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非线性负阻抗实现中P-N结电容效应的影响
1
作者
张洲奇
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第4期105-110,共6页
在负阻抗的模拟实现中,由于所用集成运算放大器内部及外部分立元件二极管、三极管 P-N 结结电容的影响,往往使实现的负阻抗的伏安特性出现滞回现象。这在非线性负阻抗的模拟实现中,更为突出。该文以非线性负电感的模拟实现为例,对此现...
在负阻抗的模拟实现中,由于所用集成运算放大器内部及外部分立元件二极管、三极管 P-N 结结电容的影响,往往使实现的负阻抗的伏安特性出现滞回现象。这在非线性负阻抗的模拟实现中,更为突出。该文以非线性负电感的模拟实现为例,对此现象作了详细的分析。
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关键词
非线性
负
阻抗
电子电路
电容效应
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职称材料
题名
非线性负阻抗实现中P-N结电容效应的影响
1
作者
张洲奇
机构
西安电子科技大学检测与仪器仪表系
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第4期105-110,共6页
文摘
在负阻抗的模拟实现中,由于所用集成运算放大器内部及外部分立元件二极管、三极管 P-N 结结电容的影响,往往使实现的负阻抗的伏安特性出现滞回现象。这在非线性负阻抗的模拟实现中,更为突出。该文以非线性负电感的模拟实现为例,对此现象作了详细的分析。
关键词
非线性
负
阻抗
电子电路
电容效应
Keywords
hysteresis
memory-resistor
nonlinear negative impedance
分类号
TN710 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非线性负阻抗实现中P-N结电容效应的影响
张洲奇
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
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