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ESD作用下晶闸管dV/dt触发导通规律研究
被引量：
2
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作者
杨洁
王彪
王平平
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2019年第4期512-517,共6页
针对电磁脉冲作用下晶闸管(silicon controlled rectifier,SCR)意外导通事故频发的问题,选择静电放电(electrostatic discharge,ESD)作为典型电磁脉冲源,对比分析了小电流SCR的ESD敏感度特性,确定了ESD作用下SCR的失效模式为门极电压作...
针对电磁脉冲作用下晶闸管(silicon controlled rectifier,SCR)意外导通事故频发的问题,选择静电放电(electrostatic discharge,ESD)作为典型电磁脉冲源,对比分析了小电流SCR的ESD敏感度特性,确定了ESD作用下SCR的失效模式为门极电压作用失效、阴阳极断路.采用理论和试验相结合的方法得出了SCR意外导通的开启时间仅与阳极电压和器件本身特性有关的结论,并进一步通过方波电磁脉冲注入的对比试验,揭示了ESD作用下SCR因dV/dt触发导通的开启时间只与ESD注入电压有关:注入电压越高,开启时间越短.
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关键词
晶闸管(SCR)
静电放电(ESD)
非正常
导
通
阳极电压变化率
失效模式
下载PDF
职称材料
题名
ESD作用下晶闸管dV/dt触发导通规律研究
被引量：
2
1
作者
杨洁
王彪
王平平
机构
陆军工程大学石家庄校区电磁环境效应国家级重点实验室
出处
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2019年第4期512-517,共6页
文摘
针对电磁脉冲作用下晶闸管(silicon controlled rectifier,SCR)意外导通事故频发的问题,选择静电放电(electrostatic discharge,ESD)作为典型电磁脉冲源,对比分析了小电流SCR的ESD敏感度特性,确定了ESD作用下SCR的失效模式为门极电压作用失效、阴阳极断路.采用理论和试验相结合的方法得出了SCR意外导通的开启时间仅与阳极电压和器件本身特性有关的结论,并进一步通过方波电磁脉冲注入的对比试验,揭示了ESD作用下SCR因dV/dt触发导通的开启时间只与ESD注入电压有关:注入电压越高,开启时间越短.
关键词
晶闸管(SCR)
静电放电(ESD)
非正常
导
通
阳极电压变化率
失效模式
Keywords
SCR
ESD
abnormally conducting
voltage variation rate with time at anode
failure mode
分类号
TN784 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
ESD作用下晶闸管dV/dt触发导通规律研究
杨洁
王彪
王平平
《电波科学学报》
EI
CSCD
北大核心
2019
2
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