超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性 被引量：6

1

作者 朱彦武 陈喜红 +5 位作者 陈耀锋 徐军 张洪洲 冯孙齐 俞大鹏 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期173-177,共5页

以液态金属Ga作为催化剂合成了大量的非晶SiO_2纳米线阵列。这些纳米线具有高度取向性,直径分布均匀,平均约8 nm,长度大于300μm。研究发现,载气的湿度对非晶SiO_2纳米线阵列的生长有重大影响,提出了一种可能的生长模型,以解释这一与传... 以液态金属Ga作为催化剂合成了大量的非晶SiO_2纳米线阵列。这些纳米线具有高度取向性,直径分布均匀,平均约8 nm,长度大于300μm。研究发现,载气的湿度对非晶SiO_2纳米线阵列的生长有重大影响,提出了一种可能的生长模型,以解释这一与传统的VLS机制不同的生长过程。对样品的光致荧光(PL)谱的测量表明,非晶SiO_2纳米线阵列在蓝光波段附近存在两个很强且稳定的发射峰,它们直接与样品中的缺陷和空位有关。首次发现了一个稳定的PL峰,存在于红外波段,作为光源,非晶SiO_2纳米线阵列可能会在纳米光电子器件中得到应用。由于SiO_2是传统的光纤材料,单根SiO_2纳米线也有希望应用于近场光学扫描显微镜(SNOM)之中。 展开更多

关键词 非晶氧化硅 纳米线阵列 光致荧光谱 扫描电镜分析 催化剂 取向性

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掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究 被引量：4

2

作者 梁建军 王永谦 +2 位作者 陈维德 王占国 常勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期1386-1389,共4页

采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜 (a SiOx∶H) ,离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光 .当材料中氧硅含量比约为 1和 1.76时 ,分别对应 77K和室温测量时最强的 1.5 4μm光致发光 .从 15到... 采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜 (a SiOx∶H) ,离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光 .当材料中氧硅含量比约为 1和 1.76时 ,分别对应 77K和室温测量时最强的 1.5 4μm光致发光 .从 15到 2 5 0K的变温实验显示出三个不同的强度与温度变化关系 ,表明氢化非晶氧化硅中铒离子的能量激发和发光是一个复杂的过程 .提出氢化非晶氧化硅薄膜中发光铒离子来自于富氧区 ,并对实验现象进行了解释 .氢化非晶氧化硅中铒发光的温度淬灭效应很弱 .从 15到 2 5 0K ,光致发光强度减弱约 1/ 2 . 展开更多

关键词 铒 光致发光 氧含量 非晶氧化硅 半导体

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非晶氧化硅薄膜带尾发光特性 被引量：2

3

作者 于威 戴万雷 +5 位作者 王新占 刘玉梅 郭少刚 郭亚萍 路万兵 傅广生 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期293-298,共6页

采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变CO2流量制备了不同氧含量的非晶氧化硅薄膜。利用紫外可见吸收谱、傅里叶红外吸收谱和稳态/瞬态光致发光谱等技术研究了薄膜的微观结构和光学特性。实验结果表明,随着氧含量的增加,薄膜的带... 采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变CO2流量制备了不同氧含量的非晶氧化硅薄膜。利用紫外可见吸收谱、傅里叶红外吸收谱和稳态/瞬态光致发光谱等技术研究了薄膜的微观结构和光学特性。实验结果表明,随着氧含量的增加,薄膜的带隙增大,光致发光强度增加、峰值朝高能方向移动、光谱半峰全宽展宽。时间分辨光谱显示薄膜发光峰值处的衰减时间随氧含量的增加从6.2ns单调增加到21ns,而同一样品的发光寿命随发射波长能量增加而减小。综合分析光学吸收、发射及发光衰减特性表明,薄膜的发光机制主要归结为非晶材料带尾态之间的辐射复合。 展开更多

