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氮化铝陶瓷研究和发展 被引量：61
1
作者 秦明礼 曲选辉 +3 位作者 林健凉 肖平安 祝宝军 汤春峰 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期8-12,共5页
从氮化铝陶瓷的制备工艺 ,即粉末的合成、成形、烧结 3个方面详细介绍了氮化铝陶瓷的研究状况 。
关键词 氮化铝陶瓷 高热导率 制备工艺
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高热导率陶瓷材料的进展 被引量：28
2
作者 高陇桥 《真空电子技术》 2003年第2期49-53,共5页
叙述了在电子器件上常用高热导率陶瓷材料的性能和应用 ,主要包括BeO ,BN ,AlN等三种陶瓷材料。特别介绍了AlN陶瓷的发展前景及其最新应用。
关键词 氮化硼 氮化铝 高热导率
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金刚石/铜高导热复合材料制备工艺的研究进展 被引量：12
3
作者 戴书刚 李金旺 董传俊 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1995-2008,共14页
金刚石/铜复合材料具有优异的热导性能,有望解决未来高热流密度电子器件封装和散热难题。该文从金刚石/铜复合材料的制备方法、导热性能的影响因素和界面问题三个方面出发,归纳了热压烧结法、高温高压烧结法、放电等离子烧结法以及熔渗... 金刚石/铜复合材料具有优异的热导性能,有望解决未来高热流密度电子器件封装和散热难题。该文从金刚石/铜复合材料的制备方法、导热性能的影响因素和界面问题三个方面出发,归纳了热压烧结法、高温高压烧结法、放电等离子烧结法以及熔渗法制备金刚石/铜复合材料的详细制备工艺。金刚石颗粒参数和烧结工艺参数对金刚石/铜复合材料的导热性能有着重要影响。通过金刚石表面预金属化和铜基体合金化两方面可以加强金刚石/铜界面的结合。这些方面的进一步研究以及金刚石/铜高导热复合材料的应用是未来的研究重点。 展开更多
关键词 金刚石/铜 复合材料 制备方法 高热导率 界面结合
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C/C-SiC复合材料熔融渗硅制备工艺 被引量：10
4
作者 王其坤 胡海峰 +3 位作者 郑文伟 马青松 简科 陈朝辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期93-96,共4页
C/C-SiC 复合材料具有许多优异的性能,如高比强度、高比模量、优良的高温性能、高热导率以及低热膨胀系数等。与其它制备工艺相比,采用熔融渗硅法制备 C/C-SiC 复合材料的工艺具有操作简单、周期短、成本低等优点。综述了目前熔融渗硅... C/C-SiC 复合材料具有许多优异的性能,如高比强度、高比模量、优良的高温性能、高热导率以及低热膨胀系数等。与其它制备工艺相比,采用熔融渗硅法制备 C/C-SiC 复合材料的工艺具有操作简单、周期短、成本低等优点。综述了目前熔融渗硅法制备 C/C-SiC 复合材料的研究状况。 展开更多
关键词 C/C-SIC复合材料 熔融渗硅 制备工艺 C/C-SIC复合材料 低热膨胀系数 高比强度 高温性能 高热导率 研究状况 比模量 成本低
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高导热T/R组件新型封装材料现状及发展方向 被引量：8
5
作者 苏力争 钟剑锋 曹俊 《电子机械工程》 2011年第1期7-11,63,共6页
随着微电子技术的发展,T/R组件热流密度越来越大,封装材料也面临新的挑战,对新型高热导封装材料的需求变得愈加迫切。文章首先综述了传统T/R封装材料的优势及不足之处,同时指出了目前我国新型封装材料所存在的问题及进一步完善的措施,... 随着微电子技术的发展,T/R组件热流密度越来越大,封装材料也面临新的挑战,对新型高热导封装材料的需求变得愈加迫切。文章首先综述了传统T/R封装材料的优势及不足之处,同时指出了目前我国新型封装材料所存在的问题及进一步完善的措施,对金属基封装材料的发展趋势进行了展望,并提出了高导热T/R封装材料当前及未来的研究方向。 展开更多
