-
题名等离子体气相沉积非晶SiO_2薄膜的特性研究
被引量：17
- 1
-
-
作者
何乐年
-
机构
浙江大学信息与电子工程学系
-
出处
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2000年第4期247-251,共5页
-
基金
教育部留学回国人员基金资助项目
浙江大学曹光彪高科技发展基金资助项目
-
文摘
用傅立叶红外吸收光谱 ,电子自旋共振 ,表面台阶仪等研究了等离子体增强化学气相沉积法制备的非晶SiO2 薄膜的特性与膜厚的关系。当膜厚从 0 1 μm递增到 1 1 μm时 ,1 0 60cm- 1 附近的Si—O—Si伸缩振动吸收峰从 1 0 50cm- 1 漂移到1 0 75cm- 1 ,但是 80 0cm- 1 处的Si—O—Si弯曲振动吸收峰不随膜厚变化而变化。通过比较 ,由于多重反射而引起的Si—O—Si伸缩振动吸收峰漂移的理论计算值 ,认为本研究中的Si—O—Si伸缩振动吸收峰的漂移不仅是由于多重反射效应 ,而且更主要是由于薄膜的物理性能随膜厚增加而发生了变化。Si悬挂键密度。
-
关键词
PECVD
非晶二氧化硅薄膜
制备
性质
-
Keywords
PECVD,Amorphous SiO_2 films,Infrared absorption spectroscopy,Si dangling bonds,Stress
-
分类号
O613.72
[理学—无机化学]
O484
[理学—化学]
-
