半绝缘多晶硅SIPOS工艺与应用 被引量：4

1

作者 俞诚 李建立 +3 位作者 吴丹 吉鹏程 刘文龙 黄强 《电子与封装》 2007年第7期28-31,共4页

反向击穿电压较高的半导体器件,一般采用台面玻璃钝化工艺,但这种工艺有不少弊端。因此人们一直努力使高耐压半导体器件工艺平面化,而在这当中表面钝化工艺的选择与应用是个关键。半绝缘多晶硅(SIPOS)的开发几乎与高压平面器件工艺的研... 反向击穿电压较高的半导体器件,一般采用台面玻璃钝化工艺,但这种工艺有不少弊端。因此人们一直努力使高耐压半导体器件工艺平面化,而在这当中表面钝化工艺的选择与应用是个关键。半绝缘多晶硅(SIPOS)的开发几乎与高压平面器件工艺的研究同步。但是由于SIPOS工艺具有一定的难度,普遍应用尚有待时日。文章简要介绍了我们在SIPOS工艺试验与应用方面所做的一些工作。 展开更多

关键词 高反压 平面工艺 钝化 半绝缘 含氧量 多晶硅

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增压浸没燃烧装置中高反压燃烧器数值模拟研究 被引量：3

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作者 宫小龙 朱庆霞 +2 位作者 冯青 刘中良 江瀚 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2016年第5期541-546,共6页

分析了传统浸没燃烧技术的特点和不足,研制出增压浸没燃烧蒸发器装置。借助Fluent软件研究轴对称燃烧器在5-30atm压力下的燃烧特性。模拟计算结果表明,压力的增大提高了燃烧反应速率,强化了燃烧性能,燃料燃烧更充分;随着压力不断提高,... 分析了传统浸没燃烧技术的特点和不足,研制出增压浸没燃烧蒸发器装置。借助Fluent软件研究轴对称燃烧器在5-30atm压力下的燃烧特性。模拟计算结果表明,压力的增大提高了燃烧反应速率,强化了燃烧性能,燃料燃烧更充分;随着压力不断提高,燃烧反应起始位置向气流上游移动;火焰最高温度不断升高;CO_2和NO_X浓度也相应增加。仿真结果与前人预测结果对比,二者基本吻合。证明高反压燃烧器十分适合在增压浸没燃烧技术中应用。 展开更多

关键词 增压浸没燃烧 高反压 燃烧器 数值模拟

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3DK20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制

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作者 韩春辉 孙学文 《黑龙江电子技术》 1996年第2期1-3,共3页

本文较详细地介绍了3KD20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流I_(cm)=20A,最大耗散功率P_(cm)=250W,C-E结反向击穿电压V_[(BR)(ceo)]≥900V,C-B结反向击穿电压V_[(BR)(cbo)]≥1200V,属国内首创,技术... 本文较详细地介绍了3KD20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流I_(cm)=20A,最大耗散功率P_(cm)=250W,C-E结反向击穿电压V_[(BR)(ceo)]≥900V,C-B结反向击穿电压V_[(BR)(cbo)]≥1200V,属国内首创,技术性能指标基本达到国际同类军用产品水平。 展开更多

关键词 高反压 大功率 晶体管 半绝缘多晶硅

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行输出管工艺特性的研究

4

作者 程顺 《电子工艺技术》 1992年第5期24-26,39,共4页

行输出管是电视机输出电路中的重要元件,它的好坏直接影响着电视机的质量。分析了行管的高反压工艺特性、激励条件及其最佳选择等。

关键词 行输出管 高反压 激励 损耗 电视机

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高反压下喷嘴雾化特性的理论探讨

5

作者 金如山 何林 《燃气涡轮试验与研究》 1991年第2期25-32,58,共9页

本文对高反压下正压力指数的喷嘴雾化特性的可能原因进行了探讨。试验技术上采有稿压封闭容器，引起小液滴回流会造成液雾测量畸变。从机理上，本文提出两个因素：对空气雾化喷嘴，由强紊流脉动与液滴簇的相互作用会引起不同尺寸液滴碰... 本文对高反压下正压力指数的喷嘴雾化特性的可能原因进行了探讨。试验技术上采有稿压封闭容器，引起小液滴回流会造成液雾测量畸变。从机理上，本文提出两个因素：对空气雾化喷嘴，由强紊流脉动与液滴簇的相互作用会引起不同尺寸液滴碰撞而凝聚，对压力雾化喷嘴，可能出现由于高反压下液体微团速度迅速衰减而使气动作用力小于低反压下的气动作用力。本文详细分析了后一情况。证明通常文献及收中所述“高反压下促进雾化的气动作用增大”的论点，并不完全正确。 展开更多

关键词 燃烧 燃油雾化 高反压 气动力学 喷嘴雾化 测量畸变

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背投彩电易损坏元器件及新型元器件代换注意事项(下)

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作者 王功进 王永琦 《家电检修技术》 2005年第11S期56-58,共3页

