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An Improved High Fan-in Domino Circuit for High Performance Microprocessors
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作者 冯超超 陈迅 +1 位作者 衣晓飞 张民选 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1740-1744,共5页
An improved high fan-in domino circuit is proposed. The nMOS pull-down network of the circuit is divided into several blocks to reduce the capacitance of the dynamic node and each block only needs a small keeper trans... An improved high fan-in domino circuit is proposed. The nMOS pull-down network of the circuit is divided into several blocks to reduce the capacitance of the dynamic node and each block only needs a small keeper transistor to maintain the noise margin. Because we omit the footer transistor, the circuit has better performance than the standard domino circuit. A 64-input OR-gate implemented with the structure is simulated using HSPICE under typical conditions of 0.13μm CMOS technology. The average delay of the circuit is 63.9ps, the average power dissipation is 32.4μW, and the area is l15μm^2. Compared to compound domino logic, the proposed circuit can reduce delay and power dissipation by 55% and 38%, respectively. 展开更多
关键词 high fan-in domino logic high performance keeper transistor
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高扇入与/或逻辑的设计与实现 被引量:2
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作者 梅林 张静波 马安国 《重庆大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期908-912,共5页
针对高性能浮点乘加部件中的应用需求,全定制设计了高性能52位或门和108位与门。设计中使用HSPICE工具进行电路模拟,模拟时使用CSM 0.13μm最慢工艺参数,电源电压为1.2 V,温度为25℃。根据各种实现方式的电路特性,使用相应的理论上电路... 针对高性能浮点乘加部件中的应用需求,全定制设计了高性能52位或门和108位与门。设计中使用HSPICE工具进行电路模拟,模拟时使用CSM 0.13μm最慢工艺参数,电源电压为1.2 V,温度为25℃。根据各种实现方式的电路特性,使用相应的理论上电路最大延时的输入激励进行模拟,输入激励的频率为1.25 GHz,斜率为输入激励周期的10%。输出延时是每个输入周期中输入电压的50%到输出电压的50%之间的时间,最大延时是所有输入数据中的最长延时。根据不同的逻辑类型,设计实现了5种52位或门;选取了静态互补CMOS逻辑、np-CMOS逻辑两种直接实现的108位与门,并选取了多米诺逻辑间接实现方式。对比模拟结果可以得到,全定制设计实现的52位或门和108位与门在速度、功耗和面积方面都具有较优的综合性能。 展开更多
关键词 扇入与/A逻辑 全定制 静态逻辑 动态逻辑
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