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题名一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析
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作者
高炜祺
刘虹宏
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机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
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出处
《空间电子技术》
2019年第2期79-82,共4页
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文摘
对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO_2中产生电子-空穴对,以及γ射线作用在SiO_2-Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。
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关键词
高压pmos器件
低剂量辐照
pmos版图
漏源击穿电压
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Keywords
High-voltage pmos
Low dose radiation
Layout of pmos
Drain-source breakdown voltage
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分类号
V474
[航空宇航科学与技术—飞行器设计]
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题名击穿18V的高压LDD PMOS器件的研制
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作者
王晓慧
杜寰
韩郑生
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机构
中国科学院微电子研究所
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2007年第7期72-75,共4页
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基金
国家重点基础研究发展计划项目(2003CB314705)
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文摘
从Synopsys TCAD的软件模拟出发,基于0.8μm标准CMOS工艺,通过重新设计高压N阱,以及优化器件LDD区域注入剂量,成功研制了栅长0.8μm击穿电压达到18V的LDD结构的高压PMOS器件,并实现了低高压工艺的兼容。研制的宽长比为18/0.8的PMOS器件截止电流在500pA以下,阈值电压为-1.5V,-10V栅压下饱和电流为-5.6mA,击穿电压为-19V。器件主要优点是关态漏电小,且器件尺寸不增加,不影响集成度,满足微显示像素驱动电路对高压器件的尺寸要求,另外与其他高压器件相比更容易实现,节约了成本。
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关键词
高压pmos器件
轻掺杂漏
击穿电压
器件模拟
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Keywords
high voltage pmos device
LDD
device simulation
breakdown voltage
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
TN453
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