四、大功率、高反压晶体管和带阻尼行输出管 在背投影彩色电视机中，大功率、高反压晶体管和带阻尼行输出管主要应用于场扫描和行扫描输出电路中。一般认为，行输出级电路所消耗的功率约占整机总功率的60％～70％，其耐压也是最高的。... 四、大功率、高反压晶体管和带阻尼行输出管 在背投影彩色电视机中，大功率、高反压晶体管和带阻尼行输出管主要应用于场扫描和行扫描输出电路中。一般认为，行输出级电路所消耗的功率约占整机总功率的60％～70％，其耐压也是最高的。行输出级的供电电压一般在115-200V，行输出管电流也较高，形成的逆程脉冲高达1000V以上，所以必须用专用的行输出管，或高反压大功率管。 展开更多

关键词 元器件代换 背投彩电 行扫描输出电路 背投影彩色电视机 行输出管 损坏 行输出级 总功率 高反压

原文传递

0～1KV可调耐压测试仪

7

作者 宋嘉鸿 《电子制作》 2005年第10期47-48,共2页

本文向读者介绍一种0～1KV可调耐压测试仪。采用高压稳压源结构，具有线路简单、测量方便、制作容易等特点。并且它有以下三个好处：（1）省去了以往用恒流源测试方法所需价格昂贵的高反压恒流管；（2）解决了负阻特性的元器件测量。扩... 本文向读者介绍一种0～1KV可调耐压测试仪。采用高压稳压源结构，具有线路简单、测量方便、制作容易等特点。并且它有以下三个好处：（1）省去了以往用恒流源测试方法所需价格昂贵的高反压恒流管；（2）解决了负阻特性的元器件测量。扩大了使用范围；（3）测量结果读数可保持。 展开更多

关键词 耐压测试仪 可调 测试方法 负阻特性 稳压源 测量 恒流管 高反压 恒流源

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行输出高反压晶体管的新工艺特性研究

8

作者 刘胜利 《电视技术》 北大核心 1991年第12期40-45,共6页

(1)高反压晶体管的结构与特性高反压晶体管与普通低压晶体管的根本区别,在于组成其结构的材料具有特殊的电阻。为了让高反压晶体管获得1000V或更高的击穿电压,在其集电极(N^+)和基极(P)之间插入一个称为Ⅰ层的低密度杂质层,见图1。图2... (1)高反压晶体管的结构与特性高反压晶体管与普通低压晶体管的根本区别,在于组成其结构的材料具有特殊的电阻。为了让高反压晶体管获得1000V或更高的击穿电压,在其集电极(N^+)和基极(P)之间插入一个称为Ⅰ层的低密度杂质层,见图1。图2给出了高反压晶体管的标准输出特性V_(CE)-I_C。图中包括5个区域:(A)深饱和区,(B)准饱和区,(C)放大区。 展开更多

关键词 高反压 晶体管 行输出 工艺

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高压PN结台面研磨损伤层的DLTS研究

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作者 田敬民 张德贤 《半导体杂志》 1990年第2期1-6,共6页

关键词 硅 高反压 台面 DLTS 损伤

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一种小型二极管泵浦固体激光测距仪的发射和接收电路 被引量：3

10

作者 王英 张敏明 邓国华 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期65-66,共2页

本文讨论了小型二极管泵浦固体激光测距仪系统的电路组成,重点研究了二极管激光驱动电源的结构和组成、雪崩光电二极管及放大电路的结构。本文研究的激光驱动器,在采用2W激光二极管作为泵浦源时,可以输出脉冲宽度200μs-2ms,峰值电流2... 本文讨论了小型二极管泵浦固体激光测距仪系统的电路组成,重点研究了二极管激光驱动电源的结构和组成、雪崩光电二极管及放大电路的结构。本文研究的激光驱动器,在采用2W激光二极管作为泵浦源时,可以输出脉冲宽度200μs-2ms,峰值电流2安的电流;雪崩光电二极管在195V偏压情况下,可以达到最佳接收效果。 展开更多

关键词 小型化 LD脉冲驱动 APD高反压产生

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硅/硅键合新方法的研究 被引量：1

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作者 刘玉岭 王新 +3 位作者 张文智 徐晓辉 张德臣 张志花 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期16-20,共5页

研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅／硅键合的一整套新技术（代替通用的亲水法）；实现了键合层无孔洞， 边沿键合率达９８％ 以上， 键合强度达２１５６ Ｐａ 以上， 并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质， 实现了应力补偿。

关键词 硅 锗 键合 应力补偿 高反压功率器件

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关于台面硅整流器件切割工艺新技术的研究

12

作者 王道强 方文杰 韩玖荣 《扬州职业大学学报》 2016年第2期53-55,共3页

本文发展了一种新的台面硅整流器件的切割方法,该制程工艺能有效消除传统的砂轮切割方式导致的玻璃钝化芯片出现的微裂纹缺陷,避免了传统工艺砂轮与硅片之间接触所造成的各种机械损伤以及暗伤隐患。按照该切割方法所制作的产品,其切割... 本文发展了一种新的台面硅整流器件的切割方法,该制程工艺能有效消除传统的砂轮切割方式导致的玻璃钝化芯片出现的微裂纹缺陷,避免了传统工艺砂轮与硅片之间接触所造成的各种机械损伤以及暗伤隐患。按照该切割方法所制作的产品,其切割面的不完整性与粗糙程度能有效降低。因此能提高该类半导体器件的性能,特别是提高了高反压器件的稳定性、可靠性和耐压强度。 展开更多

