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GaN HEMTs微波器件的失效机理及宇航应用保障
1
作者
林罡
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第2期136-146,共11页
经过30年的发展,GaN已成为当今化合物半导体领域的研究和产业化的热点,同时也是卫星微波通讯的未来重点发展技术之一,但其可靠性一直是制约GaN HEMT器件工程化的重要因素。本文回顾和总结了南京电子器件研究所解决GaN HEMT微波器件的可...
经过30年的发展,GaN已成为当今化合物半导体领域的研究和产业化的热点,同时也是卫星微波通讯的未来重点发展技术之一,但其可靠性一直是制约GaN HEMT器件工程化的重要因素。本文回顾和总结了南京电子器件研究所解决GaN HEMT微波器件的可靠性问题的研发历程,整理了GaN HEMT微波器件在各阶段的典型失效模式、失效机理。针对GaN微波器件的宇航应用,描述了与相关技术配套的宇航应用保障体系,以实现其良好的运行及未知风险的控制。
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关键词
氮化镓
SiC衬底GaN器件
微波功率器件
可靠性
失效机理
高温
加速
寿命试验
(
htol
)
总剂量效应
单粒子效应
低气压放电
宇航应用保障
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题名
GaN HEMTs微波器件的失效机理及宇航应用保障
1
作者
林罡
机构
南京电子器件研究所
固态微波器件与电路全国重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第2期136-146,共11页
文摘
经过30年的发展,GaN已成为当今化合物半导体领域的研究和产业化的热点,同时也是卫星微波通讯的未来重点发展技术之一,但其可靠性一直是制约GaN HEMT器件工程化的重要因素。本文回顾和总结了南京电子器件研究所解决GaN HEMT微波器件的可靠性问题的研发历程,整理了GaN HEMT微波器件在各阶段的典型失效模式、失效机理。针对GaN微波器件的宇航应用,描述了与相关技术配套的宇航应用保障体系,以实现其良好的运行及未知风险的控制。
关键词
氮化镓
SiC衬底GaN器件
微波功率器件
可靠性
失效机理
高温
加速
寿命试验
(
htol
)
总剂量效应
单粒子效应
低气压放电
宇航应用保障
Keywords
GaN
SiC substrate GaN devices
microwave power devices
reliability
failure mechanism
high temperature operating life test(
htol
)
total dose effect
single event effect
lowpressuredischarge
aerospace application support
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
GaN HEMTs微波器件的失效机理及宇航应用保障
林罡
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023
0
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职称材料
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参考文献
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