关键词 光谱学 带尾态发光 光学吸收 时间分辨光谱 非晶氧化硅

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非晶SiO2团簇与单晶硅基底微观接触的分子动力学模拟

4

作者 陈爱莲 隆界龙 陈杨 《常州大学学报（自然科学版）》 CAS 2020年第5期1-7,共7页

通过分子动力学研究化学机械抛光过程中非晶SiO 2团簇与单晶硅的微观接触行为,采用Tersoff势函数模拟了SiO 2/Si之间的内部和表面交互作用。在考虑存在微观尺度黏着力及抛光垫的弹塑性变形的条件下,着重考察非晶SiO 2与单晶硅的微观接... 通过分子动力学研究化学机械抛光过程中非晶SiO 2团簇与单晶硅的微观接触行为,采用Tersoff势函数模拟了SiO 2/Si之间的内部和表面交互作用。在考虑存在微观尺度黏着力及抛光垫的弹塑性变形的条件下,着重考察非晶SiO 2与单晶硅的微观接触与黏着分离过程。通过分析所得载荷-深度关系曲线,表明SiO 2团簇与单晶硅基体之间的微观接触中存在弹塑性变形。采用配位数(CN)和径向分布函数(RDF)分析单晶硅基底的相变过程,解释Si-I→Si-III→BCT5→Si-II的相变路径。进一步发现,微观接触中的相变区域随接触深度的增加而变大,但因非晶SiO 2中氧原子的影响使得相变区域的界限不清晰,且相变原子β-Si的数量占优。 展开更多

关键词 分子动力学模拟 非晶氧化硅 单晶硅 相变 化学机械抛光

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反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究 被引量：7

5

作者 何乐年 徐进 王德苗 《真空》 CAS 北大核心 2001年第3期16-19,共4页

在氧气和氩气的混合气体中 ,在没有额外加热的条件下用反应射频 (RF)溅射硅靶制备了非晶氧化硅(a- Si O2 )薄膜 ,并测试分析了薄膜的结构和电特性与 O2 / Ar流量比的关系。当固定氩气流量 ,改变氧气流量时 ,薄膜沉积速率先急剧减少 ,再... 在氧气和氩气的混合气体中 ,在没有额外加热的条件下用反应射频 (RF)溅射硅靶制备了非晶氧化硅(a- Si O2 )薄膜 ,并测试分析了薄膜的结构和电特性与 O2 / Ar流量比的关系。当固定氩气流量 ,改变氧气流量时 ,薄膜沉积速率先急剧减少 ,再增大 ,然后又减少。当 O2 / Ar≥ 0 .0 75时 ,得到满足化学配比的氧化硅薄膜。并且 ,随着 O2 / Ar流量比的增大 ,薄膜的电阻、电场击穿强度都有所增大 ,而在 HF缓冲溶液 (BHF)中的腐蚀速率下降。所有的样品中无明显的 H- OH水分子的红外吸收峰。比较发现反应射频 (RF)磁控溅射法制备的a- Si O2 薄膜具有良好的致密性和绝缘性。 展开更多

关键词 反应RF磁控溅射 BHF腐蚀速度 电阻率 非晶氧化硅薄膜 制备 性能

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PECVD非晶SiO_x∶H薄膜的Si—O—Si键红外吸收特性研究 被引量：5

6

作者 何乐年 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第1期60-63,共4页

用傅里叶红外光谱 (FT -IR)测试分析了等离子体化学气相沉积法沉积的非晶SiOx∶H(0≤x≤ 2 0 )薄膜中的Si—O—Si伸缩振动模与氧含量x的关系。Si—O—Si伸缩振动模在 10 0 0和 115 0cm-1有两个吸收峰。 10 0 0和 115 0cm-1吸收带的积... 用傅里叶红外光谱 (FT -IR)测试分析了等离子体化学气相沉积法沉积的非晶SiOx∶H(0≤x≤ 2 0 )薄膜中的Si—O—Si伸缩振动模与氧含量x的关系。Si—O—Si伸缩振动模在 10 0 0和 115 0cm-1有两个吸收峰。 10 0 0和 115 0cm-1吸收带的积分吸收强度之和Isum与薄膜中的Si原子密度NSi之比Isum/NSi,在x =0～ 2 0范围内与x成正比。求得比例系数ASiO(Si—O—Si谐振子强度的倒数 )为 1 48× 10 19cm-1。用此比例系数可快速简便地用FT IR求出膜中的氧含量。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相沉积 红外吸收光谱 非晶氧化硅薄膜 硅氧键

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α-SiO_x∶H钝化Cz-Si表面的工艺优化与机制分析 被引量：4

7

作者 黄海宾 张东华 +4 位作者 汪已琳 龚洪勇 高江 Wolfgang R.Fahrner 周浪 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期101-103,共3页

