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高介电常数La_(2)O_(3)材料的制备方法及其介电性能研究进展
1
作者 魏小茹 陈文杰 +1 位作者 王锋 朱胜利 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期33-37,共5页
在众多高介电常数栅介质材料中氧化镧(La_(2)O_(3))因带隙大、热稳定性良好等特点而具有代替传统SiO_(2)栅介质材料的潜力。介绍了La_(2)O_(3)薄膜的制备方法,综述了目前改善La_(2)O_(3)薄膜介电性能的方法并展望了其未来发展前景。
关键词 高介电常数介质材料 La_(2)O_(3) 电学特性 制备方法
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作为高介电常数栅介质材料的LaErO_3薄膜热稳定性和电学性质的研究 被引量：1
2
作者 张九如 殷江 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期147-152,共6页
采用脉冲激光淀积法在硅衬底上生长了LaErO3薄膜,用X射线衍射仪、X射线电子能谱仪、高分辨透射电子显微镜研究了该薄膜的热学和电学性质.通过电容-电压测量得到了较好的电容-电压曲线,计算得出等效SiO2厚度为1.4nm.通过高分辨电镜可以... 采用脉冲激光淀积法在硅衬底上生长了LaErO3薄膜,用X射线衍射仪、X射线电子能谱仪、高分辨透射电子显微镜研究了该薄膜的热学和电学性质.通过电容-电压测量得到了较好的电容-电压曲线,计算得出等效SiO2厚度为1.4nm.通过高分辨电镜可以看出即使经过700℃30sN2中快速热退火处理LaErO3薄膜与硅衬底之间的反应层也仅有几个原子层的厚度.X射线电子能谱分析得到非常少量的SiO2在沉积的过程中形成.测量的热学和电学性质表明LaErO3薄膜是高介电常数栅介质材料非常有前途的候选材料. 展开更多
关键词 高介电常数栅介质材料 脉冲激光淀积 薄膜
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