关键词 硅整流台面 高反压器件 切割方法

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平面高反压器件的两维数值模拟

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作者 邓蓓 包宗明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期155-160,共6页

本文报告了用有限差分法解两维泊松方程的方法分析带有场限制环的平面高反压器件的耐压性能的模拟程序。介绍了程序的算法及原理。程序是用FORTRAN语言编写,并在VAX11/750机上实现。文中还举例说明了利用此程序分析平面高反压器件所得... 本文报告了用有限差分法解两维泊松方程的方法分析带有场限制环的平面高反压器件的耐压性能的模拟程序。介绍了程序的算法及原理。程序是用FORTRAN语言编写,并在VAX11/750机上实现。文中还举例说明了利用此程序分析平面高反压器件所得到的新结果在器件的优化设计及实际生产中的重要意义。 展开更多

关键词 平面器件 高反压器件 数值模拟

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高反压管BV_(CBO)击穿特性发辉现象的机理分析与解决

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作者 倪振文 刘昆山 +1 位作者 沈洪远 何早红 《电子质量》 2000年第7期21-24,共4页

通过对某型高反压管ＢＶcbo 击穿特性发辉现象实验对比分析和物理机理的研究，找出了产生此现象的直接原因，进而对晶体管安全工作方面的实验和研究提出了解决发辉现象的措施及测试ＢＶcbo单结特性时应注意的问题。

关键词 击穿特性 高反压管 发辉现象 晶体管

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平面高反压器件的优化设计与工艺分析

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作者 邓蓓 包宗明 《应用科学学报》 CAS CSCD 1990年第1期91-94,共4页

本文用有限差分法解两维泊松方程,分析了在带有场限制环的平面高反压器件的制作中,硅表面不同的正电荷对最优环间距和击穿电压的影响及在掩膜间距不变的情况下击穿电压对衬底掺杂浓度和结深的灵敏性.这些结果对实际工艺生产有指导意义.

关键词 电压 高反压器件 优化 平面 硅

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高反压环境中空气雾化喷嘴的雾化性能

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作者 王兴甫 《航天出国考察技术报告》 1995年第2期98-103,共6页

关键词 喷嘴 雾化 空气雾化 高反压环境

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高反压晶体管的关键工艺——玻璃钝化

17

作者 韩春辉 孙学文 《黑龙江电子技术》 1996年第1期33-35,38,共3页

本文较详细地介绍了高反压晶体管玻璃钝化的生产工艺。该工艺操作简单、成本低,生产出的产品一致性好,可靠性高。

关键词 高反压晶体管 玻璃钝化 工艺

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扩Ga基区高反压晶体三极管V—1特性分析

18

作者 修显武 孙海波 +3 位作者 裴素华 杨利 周忠平 郭兴龙 《科学技术与工程》 2002年第5期32-35,共4页

从器件物理的角度,对杂质、掺杂方式不同,形成基区的高耐压晶体三极管I-V负阻效应随机性进行分析。结果认为,负阻摆幅的大小对小电流注入下放大性能的优劣产生直接影响,而对发射极-收集极间的真正击穿电压并无减小损失;进一步证明了在Si... 从器件物理的角度,对杂质、掺杂方式不同,形成基区的高耐压晶体三极管I-V负阻效应随机性进行分析。结果认为,负阻摆幅的大小对小电流注入下放大性能的优劣产生直接影响,而对发射极-收集极间的真正击穿电压并无减小损失;进一步证明了在SiO_2/Si系统中,开管扩Ga形成的晶体管,具有耐压高、漏电流小的特点。 展开更多

关键词 扩Ga基区 高反压晶体三极管 V-1特性 镓 负阻效应 击穿电压 电流放大系数 共基极直流电流放大系数

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国产123型内涂胶的应用研究

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作者 陈平 《微电子技术》 1995年第4期34-37,共4页

关键词 国产胶 硅橡胶 涂胶 硅氧烷聚合物 粘度 应用研究 介电常数 有机硅聚合物 高反压大功率管 电子器件

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几种特殊元器件的万用表检测法

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作者 胡永安 《家电维修（大众版）》 2005年第6期52-52,共1页

行输出管的种类较多，不同种类的行管其检测方法也各不相同，由于对带阻尼行管有耐高反压的要求，故在其b、e极之间接有一只保护电阻(阻值在40Ω左右)，同时c、e极之间还接有一只二极管，其内部接线图及等效电路如图1所示。判断这类管... 行输出管的种类较多，不同种类的行管其检测方法也各不相同，由于对带阻尼行管有耐高反压的要求，故在其b、e极之间接有一只保护电阻(阻值在40Ω左右)，同时c、e极之间还接有一只二极管，其内部接线图及等效电路如图1所示。判断这类管子的好坏可采用以下方法： 展开更多

关键词 检测法 万用表 元器件 行输出管 检测方法 保护电阻 等效电路 高反压 二极管 接线图 种类 行管

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