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高压功率LDMOS阈值电压温度系数的分析
被引量：
1
1
作者
孟坚
陈军宁
+3 位作者
柯导明
孙伟锋
时龙兴
王钦
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期158-162,共5页
分析了高压LDMOS在-27℃至300℃温度范围内的温度特性,并给出了阈值电压温度系数的计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:高压LDMOS的阈值电压温度系数在相当宽的温区内是一常数;可用温度的线性表达式来计算阈值电压温度系数;薄栅氧...
分析了高压LDMOS在-27℃至300℃温度范围内的温度特性,并给出了阈值电压温度系数的计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:高压LDMOS的阈值电压温度系数在相当宽的温区内是一常数;可用温度的线性表达式来计算阈值电压温度系数;薄栅氧化层和高沟道掺杂浓度可减小高压功率LDMOS的阈值电压温度系数.
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关键词
高温
高压
功率
ldmos
阈值电压温度系数
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职称材料
题名
高压功率LDMOS阈值电压温度系数的分析
被引量：
1
1
作者
孟坚
陈军宁
柯导明
孙伟锋
时龙兴
王钦
机构
安徽大学电子科学与技术学院
东南大学国家ASIC工程中心
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期158-162,共5页
基金
国家自然科学基金(60276042)
国家"863"计划(2003AA1Z1400)资助
文摘
分析了高压LDMOS在-27℃至300℃温度范围内的温度特性,并给出了阈值电压温度系数的计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:高压LDMOS的阈值电压温度系数在相当宽的温区内是一常数;可用温度的线性表达式来计算阈值电压温度系数;薄栅氧化层和高沟道掺杂浓度可减小高压功率LDMOS的阈值电压温度系数.
关键词
高温
高压
功率
ldmos
阈值电压温度系数
Keywords
high temperature
high voltage power
ldmos
threshold voltage＇s temperature coefficients
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高压功率LDMOS阈值电压温度系数的分析
孟坚
陈军宁
柯导明
孙伟锋
时龙兴
王钦
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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职称材料
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