关键词 T/R组件 封装材料 低热膨胀系数 高热导率
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高导热复合材料研究进展 被引量：8
6
作者 崔永红 焦剑 +1 位作者 汪雷 吕盼盼 《粘接》 CAS 2015年第1期83-87,共5页
综述了高导热型聚合物基纳米复合材料的导热机理、填充型复合材料的导热模型、高导热型聚合物基复合材料及其导热填料的研究现状。最后,提出了高导热型聚合物基纳米复合材料存在的问题,并对其发展方向进行了展望。
关键词 高热导率 导热复合材料 导热模型 纳米填料
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金刚石散热衬底在GaN基功率器件中的应用进展 被引量：7
7
作者 贾鑫 魏俊俊 +6 位作者 黄亚博 邵思武 孔月婵 刘金龙 陈良贤 李成明 叶海涛 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期111-123,共13页
氮化镓(GaN)基功率器件性能的充分发挥受到沉积GaN的衬底低热导率的限制,具有高热导率的化学气相沉积(CVD)金刚石,成为GaN功率器件热扩散衬底材料的优良选择。相关学者在高导热金刚石与GaN器件结合技术方面开展了多项技术研究,主要包括... 氮化镓(GaN)基功率器件性能的充分发挥受到沉积GaN的衬底低热导率的限制,具有高热导率的化学气相沉积(CVD)金刚石,成为GaN功率器件热扩散衬底材料的优良选择。相关学者在高导热金刚石与GaN器件结合技术方面开展了多项技术研究,主要包括低温键合技术、GaN外延层背面直接生长金刚石的衬底转移技术、单晶金刚石外延GaN技术和高导热金刚石钝化层散热技术。对GaN功率器件散热瓶颈的原因进行了详细评述,并对上述各项技术的优缺点进行了系统分析和评述,揭示了各类散热技术的热设计工艺开发和面临的技术挑战,并认为低温键合技术具有制备温度低、金刚石衬底导热性能可控的优势,但是大尺寸金刚石衬底的高精度加工和较差的界面结合强度对低温键合技术提出挑战。GaN外延层背面直接生长金刚石则具有良好的界面结合强度,但是涉及到高温、晶圆应力大、界面热阻高等技术难点。单晶金刚石外延GaN技术和高导热金刚石钝化层散热技术则分别受到单晶金刚石尺寸小、成本高和工艺不兼容的限制。因此,开发低成本大尺寸金刚石衬底,提高晶圆应力控制技术和界面结合强度,降低界面热阻,提高金刚石衬底GaN器件性能方面,将是未来金刚石与GaN器件结合技术发展的重点。 展开更多
关键词 金刚石 氮化镓 电子器件 转移技术 高热导率 界面热阻
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耐事故UO2基复合燃料芯块的研发进展 被引量：7
8
作者 莫华均 张伟 +6 位作者 吴璐 罗浩 何文 潘荣剑 王桢 伍晓勇 温榜 《核动力工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期36-39,共4页
对先进耐事故燃料(ATF)芯块的研发背景进行了概述,重点讨论了耐事故UO2基复合燃料芯块的国内外研究现状,认为UN、U3Si2和ThO2等燃料相是耐事故UO2基复合燃料芯块中最具发展潜力的掺杂相,然而其最佳添加量及分布状态尚需结合多尺度数值... 对先进耐事故燃料(ATF)芯块的研发背景进行了概述,重点讨论了耐事故UO2基复合燃料芯块的国内外研究现状,认为UN、U3Si2和ThO2等燃料相是耐事故UO2基复合燃料芯块中最具发展潜力的掺杂相,然而其最佳添加量及分布状态尚需结合多尺度数值模拟和实验研究的方法开展深入探索。 展开更多
关键词 燃料芯块 耐事故 UO2 掺杂相 高热导率
原文传递
AlN陶瓷基片专利技术分析
9
作者 钟玉姣 曹苏恬 温馨 《中国科技信息》 2024年第4期20-22,共3页
随着第三代半导体的崛起和发展,半导体功率器件集成度和功率密度明显提高,电子封装系统的散热问题已成为影响其性能和寿命的关键。陶瓷基片因兼具高耐热性、高热导率、高可靠性、低的热失配率、好的绝缘性能和高频特性,被认为是最有前... 随着第三代半导体的崛起和发展,半导体功率器件集成度和功率密度明显提高,电子封装系统的散热问题已成为影响其性能和寿命的关键。陶瓷基片因兼具高耐热性、高热导率、高可靠性、低的热失配率、好的绝缘性能和高频特性,被认为是最有前途的封装材料,近年来得以快速发展。AlN陶瓷因具有高热导率、低介电常数、与Si相匹配的热膨胀系数以及良好的绝缘性等优点成为电路基片材料的最佳选择之一。本文通过对半导体功率器件用AlN陶瓷基片的国内外专利进行分析,得到AlN陶瓷基片技术的国内外发展状况及发展方向,供相关领域技术人员参考。相关中文专利数据来源为中国专利全文数据库(CNTXT),外文专利数据来源为外国专利全文中文翻译数据库(ENTXTC),检索数据截至2023年8月。 展开更多
