期刊文献+
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
大功率高抑制度宽频带谐波滤波器的设计与分析 被引量:8
1
作者 韩来辉 余海 《火控雷达技术》 2016年第3期56-60,共5页
本文简明阐述了大功率高抑制度宽频带谐波滤波器工作方式和设计原理,通过HFSS三维仿真软件分别对两种工作方式S频段大功率谐波滤波器进行了建模,电磁仿真。对两种形式谐波滤波器在传输频率为2025~2120MHz,通带损耗、反射损耗、谐波... 本文简明阐述了大功率高抑制度宽频带谐波滤波器工作方式和设计原理,通过HFSS三维仿真软件分别对两种工作方式S频段大功率谐波滤波器进行了建模,电磁仿真。对两种形式谐波滤波器在传输频率为2025~2120MHz,通带损耗、反射损耗、谐波抑制度等方面的结果进行了比较和分析,定性的说明了两种滤波器的传输特性的特点,为后续工程应用提供了重要依据。 展开更多
关键词 大功率 制度 宽频带 谐波滤波器 反射式 吸收式
下载PDF
C波段宽带薄膜体声波滤波器设计及验证 被引量:1
2
作者 蒋世义 蒋平英 +4 位作者 马晋毅 陈彦光 徐阳 刘娅 徐溢 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第4期535-539,共5页
介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微... 介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微机电系统(MEMS)工艺制备与凸点式晶圆级封装实现滤波器制备。研制出标称频率5800 MHz、插入损耗小于2.8 dB、阻带抑制大于40 dBc、体积仅1.0 mm×1.0 mm×0.35 mm的C波段宽带薄膜体声波滤波器。 展开更多
关键词 薄膜体声波谐振器(FBAR) 宽带 制度
下载PDF
新型三阶SIR高阻带抑制双通带滤波器 被引量:5
3
作者 姜逸飞 孟令琴 杨广立 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期147-154,共8页
采用三阶信噪比(signal to interference ratio,SIR)干扰谐振器作为基本谐振单元,通过调整阻抗比控制主频和第一杂散频率的位置,设计了一种新型高阻带抑制双通带滤波器.滤波器第一通带由主谐振频率产生,第二通带由第一杂散频率产生.运... 采用三阶信噪比(signal to interference ratio,SIR)干扰谐振器作为基本谐振单元,通过调整阻抗比控制主频和第一杂散频率的位置,设计了一种新型高阻带抑制双通带滤波器.滤波器第一通带由主谐振频率产生,第二通带由第一杂散频率产生.运用三角耦合结构作为该滤波器的拓扑结构,使得整体滤波器呈现出带外传输零点和阻带的高抑制度.使用交指型耦合结构实现输入/输出端的强耦合,得到较高的外部品质因数.该滤波器的两个通带中心频率分别为1.57 GHz(GPS)和2.5 GHz(4G),3 d B带宽分别为4.0%和2.4%.结果表明,测量结果和仿真结果基本吻合. 展开更多
关键词 三阶SIR谐振器 三角耦合结构 制度 传输零点
下载PDF
一种新型的高抑制度波导滤波器设计
4
作者 张宇 渠芳芳 《电子技术应用》 2022年第7期110-113,共4页
针对目前频谱资源拥挤所提出的频带间高隔离度需求,提出了一种新型的小型化高抑制度波导滤波器。在传统波导滤波器的非相邻谐振腔间引入新型的波导CT型感性交叉耦合结构,使其在阻带产生有限的传输零点,进一步提高带外抑制,缩小了滤波器... 针对目前频谱资源拥挤所提出的频带间高隔离度需求,提出了一种新型的小型化高抑制度波导滤波器。在传统波导滤波器的非相邻谐振腔间引入新型的波导CT型感性交叉耦合结构,使其在阻带产生有限的传输零点,进一步提高带外抑制,缩小了滤波器的体积,且降低了因腔体个数而引入的损耗。同时,根据其结构的不连续性,采用模式匹配法进行优化设计,设计周期短,性能很好。 展开更多
关键词 制度 交叉耦合 传输零点 模式匹配法
下载PDF
宽频带、高镜像抑制度混频器 被引量:2
5
作者 魏福立 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期37-40,共4页
介绍的这种宽频带、高镜像抑制度混频器具有变频损耗小、镜像抑制度高、路间隔离度大、驻波系数小、体积小(50mm × 40mm × 20mm)、工作温度范围宽及可靠性高的特点。
关键词 混频器 宽频带 镜像制度
下载PDF
一款W波段GaN HEMT高谐波抑制八次倍频器MMIC 被引量:1
6
作者 项萍 王维波 +3 位作者 陈忠飞 郭方金 潘晓枫 徐志超 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第1期1-4,27,共5页
报道了一款采用0.1μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片。该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器。二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐波抑制;驱动放大器采用单级负反馈电路结构,在实... 报道了一款采用0.1μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片。该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器。二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐波抑制;驱动放大器采用单级负反馈电路结构,在实现良好输入输出匹配的同时兼顾增益平坦度。最终实现的八次倍频器芯片3 dB工作带宽为16 GHz(84~100 GHz),输出功率大于13 dBm,谐波抑制度大于40 dBc,带内谐波抑制度大于60 dBc。芯片面积3.6 mm×1.7 mm。 展开更多
关键词 W波段 倍频器 GAN 谐波制度
下载PDF
一种高抑制电调滤波器的设计与实现 被引量:2
7
作者 刘乐乐 刘兰 +3 位作者 石玉 吴治霖 胡越 温杰 《电子科技》 2019年第1期42-46,共5页
针对超外差接收机中前端预选宽频段、低损耗与高带外抑制度的需求,文中在电感耦合方式的LC电调滤波器基础上,增加了寄生通带抑制滤波器,设计了一款基于20~800 MHz调谐范围的电调滤波器。通过实际测试得到在调谐范围内,滤波器插入损耗&l... 针对超外差接收机中前端预选宽频段、低损耗与高带外抑制度的需求,文中在电感耦合方式的LC电调滤波器基础上,增加了寄生通带抑制滤波器,设计了一款基于20~800 MHz调谐范围的电调滤波器。通过实际测试得到在调谐范围内,滤波器插入损耗<1. 5dB,1 d B相对带宽约20%~30%,输入输出端口驻波<1. 5,二倍频处抑制度> 40d Bc,寄生通带抑制滤波器能将二次谐波和三次谐波寄生通带的抑制度分别提高40 d Bc和30 d Bc以上,从而利于滤波器在预选部分实现中频、镜频和本振反向等抑制作用。 展开更多
关键词 超外差接收机 宽频段 低损耗 带外制度 电调滤波器 寄生通带
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部