期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
高可靠混合集成电路(HIC)基板异质膜层搭接典型问题浅析 被引量：1
1
作者 刘俊夫 郑静 +2 位作者 董永平 朱文丽 汤文明 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第9期90-96,104,共8页
阐述了高可靠混合集成电路(HIC)配套厚膜基板典型异质膜层搭接部位的三种典型问题:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题、Ag基导体与低阻值电阻分层问题以及Au基导体与介质分层问题。从机理分析结合剖面微观分析的角度对问题进行了研究。研... 阐述了高可靠混合集成电路(HIC)配套厚膜基板典型异质膜层搭接部位的三种典型问题:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题、Ag基导体与低阻值电阻分层问题以及Au基导体与介质分层问题。从机理分析结合剖面微观分析的角度对问题进行了研究。研究发现:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题的原因是原子的不平衡扩散;Ag导体膜层致密度过高,电阻中的粘结相无法有效浸润从而导致了Ag基导体与低阻值电阻分层问题;而Au基导体与介质分层问题则是由于异质浆料粘接相不匹配造成的。最后对设计和生产过程中可能采取的措施给出了建议。 展开更多
关键词 高可靠混合集成电路 厚膜 搭接 可肯达尔效应 显微结构
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部