关键词 ALN陶瓷 高热导率 高耐热性 陶瓷基片 热膨胀系数 专利全文 低介电常数 封装材料
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陶瓷基板用氮化铝粉体专利解析
10
作者 李奕杉 刘帅 《中国科技信息》 2024年第4期14-16,共3页
功率半导体器件已广泛应用于多个战略新兴产业,而散热问题是影响其性能、可靠性和寿命的关键因素之一。氮化铝粉体具有高热导率等优点,被广泛认为是用于制备半导体功率器件用陶瓷基板的优良材料。本文检索数据库包括CNTXT、ENTXTC、Inco... 功率半导体器件已广泛应用于多个战略新兴产业,而散热问题是影响其性能、可靠性和寿命的关键因素之一。氮化铝粉体具有高热导率等优点,被广泛认为是用于制备半导体功率器件用陶瓷基板的优良材料。本文检索数据库包括CNTXT、ENTXTC、IncoPat,检索语言包括中文(简、繁)、英文、日文、德文、韩文,检索截至日2023年7月31日。检索结果经人工标引,筛选明确记载能够用于制备陶瓷基板或其纯度、粒径、热导率等性能参数能够用于制备陶瓷基板的专利,筛选后相关专利(族)共计306项。基于上述专利标引结果,分析如下。 展开更多
关键词 陶瓷基板 高热导率 氮化铝粉体 功率半导体器件 战略新兴产业 检索语言 检索数据库 专利
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AlN基板材料研究进展 被引量：6
11
作者 孟献丰 朱宏 《陶瓷研究与职业教育》 2003年第1期41-45,共5页
氮化铝 (AlN)以其优异的高热导率、低介电常数、与Si相匹配的热膨胀系数及其它优良的物理化学性能受到了国内外学术界和生产厂家的广泛关注 ,被誉为新一代高密度封装的理想基板材料。详细综述了AlN基板在导热机理、基片制备、金属化和... 氮化铝 (AlN)以其优异的高热导率、低介电常数、与Si相匹配的热膨胀系数及其它优良的物理化学性能受到了国内外学术界和生产厂家的广泛关注 ,被誉为新一代高密度封装的理想基板材料。详细综述了AlN基板在导热机理、基片制备、金属化和烧结工艺方面的研究进展 ,展望了AlN基板的发展趋势和前景。 展开更多
关键词 AlN基板材料 研究进展 氮化铝 高热导率 低介电常数 导热机理 新型电子陶瓷
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基于工程化设备通过调控纺丝温度提高中间相沥青炭纤维力学和导热性能
12
作者 叶高明 石奎 +7 位作者 吴晃 黄东 叶崇 欧阳婷 朱世鹏 樊桢 刘洪波 刘金水 《新型炭材料（中英文）》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期334-344,共11页
基于工程化设备,在恒定挤出量条件下,通过调控纺丝温度制备了中间相沥青炭纤维(MPCFs),探究纺丝温度对MPCFs微观结构、力学和导热性能的影响。结果表明:随着纺丝温度由309升高至320℃,MPCFs的微观结构由石墨片层细小的褶皱劈裂辐射状结... 基于工程化设备,在恒定挤出量条件下,通过调控纺丝温度制备了中间相沥青炭纤维(MPCFs),探究纺丝温度对MPCFs微观结构、力学和导热性能的影响。结果表明:随着纺丝温度由309升高至320℃,MPCFs的微观结构由石墨片层细小的褶皱劈裂辐射状结构逐步向石墨片层粗大的劈裂辐射状结构转变,拉伸强度由2.16增大到3.23 GPa,热导率由704升高到1078 W·m^(−1)·K^(−1)。这主要是因为纺丝温度越高,沥青熔体黏度越小,喷丝口处挤出胀大效应越弱,沥青熔体在喷丝孔流道内形成的微晶取向得以保持,以此制备的炭纤维具有更大的晶体尺寸和更高的微晶取向。 展开更多
关键词 中间相沥青 纺丝温度 炭纤维 高热导率 力学性能
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主驱逆变器,为何要选择碳化硅?
