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硫钝化对GaAs MESFET饱和源漏电流影响的实验研究
1
作者
李晓光
王同祥
+1 位作者
李效白
杨瑞霞
《河北工业大学学报》
CAS
2004年第3期42-44,共3页
硫钝化对GaAsFET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导...
硫钝化对GaAsFET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导致饱和源漏电流下降的主要因素.对样品进行225℃退火可使饱和源漏电流恢复到钝化前的水平.
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关键词
硫钝化
场效应晶体管
饱和
源
漏电
流
施主缺陷
受主缺陷
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职称材料
题名
硫钝化对GaAs MESFET饱和源漏电流影响的实验研究
1
作者
李晓光
王同祥
李效白
杨瑞霞
机构
河北工业大学微电子技术与材料研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《河北工业大学学报》
CAS
2004年第3期42-44,共3页
基金
国家重点实验室基金资助项目(51432020101JW0701)
文摘
硫钝化对GaAsFET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导致饱和源漏电流下降的主要因素.对样品进行225℃退火可使饱和源漏电流恢复到钝化前的水平.
关键词
硫钝化
场效应晶体管
饱和
源
漏电
流
施主缺陷
受主缺陷
Keywords
sulfur passivation
FET
saturated drain-source current
donor-type defect
acceptor-type defect
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硫钝化对GaAs MESFET饱和源漏电流影响的实验研究
李晓光
王同祥
李效白
杨瑞霞
《河北工业大学学报》
CAS
2004
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