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S波段GaAs超低噪声限幅低噪声放大器芯片的研制
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作者 舒畅 彭龙新 +2 位作者 李建平 贾晨阳 洪伟 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期85-89,共5页
本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。在此基础上,设计并实现了一款S波段限幅低... 本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。在此基础上,设计并实现了一款S波段限幅低噪声放大器芯片,实现了超低噪声与高耐功率的性能。测试结果表明,该款芯片在目前相近频段所有限幅低噪声放大器产品中噪声系数最小。在2.7 GHz~3.5 GHz工作频带内,实测噪声系数NF≤0.85 dB,增益≥29 dB,带内增益平坦度≤±0.3 dB,静态工作电流≤25 mA,1 dB压缩点输出功率≥8 dBm。在耐功率50 W(250μs脉宽、25%占空比)下试验30 min后不烧毁,恢复到常温时,噪声几乎无变化。芯片尺寸为3450μm×1600μm×100μm。 展开更多
关键词 限幅低噪声放大器 超低噪声 高耐功率 小型化
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32~40 GHz高耐功率PIN二极管限幅低噪声放大器MMIC 被引量：2
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作者 邸跃红 杨旭 +2 位作者 杨琳 蔡明伟 安胜彪 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2022年第9期869-874,共6页
本文提出了一种32~40 GHz高耐功率砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)PIN二极管限幅低噪声放大器单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)。将PIN限幅器与低噪声放大器联合设计,同时采用高鲁棒性低噪声放大器网络,... 本文提出了一种32~40 GHz高耐功率砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)PIN二极管限幅低噪声放大器单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)。将PIN限幅器与低噪声放大器联合设计,同时采用高鲁棒性低噪声放大器网络,提高了限幅低噪声放大器的耐功率和小信号特性。为了降低放大器的噪声系数,提出了包含电感和PIN二极管的T型匹配单元,将多个匹配单元级联作为低噪声放大器的输入匹配网络。该限幅低噪声放大器MMIC采用0.15-μm PIN/pHEMT工艺制造。测试结果表明,该芯片可以承受最高为38 dBm的连续波30 min不损坏。在32~40 GHz频率范围内,电路的小信号增益和噪声系数分别为18±0.4 dB和2.5~2.8 dB,证明了该设计方法的有效性。在目前报道的限幅低噪声放大器MMIC中,该限幅低噪声放大器具有最高的工作频率,该电路可广泛的应用于高功率、高机动性的毫米波雷达系统中。 展开更多
关键词 PIN二极管 GAAS 限幅低噪声放大器 单片微波集成电路 高耐功率
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