氢化非晶氧化硅(α-SiOx∶H)是一种优质的硅片表面钝化材料。采用PECVD法,以SiH4、CO2和H2作为气源制备α-SiOx∶H薄膜钝化Cz-Si表面,研究了沉积气压和CO2∶SiH4流量比对钝化效果的影响规律及作用机制。采用准稳态光电导法测试了硅片的... 氢化非晶氧化硅(α-SiOx∶H)是一种优质的硅片表面钝化材料。采用PECVD法,以SiH4、CO2和H2作为气源制备α-SiOx∶H薄膜钝化Cz-Si表面,研究了沉积气压和CO2∶SiH4流量比对钝化效果的影响规律及作用机制。采用准稳态光电导法测试了硅片的有效少子寿命并依此计算出其表面复合速率以对薄膜的钝化效果进行定量表征,采用光谱型椭偏仪测试了样品的介电常数虚部ε2谱对样品微观结构进行了定性分析。结果表明,(1)在所研究范围内,氧掺入非晶硅薄膜使得薄膜结构趋向非晶化,沉积气压主要对薄膜中的空位浓度造成影响,而CO2/SiH4流量比的增加可增加薄膜中的H含量并改变了硅氢键的结构,从而影响薄膜的钝化效果;(2)在CO2/SiH4流量比为3.0/3.0mL/min,沉积气压为22Pa条件下获得了最优钝化效果,钝化后硅片有效少子寿命为975μs,表面复合速率为3.9cm/s。 展开更多

关键词 氢化非晶氧化硅 PECVD 硅片表面钝化 空位浓度 氢含量

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等离子体化学气相沉积非晶SiO_x∶H(0≤x≤2.0)薄膜的红外光谱 被引量：2

8

作者 何乐年 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期587-593,共7页

以等离子体化学气相沉积法 (PECVD)在 30 0℃下用 Si H4和 O2 混合气体制备了非晶 Si Ox∶ H(a- Si Ox∶ H,0≤ x≤ 2 .0 )薄膜 ,并用傅里叶红外光谱 (FT- IR)测试分析了薄膜中的 Si— O— Si键红外吸收特性 .Si— O— Si伸缩振动模在 1... 以等离子体化学气相沉积法 (PECVD)在 30 0℃下用 Si H4和 O2 混合气体制备了非晶 Si Ox∶ H(a- Si Ox∶ H,0≤ x≤ 2 .0 )薄膜 ,并用傅里叶红外光谱 (FT- IR)测试分析了薄膜中的 Si— O— Si键红外吸收特性 .Si— O— Si伸缩振动模在 10 5 0 cm- 1和 115 0 cm- 1附近有两个吸收峰 ,而弯曲振动模在 80 0 cm- 1附近有一个吸收峰 . 10 5 0 cm- 1和115 0 cm- 1 吸收带的吸收强度之和 Isum与薄膜中的 Si原子密度 NSi之比 Isum/ NSi在氧含量 x =0— 2 .0的范围内和 x成正比 .求得氧含量比例系数 ASi O (Si— O谐振子强度的倒数 )为 1.48× 10 1 9cm- 1 .另外 ,a- Si O2 薄膜的 80 0 cm- 1和 10 5 0 cm- 1 吸收峰的表观吸收系数αapp和膜厚 d成正比 :αapp=kd,求得吸收比例系数 k分别为 3.2× 10 3和 2 .9×10 4cm- 1 .比较发现 k值的大小和 a- Si O2 薄膜的致密性密切相关 .利用上述 ASi O和 k比例系数 ,可快速简便地用非破坏性的 FT- IR测定 PECVD a- Si Ox∶ H的氧含量 x以及 a- Si O2 的膜厚 d. 展开更多

关键词 非晶氧化硅薄膜 红外吸收光谱 等离子体化学气相沉积

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MoO_3/Si界面区钼掺杂非晶氧化硅层形成的第一性原理研究 被引量：1

9

作者 陈东运 高明 +3 位作者 李拥华 徐飞 赵磊 马忠权 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期57-63,共7页

