐压防断裂排水管 申请号：200620036771．7 公开（公告）日：2007．11．28 申请（专利权）人：铁道第二勘察设计院 本实用新型公开了一种高耐压防断裂排水管，它包括有钢筋混凝土管（10），所述钢筋混凝土管（10）管内设置有塑料管（20）。 展开更多

关键词 专利名称 钢筋混凝土管 勘察设计院 实用新型 排水管 高耐压 申请号 专利权

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JHX-121F安全继电器

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作者 张茂松 吴鹏 《机床电器》 2008年第4期60-62,共3页

JHX-121F继电器具有体积小、重量轻、功耗低、灵敏度高、高耐压、高绝缘、大负载、耐振动冲击、体积性价比高、极化、塑封等特点。可广泛应用于电力系统继电保护装置、通讯、工业自动化装置和仪器仪表中。文章介绍了该产品的原理、结构... JHX-121F继电器具有体积小、重量轻、功耗低、灵敏度高、高耐压、高绝缘、大负载、耐振动冲击、体积性价比高、极化、塑封等特点。可广泛应用于电力系统继电保护装置、通讯、工业自动化装置和仪器仪表中。文章介绍了该产品的原理、结构和技术性能参数。 展开更多

关键词 安全继电器 高耐压 抗干扰 应用

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一种新型超级联碳化硅结型场效应管

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作者 修强 董耀文 +2 位作者 彭子和 秦海鸿 游霞 《电子器件》 CAS 北大核心 2018年第5期1105-1109,共5页

提出了一种改进型超级联碳化硅结型场效应管。首先从传统超级联碳化硅结型场效应管入手,分析了其缺陷和不足之处。然后阐述了改进型超级联碳化硅结型场效应管的内部结构和工作原理,给出了元器件选择的依据与方法。对改进型超级联碳化硅... 提出了一种改进型超级联碳化硅结型场效应管。首先从传统超级联碳化硅结型场效应管入手,分析了其缺陷和不足之处。然后阐述了改进型超级联碳化硅结型场效应管的内部结构和工作原理,给出了元器件选择的依据与方法。对改进型超级联碳化硅结型场效应管的导通和开关特性进行了测试,实验测试得出改进型超级联碳化硅结型场效应管的阻断电压超过4 500 V,25℃时开关时间小于80 ns,开关损耗约为15 m J,具有良好的开关特性。 展开更多

关键词 半导体器件 碳化硅结型场效应管 高耐压 低损耗

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“瞄准10年后”——引发电网变革的超高耐压器件

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《浙江电力》 2014年第8期69-70,共2页

日本京都大学工学研究科教授木本恒畅在2014年7月4日召开的“新一代功率半导体的冲击：SiC从下一代走向现代”尖端技术论坛（主办：《日经电子》）上，以“超高电压应用SiC功率器件的发展”为题发表了演讲，介绍了日本学术振兴会的最尖... 日本京都大学工学研究科教授木本恒畅在2014年7月4日召开的“新一代功率半导体的冲击：SiC从下一代走向现代”尖端技术论坛（主办：《日经电子》）上，以“超高电压应用SiC功率器件的发展”为题发表了演讲，介绍了日本学术振兴会的最尖端研究开发项目的成果。 展开更多

关键词 功率器件 高耐压 日本京都大学 电网 引发 瞄准 功率半导体 技术论坛

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高压BICMOS电路中LDMOS的工艺开发

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作者 陆晓敏 王炜 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期190-193,共4页

双RESURF技术的LDMOS具有高耐压、大电流、导通电阻低的特点,通过开发与BICMOS工艺相兼容的相关工艺技术,可以使超高压开关电源电路BL8723得以成功设计,该产品的主要参数与国外同类产品相当。

关键词 LDMOS 注入剂量 高耐压 导通电阻 BICMOS 漂移区 RESURF

原文传递

超级电容器进展

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作者 Chris Reynolds 《今日电子》 2010年第1期26-27,31,共3页

在不超过10年的发展时间里,超级电容器已经很成熟了,这种可以贮藏高电荷能量的电化学器件从最初只为直流应用（例如,微波炉或VCR中的时钟电压保持）设计的大容量、低耐压圆柱形器件发展到目前的两大分支：处于实用阶段为混合动力汽车提... 在不超过10年的发展时间里,超级电容器已经很成熟了,这种可以贮藏高电荷能量的电化学器件从最初只为直流应用（例如,微波炉或VCR中的时钟电压保持）设计的大容量、低耐压圆柱形器件发展到目前的两大分支：处于实用阶段为混合动力汽车提供电力，并具有很高耐压和法拉容量的电容器和新型小体积、低高度的柱形脉冲超级电容器。 展开更多

关键词 超级电容器 电化学器件 混合动力汽车 实用阶段 大容量 圆柱形 高耐压 VCR

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