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题名掺钨氧化铟薄膜厚度对异质结电池性能的影响
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作者
贺海晏
郑佳毅
单伟
王仕鹏
黄海燕
陆川
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机构
浙江正泰太阳能科技有限公司
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出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第3期825-830,共6页
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文摘
研究工业化反应等离子体沉积(RPD)设备制备的掺钨氧化铟(IWO)薄膜的厚度变化对薄膜光电性能和非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)电池性能的影响。X200℃退火后具有良好的结晶性。通过控制IWO薄膜的沉积时间,制备IWO薄膜厚度递增的一系列8英寸SHJ电池样品。研究发现随着IWO膜平均厚度为82 nm时,SHJ电池转换效率最高达到21.87%,对异质结电池工业化生产具有指导意义。
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关键词
反应等离子体沉积
掺钨氧化铟薄膜
非晶硅/晶体硅异质结电池
工业化生产
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Keywords
reactive plasma deposition
tungsten-doped indium oxide thin films
amorphous silicon/crystalline silicon heterojunction solar cell
industrial produce
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分类号
TK514
[动力工程及工程热物理—热能工程]
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题名非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池结构设计研究
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作者
何玉平
袁贤
胡军平
李未
黄海宾
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机构
南昌工程学院理学院
南昌大学光伏研究院
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出处
《南昌工程学院学报》
CAS
2022年第6期97-101,共5页
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基金
江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ211925)。
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文摘
理论研究表明,高—低掺杂双层本征非晶硅膜作为发射极可提升非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池短波段光子QE,改善器件性能。本文优化了透明导电膜ITO(铟锡氧化物)工艺参数的Ar与Ar/O_(2)气体流量比,实验探索了两种结构的双层发射极非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池。结果表明:ITO最优Ar与Ar/O_(2)气体流量比为50∶40 sccm,载玻片电阻最低为60.2Ω;HWCVD法双层发射极非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池转换效率为本实验室同条件下电池最高,达到了11.2%。
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关键词
发射极
非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池
转换效率
IV曲线
量子效率
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Keywords
emitter
amorphous silicon/crystalline silicon heterojunction solar cells
conversion efficiency
IV curve
quantum efficiency
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分类号
O484
[理学—固体物理]
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