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低温透明非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性 被引量：9
1
作者 李喜峰 信恩龙 +3 位作者 石继锋 陈龙龙 李春亚 张建华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期440-444,共5页
采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO),在相对低的温度(<200℃)下成功制备底栅a-IGZO薄膜晶体管器件,其场效应迁移率10cm-2·V-1·s-1,开关比大于107,亚阈值摆幅SS为0.4V/dec,阈值电压为3.6V.栅电压正向和负向扫... 采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO),在相对低的温度(<200℃)下成功制备底栅a-IGZO薄膜晶体管器件,其场效应迁移率10cm-2·V-1·s-1,开关比大于107,亚阈值摆幅SS为0.4V/dec,阈值电压为3.6V.栅电压正向和负向扫描未发现电滞现象.白光发光二极管光照对器件的输出特性基本没有影响,表明制备的器件可用于透明显示器件.研究了器件的光照稳定性,光照10000s后器件阈值电压负向偏移约0.8V,这种漂移是由于界面电荷束缚所致. 展开更多
关键词 非晶铟镓锌氧化合物 薄膜晶体管 光照稳定性 电滞现象
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