高密度等离子体(High Density Plasma,HDP)淀积工艺具有卓越的沟槽填充性能,广泛应用于深亚微米及更先进的集成电路制造的关键工艺环节.由于其淀积与溅射相结合的工艺特点,HDP中颗粒水平直接影响器件量产的良率与可靠性,是HDP工艺中的...高密度等离子体(High Density Plasma,HDP)淀积工艺具有卓越的沟槽填充性能,广泛应用于深亚微米及更先进的集成电路制造的关键工艺环节.由于其淀积与溅射相结合的工艺特点,HDP中颗粒水平直接影响器件量产的良率与可靠性,是HDP工艺中的最大问题.针对集成电路量产工艺中频繁出现的HDP颗粒问题,通过分析HDP淀积颗粒成分,发现其中含有非反应气体成分氟(F)和铝(Al).利用等离子体中的氧离子修复工艺设备的腔室穹顶,降低由于预淀积薄膜黏附不足而造成剥离性颗粒;研发出氧气(O_2)钝化工艺,应用于硅片淀积间隙的腔室原位清洗工艺;通过实验设计,分析和优化O_2钝化的具体工艺条件.研究表明,将优化后的带有O_2钝化的原位清洗工艺方案应用于集成电路实际量产制造,HDP工艺的颗粒水平整体降低50%.展开更多
Y2000-62135-152 0020165高纵横比175nm 技术用低再沉淀速率高密度等离子体 CVD 工艺=A low redeposition rate high density plas-ma CVD process for high aspect ratio 175nm technologyand beyond[会,英]/Lee,G.Y.& Ivers,T.H./...Y2000-62135-152 0020165高纵横比175nm 技术用低再沉淀速率高密度等离子体 CVD 工艺=A low redeposition rate high density plas-ma CVD process for high aspect ratio 175nm technologyand beyond[会,英]/Lee,G.Y.& Ivers,T.H.//1999 IEEE Proceedizips of International InterconnectTechnology Conference.-152～154(EC)展开更多
Y2000-62135-149 0020140采用高密度等离子体化学汽相淀积氧化物电介质的窄铝金属化过程中感应金属空隙形成机制=A mecha-nism of stress-indueed metaI void in narrow Aluminum-brised metallization with the HDP CVD oxide dielectr...Y2000-62135-149 0020140采用高密度等离子体化学汽相淀积氧化物电介质的窄铝金属化过程中感应金属空隙形成机制=A mecha-nism of stress-indueed metaI void in narrow Aluminum-brised metallization with the HDP CVD oxide dielectric[会,英]/Lee,S.G.& Oh,H.-S.//1999 IEEE Pro-ceedirigs of Internationai Interconnect Technology Con-ference.-149～151(EC)展开更多
文摘高密度等离子体(High Density Plasma,HDP)淀积工艺具有卓越的沟槽填充性能,广泛应用于深亚微米及更先进的集成电路制造的关键工艺环节.由于其淀积与溅射相结合的工艺特点,HDP中颗粒水平直接影响器件量产的良率与可靠性,是HDP工艺中的最大问题.针对集成电路量产工艺中频繁出现的HDP颗粒问题,通过分析HDP淀积颗粒成分,发现其中含有非反应气体成分氟(F)和铝(Al).利用等离子体中的氧离子修复工艺设备的腔室穹顶,降低由于预淀积薄膜黏附不足而造成剥离性颗粒;研发出氧气(O_2)钝化工艺,应用于硅片淀积间隙的腔室原位清洗工艺;通过实验设计,分析和优化O_2钝化的具体工艺条件.研究表明,将优化后的带有O_2钝化的原位清洗工艺方案应用于集成电路实际量产制造,HDP工艺的颗粒水平整体降低50%.
文摘Y2000-62135-152 0020165高纵横比175nm 技术用低再沉淀速率高密度等离子体 CVD 工艺=A low redeposition rate high density plas-ma CVD process for high aspect ratio 175nm technologyand beyond[会,英]/Lee,G.Y.& Ivers,T.H.//1999 IEEE Proceedizips of International InterconnectTechnology Conference.-152～154(EC)
文摘Y2000-62135-149 0020140采用高密度等离子体化学汽相淀积氧化物电介质的窄铝金属化过程中感应金属空隙形成机制=A mecha-nism of stress-indueed metaI void in narrow Aluminum-brised metallization with the HDP CVD oxide dielectric[会,英]/Lee,S.G.& Oh,H.-S.//1999 IEEE Pro-ceedirigs of Internationai Interconnect Technology Con-ference.-149～151(EC)
