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应用于5G微波开关的GaAs pin开关二极管
被引量：
1
1
作者
陈建星
林伟铭
+5 位作者
邱文宗
林伟
林易展
郑伯涛
王淋雨
章剑清
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第6期460-465,共6页
研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压。提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制。金属互连线使...
研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压。提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制。金属互连线使用空气桥互连技术,解决高台面连线困难的问题。p型欧姆接触金属采用Ti/Pt/Au,比接触电阻约为5×10-6Ω·cm2。在无源器件部分制备了电容密度约为597.5 pF/mm2的金属-绝缘体-金属(MIM)电容和方块电阻约为48.5Ω/□的TaN电阻并进行了钝化。该pin开关二极管的开启电压约为1.1 V,反向击穿电压约为25 V。使用该pin二极管设计制备了一款单刀双掷(SPDT)开关,在35 GHz频率下,测得该SPDT开关的隔离度约为28 dB,插入损耗约为1.2 dB,适用于5G微波通信的开关设计制造。
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关键词
GAAS
PIN二极管
高
台面
空气桥
单刀双掷(SPDT)开关
下载PDF
职称材料
高台面岩溶地貌成库条件分析及库区防渗
被引量：
1
2
作者
孟新华
《湖北水力发电》
2002年第2期20-23,共4页
针对高台面岩溶地貌特点,运用“最小耗能”原理进行系统分析论证特殊地质环境下岩溶水库成库条件,提出岩溶库区相应防渗处理方案,为复杂岩溶地貌区水利水电工程勘察设计和工程运行管理提供参考。
关键词
高
台面
岩溶
成库条件
地质分析
库区防渗
下载PDF
职称材料
单片集成电路高台面联线
3
作者
黄文英
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期46-46,63,共2页
介绍了ＧａＡｓＭＭＩＣ高台面刻蚀制备工艺方法，解决了高低台面联线问题，提高了单片集成电路性能。
关键词
单片集成电路
高
台面
刻蚀
光刻
联线
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职称材料
题名
应用于5G微波开关的GaAs pin开关二极管
被引量：
1
1
作者
陈建星
林伟铭
邱文宗
林伟
林易展
郑伯涛
王淋雨
章剑清
机构
福联集成电路有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第6期460-465,共6页
文摘
研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压。提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制。金属互连线使用空气桥互连技术,解决高台面连线困难的问题。p型欧姆接触金属采用Ti/Pt/Au,比接触电阻约为5×10-6Ω·cm2。在无源器件部分制备了电容密度约为597.5 pF/mm2的金属-绝缘体-金属(MIM)电容和方块电阻约为48.5Ω/□的TaN电阻并进行了钝化。该pin开关二极管的开启电压约为1.1 V,反向击穿电压约为25 V。使用该pin二极管设计制备了一款单刀双掷(SPDT)开关,在35 GHz频率下,测得该SPDT开关的隔离度约为28 dB,插入损耗约为1.2 dB,适用于5G微波通信的开关设计制造。
关键词
GAAS
PIN二极管
高
台面
空气桥
单刀双掷(SPDT)开关
Keywords
GaAs
pin diode
high mesa
air bridge
single-pole double-throw(SPDT)switch
分类号
TN315. [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高台面岩溶地貌成库条件分析及库区防渗
被引量：
1
2
作者
孟新华
机构
咸丰县电力公司
出处
《湖北水力发电》
2002年第2期20-23,共4页
文摘
针对高台面岩溶地貌特点,运用“最小耗能”原理进行系统分析论证特殊地质环境下岩溶水库成库条件,提出岩溶库区相应防渗处理方案,为复杂岩溶地貌区水利水电工程勘察设计和工程运行管理提供参考。
关键词
高
台面
岩溶
成库条件
地质分析
库区防渗
Keywords
table-land, karst, geologic analysis, seepage prevention
分类号
TV7 [水利工程—水利水电工程]
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职称材料
题名
单片集成电路高台面联线
3
作者
黄文英
机构
电子工业部第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期46-46,63,共2页
文摘
介绍了ＧａＡｓＭＭＩＣ高台面刻蚀制备工艺方法，解决了高低台面联线问题，提高了单片集成电路性能。
关键词
单片集成电路
高
台面
刻蚀
光刻
联线
分类号
TN430.597 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应用于5G微波开关的GaAs pin开关二极管
陈建星
林伟铭
邱文宗
林伟
林易展
郑伯涛
王淋雨
章剑清
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
1
下载PDF
职称材料
2
高台面岩溶地貌成库条件分析及库区防渗
孟新华
《湖北水力发电》
2002
1
下载PDF
职称材料
3
单片集成电路高台面联线
黄文英
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
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职称材料
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