13
作者 安森美 《变频器世界》 2024年第3期32-34,共3页
在当今全球汽车工业驶向电动化的滚滚浪潮中,一项关键技术正以其颠覆性的性能改变着电动汽车整体市场竞争力的新格局,它便是基于碳化硅(SiC)材料打造的主驱逆变器。就像电子领域的“黑科技”催化剂,SiC正以其耐高压、高热导率及低损耗特... 在当今全球汽车工业驶向电动化的滚滚浪潮中,一项关键技术正以其颠覆性的性能改变着电动汽车整体市场竞争力的新格局,它便是基于碳化硅(SiC)材料打造的主驱逆变器。就像电子领域的“黑科技”催化剂,SiC正以其耐高压、高热导率及低损耗特性,重新定义新能源汽车的核心部件的工作效能极限,并以前所未有的方式推动整个行业朝着更长续航、更高能效的方向疾速前行。 展开更多
关键词 新能源汽车 电动化 逆变器 电动汽车 损耗特性 高热导率 工作效能 耐高压
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高热导率氮化铝陶瓷制备技术进展 被引量：3
14
作者 秦明礼 曲选辉 +3 位作者 黄栋生 林健凉 肖平安 祝宝军 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2001年第1期30-36,共7页
作者详细介绍了高热导率氨化铝陶瓷制备工艺的研究状况,包括粉末的合咸、成形、烧结3个过程.指出低成本的粉末制备工艺和氨化铝陶瓷的近净成形技术是很有价值的研究方向.
关键词 高热导率 氮化铝陶瓷 制备工艺
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基于金刚石的GaN基微波功率器件研究进展 被引量：5
15
作者 李金平 王琨 《西安邮电大学学报》 2016年第3期25-31,共7页
金刚石在目前所知的天然物质中具有最高的热导率,在高频、大功率GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)和电路的散热方面极有应用潜力。综述化学气相沉积多晶金刚石衬底的衬底转移技术、单晶金刚石衬底的直接外延技术和纳米金刚石表面覆膜的器... 金刚石在目前所知的天然物质中具有最高的热导率,在高频、大功率GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)和电路的散热方面极有应用潜力。综述化学气相沉积多晶金刚石衬底的衬底转移技术、单晶金刚石衬底的直接外延技术和纳米金刚石表面覆膜的器件工艺技术在GaN基HEMT器件中的应用研究和发展历程,并分析每种技术的优缺点。 展开更多
关键词 金刚石 氮化镓 微波器件 高热导率
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氮化铝陶瓷的研究和应用进展 被引量：5
16
作者 胡友静 燕晓艳 《科技传播》 2010年第5期52-52,34,共2页
从氮化铝陶瓷的实际应用领域进行了氮化铝陶瓷应用现状及前景的介绍;从其制备工艺介绍了氮化铝陶瓷的研究状况,并指出了低成本的粉末制备工艺和氮化铝陶瓷的复杂形状成形技术是目前很有价值的氮化铝陶瓷的研究方向。
关键词 氮化铝陶瓷 高热导率 应用领域 制备工艺
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BN坩埚中的AlN单晶生长 被引量：5
17
作者 李娟 胡小波 +6 位作者 姜守振 王英民 宁丽娜 陈秀芳 徐现刚 王继扬 蒋民华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期435-436,共2页
