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一种高工艺稳定性CMOS低功耗亚阈带隙基准 被引量：3
1
作者 陆建恩 刘锡锋 +1 位作者 王津飞 居水荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第11期840-845,869,共7页
基于CSMC 0.18μm BCD工艺,在传统亚阈带隙基准(BGR)的基础上进行了改进,设计了一款新型亚阈BGR。利用BCD工艺中普通MOSFET和高压MOSFET的特性差异,使器件工作在亚阈状态,产生亚阈电流。通过特定设计使该电流对电源变化和工艺变化不敏感... 基于CSMC 0.18μm BCD工艺,在传统亚阈带隙基准(BGR)的基础上进行了改进,设计了一款新型亚阈BGR。利用BCD工艺中普通MOSFET和高压MOSFET的特性差异,使器件工作在亚阈状态,产生亚阈电流。通过特定设计使该电流对电源变化和工艺变化不敏感,在各个工艺角下均能稳定产生亚阈电流。再利用亚阈电流产生多级正温度系数(PTAT)电压,结合负温度系数(CTAT)电压加权后,获得零温度系数电压。该设计具有亚阈带隙的低功耗特性。经过多项目晶圆流片后,测试结果表明该芯片在室温下输出基准电压约为0.9 V,工作电流约为5μA,线性调整率为0.019%/V;在-40~125℃内,温度系数达到3.97×10-5/℃。芯片面积为94μm×85μm。 展开更多
关键词 带隙基准(BGR) 亚阈电流 低功耗 高压mosfet 温度系数
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高压场效应管纳秒级双快沿脉冲源研究 被引量：3
2
作者 王欣 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期255-257,331,共4页
简要介绍了一种基于高压场效应管(MOSFET)的纳秒级双快沿脉冲源的原理。着重从脉冲源快前沿与快后沿成形机理、高压MOSFET多管级联以及提高MOSFET输出脉冲开关速度的"过"驱动理论等几方面出发,分析了提高脉冲源输出特性的方... 简要介绍了一种基于高压场效应管(MOSFET)的纳秒级双快沿脉冲源的原理。着重从脉冲源快前沿与快后沿成形机理、高压MOSFET多管级联以及提高MOSFET输出脉冲开关速度的"过"驱动理论等几方面出发,分析了提高脉冲源输出特性的方法并通过实验验证,实验中确定由高压雪崩管及脉冲变压器组成的特殊大电流"过"驱动电路,产生了幅度大于4kV、前后沿均小于5ns的高压快脉冲。 展开更多
关键词 高压mosfet 纳秒级 “过”驱动 双快沿
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基于TOPSwitchⅡ的开关电源设计 被引量：6
3
作者 黄海宏 王海欣 《现代电子技术》 2006年第4期16-18,共3页
TOPSwitchⅡ系列芯片是PowerIntegration公司生产的开关电源专用集成电路,他将脉宽调制电路与高压MOSFET开关管及驱动电路等集成在一起,具备完善的保护功能。使用该芯片设计的小功率开关电源,可大大减少外围电路,降低成本,提高可靠性。... TOPSwitchⅡ系列芯片是PowerIntegration公司生产的开关电源专用集成电路,他将脉宽调制电路与高压MOSFET开关管及驱动电路等集成在一起,具备完善的保护功能。使用该芯片设计的小功率开关电源,可大大减少外围电路,降低成本,提高可靠性。介绍其内部结构和工作原理,给出几种应用于反激式功率变换电路的典型用法,并给出一种反激式开关电源的实用电路。 展开更多
关键词 开关电源 TOPSwitchⅡ 反激 高压mosfet开关管
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一种900V大功率MOSFET的工艺仿真设计 被引量：2
4
作者 刘好龙 周博 《微处理机》 2021年第2期14-17,共4页
高压功率MOSFET器件由于其在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点应用十分广泛,是武器装备体系中不可或缺的关键基础元器件。以一款900 V大功率MOSFET器件为例,为分析其VDMOS基本结构、工作原理和主要参数,利用工艺仿真软件Silvac... 高压功率MOSFET器件由于其在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点应用十分广泛,是武器装备体系中不可或缺的关键基础元器件。以一款900 V大功率MOSFET器件为例,为分析其VDMOS基本结构、工作原理和主要参数,利用工艺仿真软件Silvaco和Synopsys设计一套仿真实验,对外延层材料选取、氧化和注入等重要工艺过程优化、掺杂区工艺条件确定,以及对器件的电学特性如击穿电压、阈值电压、器件输出特性等进行仿真,为相关产品的研制提供参考和保障。经实际流片及末测验证,该仿真设计能够实现预期目标。 展开更多
关键词 高压mosfet器件 VDMOS器件 半导体工艺 Silvaco仿真 Synopsys仿真
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一种900V大功率MOSFET器件结构设计 被引量：1
5
作者 刘好龙 于圣武 《微处理机》 2021年第3期18-22,共5页
鉴于高压功率MOSFET器件在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点,为进一步挖掘其在武器装备体系中的关键性作用、更好地发挥其为电子及电机设备提供驱动的功能,设计并实现一款900V大功率MOSFET器件。以VDMOS器件为例分析其基本结... 鉴于高压功率MOSFET器件在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点,为进一步挖掘其在武器装备体系中的关键性作用、更好地发挥其为电子及电机设备提供驱动的功能,设计并实现一款900V大功率MOSFET器件。以VDMOS器件为例分析其基本结构、工作原理和主要参数,通过理论计算制定产品的外延层及栅氧等相关工艺参数,并对元胞尺寸进行了优化设计。终端结构采用场限环与场板相结合的技术,并进行模拟仿真。仿真结果符合预期,并依此给出最终设计版图。 展开更多
关键词 高压mosfet器件 VDMOS结构 外延层 TCAD仿真
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英飞凌提供电源管理和解决方案
6
《电子世界》 2003年第5期81-81,共1页
关键词 英飞凌公司 电源管理 解决方案 高压mosfet 绝缘栅双极晶体管
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INFINEON:创新明天的电源
7
《今日电子》 2003年第4期64-64,共1页
关键词 INFINEON公司 电源 绝缘栅双极晶体管 高压mosfet
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驱动高压浮动MOSFET的自举电容设计 被引量：6
8
作者 刘桂英 成叶琴 周琴 《上海电机学院学报》 2009年第3期190-193,共4页
介绍高压浮动MOSFET自举驱动电路的工作原理和高压驱动芯片的内部原理;讨论影响自举电容设计的各种因素,并给出自举电容的计算公式。通过实例,以测试波形来证明设计结果的准确性,表明其具有实际应用价值。
关键词 自举电路 驱动芯片 高压浮动mosfet
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高压损耗型MOSFET
9
《电子元器件应用》 2002年第1期64-64,共1页
关键词 金属氧化物 晶体管 高压损耗型mosfet
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