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高侧壁垂直度超浅铌酸锂光栅耦合器的加工工艺及耦合效率 被引量：1
1
作者 瞿敏妮 刘思琦 +4 位作者 刘民 李进喜 陈舒静 付学成 程秀兰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第1期131-136,共6页
利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之... 利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之和,且刻蚀过程中产生的开口效应仅存在于α-Si层。通过氢氧化钾(KOH)溶液选择性地去除α-Si层,留下的LN表面结构侧壁陡直且无开口展宽效应。制备了刻蚀深度108 nm的超浅光栅耦合器,在924 nm波长处,其耦合效率为23.3%。制备了刻蚀深度70 nm的超浅光栅耦合器,在935 nm波长处,其耦合效率为14.4%。该研究为LN光栅耦合器的发展与应用提供了有益指导。 展开更多
关键词 超浅光栅耦合器 高侧壁垂直度 聚焦离子束(FIB) 铌酸锂(LN) 非晶硅(α-si)
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热丝CVD法沉积超薄α-Si∶H钝化膜 被引量：1
2
作者 田罡煜 王涛 +6 位作者 黄海宾 孙喜莲 高超 岳之浩 袁吉仁 周耐根 周浪 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期376-381,386,共7页
采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10 nm的本征非晶硅(α-Si∶H)薄膜。利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H_2体积流量和热丝与衬底之间的距离对α-Si∶H薄膜结构和钝化效果的影响。结果表... 采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10 nm的本征非晶硅(α-Si∶H)薄膜。利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H_2体积流量和热丝与衬底之间的距离对α-Si∶H薄膜结构和钝化效果的影响。结果表明,热丝电流为21.5~23.5 A时,钝化后硅片的少子寿命随着热丝电流的增加呈现先增加后降低的趋势,热丝电流为23.0 A时,钝化效果最好;H_2体积流量为5~20 cm^3/min时,少子寿命随着H_2体积流量的增加呈现先增加后降低的规律,体积流量为15 cm^3/min时,钝化效果最好;热丝与衬底间距为4~5 cm时,随着间距的增加,薄膜的结构由晶化向非晶化转变,在间距为4.5 cm时硅片的钝化效果达到最优。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积(HWCVD) 介电常数 非晶硅(α-si:H)薄膜 钝化 带有 本征薄层的异质结(HIT)
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