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,通过模拟MoO_3/Si界面反应,研究了MoO_x薄膜沉积中原子、分子的吸附、扩散和成核过程,从原子尺度阐明了缓冲层钼掺杂非晶氧化硅(a-SiO_x(Mo))物质的形成和机理.结果表明,在1500 K温度下, MoO_... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,通过模拟MoO_3/Si界面反应,研究了MoO_x薄膜沉积中原子、分子的吸附、扩散和成核过程,从原子尺度阐明了缓冲层钼掺杂非晶氧化硅(a-SiO_x(Mo))物质的形成和机理.结果表明,在1500 K温度下, MoO_3/Si界面区由Mo, O, Si三种原子混合,可形成新的稳定的物相.热蒸发沉积初始时, MoO_3中的两个O原子和Si成键更加稳定,同时伴随着电子从Si到O的转移,钝化了硅表面的悬挂键. MoO_3中氧空位的形成能小于SiO_2中氧空位的形成能,使得O原子容易从MoO_3中迁移至Si衬底一侧,从而形成氧化硅层;替位缺陷中, Si替位MoO_3中的Mo的形成能远远大于Mo替位SiO_2中的Si的形成能,使得Mo容易掺杂进入氧化硅中.因此,在晶硅(100)面上沉积MoO_3薄膜时, MoO_3中的O原子先与Si成键,形成氧化硅层,随后部分Mo原子替位氧化硅中的Si原子,最终形成含有钼掺杂的非晶氧化硅层. 展开更多

关键词 第一性原理 MoO3/Si界面反应 钼掺杂非晶氧化硅 形成能

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气体流量对氢化非晶氧化硅(a-SiO_x∶H)钝化性能影响 被引量：1

10

作者 何玉平 袁贤 +1 位作者 刘宁 黄海宾 《南昌工程学院学报》 CAS 2018年第4期53-56,90,共5页

本征钝化层是非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的核心技术之一,以n型直拉单晶硅片(n-Cz-Si)为衬底采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)沉积氢化非晶氧化硅(a-SiO_x∶H),研究气体流量对其钝化性能的影响。结果表明,CO_2,H_2,SiH_4流量均能显著的影... 本征钝化层是非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的核心技术之一,以n型直拉单晶硅片(n-Cz-Si)为衬底采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)沉积氢化非晶氧化硅(a-SiO_x∶H),研究气体流量对其钝化性能的影响。结果表明,CO_2,H_2,SiH_4流量均能显著的影响a-SiO_x∶H钝化性能,最优钝化效果CO_2,H_2,SiH_4流量分别为0.3 sccm,16sccm,10 sccm,双面沉积a-SiO_x∶H后硅片的少子寿命达到了466 s(注入浓度取1×10 cm^(-3))。 展开更多

关键词 气体流量 氢化非晶氧化硅(a-SiOx∶H) HWCVD 少子寿命 椭偏

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X射线衍射分析非晶二氧化硅结构及其物化性质的研究 被引量：20

11

作者 王国光 水淼 岳林海 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第10期991-996,共6页

研究用不同水玻璃浓度合成的4个非晶沉淀二氧化硅样品的物化性质、近红外、热重差热行为。并用X射线衍射手段分析了非晶二氧化硅的结构参数,结果表明样品的短程有序范围在5～6个原子距离。最近邻配位数与最近邻原子距离的变化与样品的... 研究用不同水玻璃浓度合成的4个非晶沉淀二氧化硅样品的物化性质、近红外、热重差热行为。并用X射线衍射手段分析了非晶二氧化硅的结构参数,结果表明样品的短程有序范围在5～6个原子距离。最近邻配位数与最近邻原子距离的变化与样品的吸油值相一致,一定程度上反映了样品结构的紧密程度。 展开更多

关键词 X射线衍射分析 非晶二氧化硅 结构 非晶结构参数 XRD 热重-差热 近红外光谱

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基于分子动力学模拟的α-SiO_(2)纳米颗粒油-水界面吸附行为研究

12

作者 文涛涛 李玉秀 +3 位作者 谢驰 孔令辉 郑丹菁 郑佳杰 《材料研究与应用》 CAS 2024年第5期809-818,共10页

纳米颗粒相界面吸附与自组装被广泛应用于石油采收、泡沫浮选、药物输送及新型功能材料等研究领域。然而,由于溶剂化力、静电斥力等多种相互作用所导致的吸附势垒,纳米颗粒自发吸附至界面的过程受到阻碍。基于分子动力学方法研究了α-Si... 纳米颗粒相界面吸附与自组装被广泛应用于石油采收、泡沫浮选、药物输送及新型功能材料等研究领域。然而,由于溶剂化力、静电斥力等多种相互作用所导致的吸附势垒,纳米颗粒自发吸附至界面的过程受到阻碍。基于分子动力学方法研究了α-SiO_(2)纳米颗粒相界面吸附动力学特征,深入分析了水化层结构及离子浓度对颗粒吸附行为的影响。首先,通过修饰表面基团获取了不同亲疏水性α-SiO_(2)纳米颗粒的吸附特征:纳米颗粒自发扩散至亚界面后会经历弛豫吸附至界面、快速吸附以及在界面区域经历一段弛豫后达到动态平衡三个过程。随后,从径向分布函数、角度分布、氢键密度分布等对纳米颗粒水化层结构以及氢键结构和进行了量化和比较,通过水化层内水分子驻留自相关函数以及氢键寿命分析了水化层结构及氢键结构的动力学特性。结果表明:水化层结构依赖于所作用颗粒的表面特性,与亲水表面相比,水分子在疏水表面具有明显的择优取向和更强的流动性;表面-水间氢键相互作用和水化层内特殊氢键结构是影响颗粒吸附的重要原因;不同离子效应可以通过共同作用干扰氢键结构以促进纳米颗粒相界面吸附。本研究为理解纳米颗粒相界面吸附动力学特性以及吸附壁垒形成机制提供参考,对于纳米颗粒相界面可控吸附在石油采收、新型功能材料等应用领域具有指导意义。 展开更多

