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Paul阱中射频源倍频作用下囚禁离子运动特性 被引量：3
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作者 陈图淼 聂宗秀 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期51-54,共4页
基于以前的研究结果,采用函数级数展开法,研究了Paul阱中在非理想射频囚禁场作用下、考虑二次谐波φ=U-V1cosΩt-Vscos 2Ωt时囚禁离子运动特性,得到了单个囚禁离子运动Mathieu方程的解析解和z方向离子运动的特征频率(宏运动,微运动)随... 基于以前的研究结果,采用函数级数展开法,研究了Paul阱中在非理想射频囚禁场作用下、考虑二次谐波φ=U-V1cosΩt-Vscos 2Ωt时囚禁离子运动特性,得到了单个囚禁离子运动Mathieu方程的解析解和z方向离子运动的特征频率(宏运动,微运动)随倍频参数的变化规律。 展开更多
关键词 离子 运动特性 倍频效应 PAUL阱 非理想射频囚禁场
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