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非线性光导开关中的高场畴机制 被引量：4
1
作者 刘鸿 《成都大学学报（自然科学版）》 2007年第3期228-231,共4页
应用多能谷结构的转移电子效应结合畴动力学分析探讨了高场畴的形成和发展的微观过程,在此基础上把非线性光导开关中观察到的重要特征现象——电流丝与气体放电中的放电现象相比较,合理地提出了一个重要的物理模型:畴电子崩.这一概念是... 应用多能谷结构的转移电子效应结合畴动力学分析探讨了高场畴的形成和发展的微观过程,在此基础上把非线性光导开关中观察到的重要特征现象——电流丝与气体放电中的放电现象相比较,合理地提出了一个重要的物理模型:畴电子崩.这一概念是系统全面地描述非线性光导开关的物理机制的基础. 展开更多
关键词 空间电荷 多能谷结构 转移电子效应 高场畴 畴电子崩
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功能器件
2
《微电子学》 CAS 1973年第4期74-75,共2页
自1948年前后发明晶体管以来,相继制出了许多半导体元件,使得现代电子学获得很大发展。也就是说由于晶体管代替真空管,发挥出小型、重量轻、低电压、长寿命、高可靠性和低成本等一系列优点。沿着这条道路发展,目前的固体器件的方法是把... 自1948年前后发明晶体管以来,相继制出了许多半导体元件,使得现代电子学获得很大发展。也就是说由于晶体管代替真空管,发挥出小型、重量轻、低电压、长寿命、高可靠性和低成本等一系列优点。沿着这条道路发展,目前的固体器件的方法是把作为电子电路中基本元素的无源元件(电感,电容,电阻)和有源元件(放大器,振荡器,整流器,开关) 展开更多
关键词 功能器件 电子器件 高场畴 有源元件
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10GHz CW GaAs Gunn器件振荡特性的计算机模拟
3
作者 王颖娴 李元垠 潘国雄 《Journal of Semiconductors》 EI CAS 1983年第4期351-360,共10页
本文用隐式差分数值方法对10GHz GaAs Gunn二极管的振荡特性进行了一维计算机模拟.介绍了模拟使用的基本方程,边界条件及计算步骤.给出了器件工作温度、有源层厚度、有源区掺杂分布及界面处掺杂梯度对器件振荡特性的影响.
关键词 器件模型 有源区 计算机模拟 计算机仿真 CW GaAs Gunn 掺杂分布 高场畴 电场分布 GAAS 振荡特性
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