关键词 分子动力学 非晶二氧化硅 改性纳米颗粒 油水界面 相界面吸附 氢键寿命 氢键相互作用 水化层

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DV-X_a计算a-SiO_2电子结构

13

作者 蔡军 汪克林 +1 位作者 夏上达 徐叙瑢 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第7期1121-1128,共8页

利用离散变分X_(?)(DV-X(?))的方法,非经验地计算非晶二氧化硅(a-SiO_2)电子结构,得到了与实验值较一致的结果,并研究a-SiO_2体结构畸变对a-SiO_2电子结构的影响.

关键词 非晶二氧化硅 电子结构

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不同硅源对水热合成Zn_2SiO_4:Mn荧光材料形貌及性能的影响

14

作者 许海艇 徐光青 +1 位作者 郑治祥 吴玉程 《过程工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期509-513,共5页

分别以晶态和非晶态SiO2为硅源,在高压釜中采用水热法合成Zn2SiO4:Mn荧光粉,并对其晶体结构、形貌、光吸收及光致发光性能进行表征.结果表明,在220℃下反应6d,以晶态SiO2合成的Zn2SiO4:Mn纳米颗粒呈六棱柱状,具有单晶结构,颗粒长约5～8... 分别以晶态和非晶态SiO2为硅源,在高压釜中采用水热法合成Zn2SiO4:Mn荧光粉,并对其晶体结构、形貌、光吸收及光致发光性能进行表征.结果表明,在220℃下反应6d,以晶态SiO2合成的Zn2SiO4:Mn纳米颗粒呈六棱柱状,具有单晶结构,颗粒长约5～8μm,平均直径约1μm;以非晶SiO2合成的Zn2SiO4:Mn纳米颗粒呈多晶结构,平均长约500nm,平均直径约100nm.2种硅源所制样品在250nm以下的紫外光区具有强吸收,且非晶SiO2所制样品在250～350nm具有良好的紫外光吸收能力.以不同硅源低温制备的Zn2SiO4:Mn样品在波长215和250nm的紫外光激发下均能产生520nm的绿色荧光,且在相同反应时间下非晶硅源制备的样品发光较强. 展开更多

关键词 Zn2SiO4:Mn 水热合成 光致发光 晶态氧化硅 非晶态氧化硅

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发光材料

15

《中国光学》 EI CAS 1999年第3期86-87,共2页

O482.31 99032000电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率=Highfieldelectron transport of amorphous SiO₂ asaccelerating layer in the layered optimizationTFEL[刊,中]/娄志东,徐春祥,于磊,滕枫。

关键词 薄膜电致发光 灯用荧光粉 加速层 物理学报 非晶二氧化硅 电子管 彩色等离子体显示器 负阻现象 发光材料 迁移率

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复合电子发光薄膜中非晶二氧化硅层的电流密度计算

16

作者 邝向军 《绵阳经济技术高等专科学校学报》 2001年第3期32-34,共3页

给出了一个用来计算复合电子发光薄膜中非晶二氧化硅层的电流密度的动力学模型 ,利用此模型和蒙特卡洛模拟 ,可以得到电子在不同的电场下通过非晶二氧化硅层时所需要的时间 ,然后给出了一些参数的经验值 ,计算得到了与实验基本相一致的... 给出了一个用来计算复合电子发光薄膜中非晶二氧化硅层的电流密度的动力学模型 ,利用此模型和蒙特卡洛模拟 ,可以得到电子在不同的电场下通过非晶二氧化硅层时所需要的时间 ,然后给出了一些参数的经验值 ,计算得到了与实验基本相一致的理论结果。 展开更多

