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21世纪高可靠硅集成电路新技术应用展望
1
作者
于凌宇
《电子质量》
2003年第5期97-99,103,共4页
该文简介了高可靠集成电路SOI的主要制造技术,探讨了其特殊性能,并展望了其诱人的应 用前景。
关键词
高
可靠
集成电路
SOI
制造技术
应用展望
核辐照
寄生电容
闩锁效应
低功耗
电路
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职称材料
高可靠集成电路典型失效模式类型与原因分析
被引量:
1
2
作者
郝思萍
崔诗瑶
《微处理机》
2022年第4期34-37,共4页
鉴于高可靠集成电路在现代信息化电子设备应用领域的关键地位,为了保证高可靠集成电路充分发挥其特点、降低失效率,对高可靠集成电路典型失效模式类型进行研究。从集成电路选用、二次筛选、失效分析、破坏性物理分析等方面介绍高可靠集...
鉴于高可靠集成电路在现代信息化电子设备应用领域的关键地位,为了保证高可靠集成电路充分发挥其特点、降低失效率,对高可靠集成电路典型失效模式类型进行研究。从集成电路选用、二次筛选、失效分析、破坏性物理分析等方面介绍高可靠集成电路的筛选、考核方式。以实际研究工作中遇到的引线键合失效及各种材料缺陷为例,详细讨论典型的失效模式,并以寿命浴盆曲线、老炼试验、分析程序、各类图表等工具加以分析,提出相应的解决方案。
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关键词
高
可靠
集成电路
二次筛选
失效分析
破坏性物理分析
失效模式
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职称材料
高可靠混合集成电路(HIC)基板异质膜层搭接典型问题浅析
被引量:
1
3
作者
刘俊夫
郑静
+2 位作者
董永平
朱文丽
汤文明
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第9期90-96,104,共8页
阐述了高可靠混合集成电路(HIC)配套厚膜基板典型异质膜层搭接部位的三种典型问题:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题、Ag基导体与低阻值电阻分层问题以及Au基导体与介质分层问题。从机理分析结合剖面微观分析的角度对问题进行了研究。研...
阐述了高可靠混合集成电路(HIC)配套厚膜基板典型异质膜层搭接部位的三种典型问题:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题、Ag基导体与低阻值电阻分层问题以及Au基导体与介质分层问题。从机理分析结合剖面微观分析的角度对问题进行了研究。研究发现:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题的原因是原子的不平衡扩散;Ag导体膜层致密度过高,电阻中的粘结相无法有效浸润从而导致了Ag基导体与低阻值电阻分层问题;而Au基导体与介质分层问题则是由于异质浆料粘接相不匹配造成的。最后对设计和生产过程中可能采取的措施给出了建议。
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关键词
高
可靠
混合
集成电路
厚膜
搭接
可肯达尔效应
显微结构
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职称材料
题名
21世纪高可靠硅集成电路新技术应用展望
1
作者
于凌宇
机构
信息产业部
出处
《电子质量》
2003年第5期97-99,103,共4页
文摘
该文简介了高可靠集成电路SOI的主要制造技术,探讨了其特殊性能,并展望了其诱人的应 用前景。
关键词
高
可靠
集成电路
SOI
制造技术
应用展望
核辐照
寄生电容
闩锁效应
低功耗
电路
Keywords
SOI
manufacturing technology
material property
purpose
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
高可靠集成电路典型失效模式类型与原因分析
被引量:
1
2
作者
郝思萍
崔诗瑶
机构
中国电子科技集团公司第四十七研究所
出处
《微处理机》
2022年第4期34-37,共4页
文摘
鉴于高可靠集成电路在现代信息化电子设备应用领域的关键地位,为了保证高可靠集成电路充分发挥其特点、降低失效率,对高可靠集成电路典型失效模式类型进行研究。从集成电路选用、二次筛选、失效分析、破坏性物理分析等方面介绍高可靠集成电路的筛选、考核方式。以实际研究工作中遇到的引线键合失效及各种材料缺陷为例,详细讨论典型的失效模式,并以寿命浴盆曲线、老炼试验、分析程序、各类图表等工具加以分析,提出相应的解决方案。
关键词
高
可靠
集成电路
二次筛选
失效分析
破坏性物理分析
失效模式
Keywords
High reliability integrated circuits
Secondary screening
Failure analysis
Destructive physical analysis
Failure mode
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
高可靠混合集成电路(HIC)基板异质膜层搭接典型问题浅析
被引量:
1
3
作者
刘俊夫
郑静
董永平
朱文丽
汤文明
机构
合肥工业大学材料科学与工程学院
华东微电子研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第9期90-96,104,共8页
文摘
阐述了高可靠混合集成电路(HIC)配套厚膜基板典型异质膜层搭接部位的三种典型问题:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题、Ag基导体与低阻值电阻分层问题以及Au基导体与介质分层问题。从机理分析结合剖面微观分析的角度对问题进行了研究。研究发现:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题的原因是原子的不平衡扩散;Ag导体膜层致密度过高,电阻中的粘结相无法有效浸润从而导致了Ag基导体与低阻值电阻分层问题;而Au基导体与介质分层问题则是由于异质浆料粘接相不匹配造成的。最后对设计和生产过程中可能采取的措施给出了建议。
关键词
高
可靠
混合
集成电路
厚膜
搭接
可肯达尔效应
显微结构
Keywords
highly-reliable HIC
thickfilm
overlap
Kirkendall effect
microstructure
分类号
TN452 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
21世纪高可靠硅集成电路新技术应用展望
于凌宇
《电子质量》
2003
0
下载PDF
职称材料
2
高可靠集成电路典型失效模式类型与原因分析
郝思萍
崔诗瑶
《微处理机》
2022
1
下载PDF
职称材料
3
高可靠混合集成电路(HIC)基板异质膜层搭接典型问题浅析
刘俊夫
郑静
董永平
朱文丽
汤文明
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
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职称材料
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