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非线性负阻抗实现中P-N结电容效应的影响
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作者 张洲奇 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期105-110,共6页
在负阻抗的模拟实现中,由于所用集成运算放大器内部及外部分立元件二极管、三极管 P-N 结结电容的影响,往往使实现的负阻抗的伏安特性出现滞回现象。这在非线性负阻抗的模拟实现中,更为突出。该文以非线性负电感的模拟实现为例,对此现... 在负阻抗的模拟实现中,由于所用集成运算放大器内部及外部分立元件二极管、三极管 P-N 结结电容的影响,往往使实现的负阻抗的伏安特性出现滞回现象。这在非线性负阻抗的模拟实现中,更为突出。该文以非线性负电感的模拟实现为例,对此现象作了详细的分析。 展开更多
关键词 非线性阻抗 电子电路 电容效应
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