关键词 复合电子发光薄膜 非晶二氧化硅 电流密度

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非晶二氧化硅粉剂防治杂拟谷盗和谷象的效力

17

作者 Aldr.,YN 一夫 《江西粮油科技》 1993年第2期35-39,共5页

关键词 非晶二氧化硅 杂拟谷盗 谷象 药效

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专利摘要

18

作者 向青春 《铸造》 CAS 北大核心 2019年第2期225-226,共2页

190201铸造有色金属包括轻金属的方法及铸型[欧洲]US201715692911,2017.08.31,Jens Muller;Diether Koch;Marcus Frohn;Jorg Korschgen[德国]本发明涉及用于生产金属铸造用铸型的造型材料混合物,一种生产铸型的方法,通过该方法获得的铸... 190201铸造有色金属包括轻金属的方法及铸型[欧洲]US201715692911,2017.08.31,Jens Muller;Diether Koch;Marcus Frohn;Jorg Korschgen[德国]本发明涉及用于生产金属铸造用铸型的造型材料混合物,一种生产铸型的方法,通过该方法获得的铸型以及所生产铸型的应用。本发明使用耐火造型原材料和基于水玻璃的粘结剂来制造铸型。将一定比例的选自二氧化硅、 展开更多

关键词 死粘土 熔模铸造 铸造废砂 混合金属氧化物 活性粘土 陶瓷芯 发明方法 非晶二氧化硅 浆料罐

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Au/Bi共掺二氧化硅薄膜的制备及近红外光谱调控

19

作者 陈若望 汪鹏君 +3 位作者 张晓伟 张跃军 张会红 束俊鹏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期623-629,共7页

根据X射线光电子能谱分析和选择性光致发光谱测试结果,探讨了Bi离子掺杂非晶二氧化硅薄膜的近红外发光来源。我们认为非晶二氧化硅薄膜中Bi离子的近红外发光来源于低价态Bi^+离子从轨道~3P_1层到~3P_0层的辐射复合跃迁和Bi^0从轨道~2D_(... 根据X射线光电子能谱分析和选择性光致发光谱测试结果,探讨了Bi离子掺杂非晶二氧化硅薄膜的近红外发光来源。我们认为非晶二氧化硅薄膜中Bi离子的近红外发光来源于低价态Bi^+离子从轨道~3P_1层到~3P_0层的辐射复合跃迁和Bi^0从轨道~2D_(3/2)层到~4S_(3/2)层的辐射复合跃迁。此外,本文利用限制性晶化原理,通过在掺Bi二氧化硅薄膜中引入Au离子,实现了Bi离子相关的近红外发光峰位可调,荧光强度增大了300%。高分辨透射电子显微镜截面图片证实了非晶二氧化硅薄膜厚度约为90 nm以及不同尺寸、数密度Au量子点的形成。变温光致发光谱测试结果表明,部分Au离子可有效降低Bi离子掺杂非晶二氧化硅薄膜中羟基集团等非辐射复合中心密度。Bi离子掺杂非晶二氧化硅薄膜近红外发光来源的探讨以及通过Au量子点调控Bi离子近红外发光性质的讨论将有助于未来掺Bi发光材料的相关研究。 展开更多

关键词 非晶二氧化硅 溶胶凝胶 薄膜 光致发光

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一水硬铝石-高岭石型铝土矿焙烧脱硅热力学机理研究 被引量：19

20

作者 罗琳 刘永康 何伯泉 《有色金属》 CSCD 1999年第1期25-30,共6页

本文针对山西一水硬铝石－高岭石型高硅低品位铝土矿，应用差热、热重、红外光谱，高温X射线衍射在线分析等多种现代仪器分析研究了其焙烧热力学过程，得出了矿石中铝、硅、钛、铁、钙等主矿物在焙烧过程中物相变化规律。首次揭示了非晶... 本文针对山西一水硬铝石－高岭石型高硅低品位铝土矿，应用差热、热重、红外光谱，高温X射线衍射在线分析等多种现代仪器分析研究了其焙烧热力学过程，得出了矿石中铝、硅、钛、铁、钙等主矿物在焙烧过程中物相变化规律。首次揭示了非晶态SiO2及非晶态Al－Si尖晶石的形成是焙烧脱硅工艺的实质所在。 展开更多

关键词 高岭石型 铝土矿 焙浇脱硅 非晶态二氧化硅

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