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轻气炮高温靶快速加热及测试系统的研制
1
作者
张清福
孙悦
+3 位作者
金孝刚
谷卓伟
陈先猛
刘福生
《四川大学学报（工程科学版）》
EI
CAS
CSCD
2000年第5期25-28,共4页
利用高频加热的工作原理及计算机实时数据采集技术 ,在轻气炮靶室内建立了一套对靶体实现快速加热及温度实时监测的系统。解决了在低真空条件下进行冲击压缩实验所遇到的技术问题。当加载幅度约 8GPa的恒定载荷时 ,得到初始温度约 1 0 0...
利用高频加热的工作原理及计算机实时数据采集技术 ,在轻气炮靶室内建立了一套对靶体实现快速加热及温度实时监测的系统。解决了在低真空条件下进行冲击压缩实验所遇到的技术问题。当加载幅度约 8GPa的恒定载荷时 ,得到初始温度约 1 0 0 0K的多种材料的动态响应特性 (包括层裂强度 ,Hugoniot弹性极限 ,卸载声速等 )。实验表明 ,该系统的各项技术指标均达到了设计的要求。
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关键词
高频感应加热
轻气炮
高温
靶
冲击压缩
计算机实时数据采集系统
材料
动态响应特性
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职称材料
一台专用强流氧离子注入机的研制
被引量：
2
2
作者
唐景庭
伍三忠
+2 位作者
贾京英
郭健辉
刘咸成
《集成电路应用》
2003年第2期66-70,共5页
制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了SOI材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别...
制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了SOI材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别:注氧时间长,注入剂量大,注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温,金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。
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关键词
S0I材料
SIMOX技术
氧离子注入机
高温
靶
室
离子源
金属污染
下载PDF
职称材料
高温离子注入靶盘设计
3
作者
颜秀文
贾京英
+1 位作者
刘咸成
王慧勇
《电子工业专用设备》
2010年第11期7-9,13,共4页
简要介绍了高温离子注入靶室的设计。通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上,并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均匀性,满足了碳化硅掺杂、SOI晶片制造等特殊需要。
关键词
高温
离子注入
靶
室
晶片爪
设计
热分析
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职称材料
题名
轻气炮高温靶快速加热及测试系统的研制
1
作者
张清福
孙悦
金孝刚
谷卓伟
陈先猛
刘福生
机构
四川大学高温高压物理研究所
中国工程物理研究院流体物理研究所
出处
《四川大学学报（工程科学版）》
EI
CAS
CSCD
2000年第5期25-28,共4页
基金
中物院冲击波物理与爆轰物理国家重点实验室的资助! ( 930 0 2 9)
文摘
利用高频加热的工作原理及计算机实时数据采集技术 ,在轻气炮靶室内建立了一套对靶体实现快速加热及温度实时监测的系统。解决了在低真空条件下进行冲击压缩实验所遇到的技术问题。当加载幅度约 8GPa的恒定载荷时 ,得到初始温度约 1 0 0 0K的多种材料的动态响应特性 (包括层裂强度 ,Hugoniot弹性极限 ,卸载声速等 )。实验表明 ,该系统的各项技术指标均达到了设计的要求。
关键词
高频感应加热
轻气炮
高温
靶
冲击压缩
计算机实时数据采集系统
材料
动态响应特性
Keywords
high frequency inducing heat
light gas gun
high temperature target
shock compress
computerized realtime data acquiring system
分类号
O522.2 [理学—高压高温物理]
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职称材料
题名
一台专用强流氧离子注入机的研制
被引量：
2
2
作者
唐景庭
伍三忠
贾京英
郭健辉
刘咸成
机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《集成电路应用》
2003年第2期66-70,共5页
文摘
制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了SOI材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别:注氧时间长,注入剂量大,注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温,金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。
关键词
S0I材料
SIMOX技术
氧离子注入机
高温
靶
室
离子源
金属污染
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
TN305.3
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职称材料
题名
高温离子注入靶盘设计
3
作者
颜秀文
贾京英
刘咸成
王慧勇
机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《电子工业专用设备》
2010年第11期7-9,13,共4页
文摘
简要介绍了高温离子注入靶室的设计。通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上,并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均匀性,满足了碳化硅掺杂、SOI晶片制造等特殊需要。
关键词
高温
离子注入
靶
室
晶片爪
设计
热分析
Keywords
High Temperature Ion Implantation Target Chamber
Wafer Holder
Design
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
轻气炮高温靶快速加热及测试系统的研制
张清福
孙悦
金孝刚
谷卓伟
陈先猛
刘福生
《四川大学学报（工程科学版）》
EI
CAS
CSCD
2000
0
下载PDF
职称材料
2
一台专用强流氧离子注入机的研制
唐景庭
伍三忠
贾京英
郭健辉
刘咸成
《集成电路应用》
2003
2
下载PDF
职称材料
3
高温离子注入靶盘设计
颜秀文
贾京英
刘咸成
王慧勇
《电子工业专用设备》
2010
0
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职称材料
已选择
0
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