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题名清洗工艺对AlN单晶抛光片表面有机沾污的影响
被引量：1
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作者
徐世海
边子夫
高飞
张丽
程红娟
王健
李晖
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2021年第5期452-457,共6页
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文摘
研究了化学机械抛光(CMP)后AlN单晶片的清洗。将除蜡剂清洗法、RCA清洗法、食人鱼溶液清洗法以及丙酮和异丙醇(IPA)的混合溶液清洗法等进行组合,对抛光后的AlN单晶片表面进行超声清洗,并通过微分干涉显微镜、原子力显微镜(AFM)及光电子能谱仪(XPS)对清洗效果进行了表征,并分析了不同清洗方法对有机沾污的去除效果。实验结果表明,RCA清洗法清洗后晶片表面残留的有机沾污的含量最低,而食人鱼溶液清洗法可显著减小有机颗粒的尺寸,除蜡剂与丙酮和异丙醇的混合溶液对有机沾污的去除效果相近。优化的清洗工艺以丙酮和异丙醇的混合溶液作为初步清洗溶液,随后依次对晶片进行食人鱼溶液清洗和RCA清洗,应用此优化工艺清洗后的AlN单晶片表面颗粒较少,C—H键、C=O键和C—OH键的百分比分别为75.5%、20.4%和4.1%,表面粗糙度为0.069 2 nm。
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关键词
氮化铝(AlN)单晶
除蜡剂
食人鱼溶液清洗法
RCA清洗法
化学机械抛光(CMP)
有机沾污
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Keywords
AlN sin gle crystal
wax remover
piranha solution cleaning method
RCA cleaning method
chemical mechanical polishing(CMP)
organic contamination
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
TN304.23
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