关键词 单晶生长 AIN 宽带隙半导体材料 微电子器件 GAN材料 坩埚 BN 高热导率 紫外探测器 光电子领域
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碳化硅陶瓷研究 被引量：4
18
作者 刘海林 《中国建材》 2015年第6期84-87,共4页
前言碳化硅材料具有超硬、耐磨、高热导率、高强度、低热膨胀系数、优异的热稳定性、低密度、高比刚度、无磁性等特点。这些优异的性能使其广泛用于航天、航空、国防、汽车、化工、核能、IC集成电路高端装备制造行业等领域。国内对高性... 前言碳化硅材料具有超硬、耐磨、高热导率、高强度、低热膨胀系数、优异的热稳定性、低密度、高比刚度、无磁性等特点。这些优异的性能使其广泛用于航天、航空、国防、汽车、化工、核能、IC集成电路高端装备制造行业等领域。国内对高性能碳化硅陶瓷的研发仍处于缓慢发展阶段, 展开更多
关键词 碳化硅陶瓷 碳化硅材料 缓慢发展阶段 高热导率 高比刚度 低热膨胀系数 凝胶注模成型 中国建材 材料制备 素坯
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大功率封装相控阵天线用金属封装外壳研制
19
作者 杜明 赵亮 +2 位作者 李鹏凯 胡大成 熊文毅 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第3期272-276,共5页
提出了一种金属封装外壳,其由玻璃绝缘子、铝合金壳体和铝合金盖板组成,玻璃绝缘子金锡焊接到壳体上、盖板激光封焊到壳体上,以保证封装外壳的气密特性。该金属封装外壳采用类似陶瓷柱栅阵列(Ceramic column grid array,CCGA)的对外接口... 提出了一种金属封装外壳,其由玻璃绝缘子、铝合金壳体和铝合金盖板组成,玻璃绝缘子金锡焊接到壳体上、盖板激光封焊到壳体上,以保证封装外壳的气密特性。该金属封装外壳采用类似陶瓷柱栅阵列(Ceramic column grid array,CCGA)的对外接口,支持自动化表贴工艺,具有高热导率特性,特别适用于大功率封装相控阵天线。对该金属封装外壳按封装相控阵天线的典型应用进行了仿真、加工、测试,结果表明,在0.5~18.0 GHz频带内,该金属封装外壳具有良好的驻波特性及传输性能,并具有高热导率特性。 展开更多
关键词 金属封装外壳 高热导率 大功率 封装相控阵天线 表贴 陶瓷柱栅阵列
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碳化硅封装用耐温环氧树脂的性能研究及应用
20
作者 钱麒 冯长森 《应用技术学报》 2023年第1期52-55,共4页
碳化硅因其优异的物理特性,逐渐成为功率半导体技术的研究热点,但是其功率器件的封装存在高结温、高导热以及高温下不够稳定的问题。普通封装胶的耐温性能和导热性能低、热膨胀系数高,无法满足碳化硅器件的封装。如何提高封装胶的耐温... 碳化硅因其优异的物理特性,逐渐成为功率半导体技术的研究热点,但是其功率器件的封装存在高结温、高导热以及高温下不够稳定的问题。普通封装胶的耐温性能和导热性能低、热膨胀系数高,无法满足碳化硅器件的封装。如何提高封装胶的耐温和导热性能、降低其热膨胀系数是研究重点。采用耐温环氧树脂和氨苯砜固化剂、以球形和片状氧化铝为导热填料制备的封装胶,固化后表现出较低的热膨胀系数、较高的热导率和T g值,此研究可为碳化硅器件封装材料提供一种思路。 展开更多
关键词 碳化硅器件 封装胶 高热导率 环氧树脂
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