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源漏轻掺杂结构多晶硅薄膜晶体管模拟研究 被引量：3
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作者 纪世阳 李牧菊 杨柏梁 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第2期129-134,共6页
采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流 ,同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果 ,使漏极电流降低到 1 0 - 11A量级 ,晶体管的开关电流比值达到 1 0 6量级。模拟研究掺杂区浓度和宽度与多晶硅薄膜晶体管开关电流比的... 采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流 ,同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果 ,使漏极电流降低到 1 0 - 11A量级 ,晶体管的开关电流比值达到 1 0 6量级。模拟研究掺杂区浓度和宽度与多晶硅薄膜晶体管开关电流比的变化关系。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜晶体管 同型结 热电子 漏电流 源漏轻掺杂结构 高清晰度彩色有源平板显示 模拟研究
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