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GaAs PHEMT材料中2DEG浓度的控制与测试研究
被引量：
1
1
作者
吕晶
杨瑞霞
+1 位作者
武一宾
孙莹
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期116-120,共5页
设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度。采用非接触霍尔方法对样品二维电子气(2DEG)浓度及迁移率进行测试,并用范得堡...
设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度。采用非接触霍尔方法对样品二维电子气(2DEG)浓度及迁移率进行测试,并用范得堡法对实验结果加以验证。结果表明,平整异质结界面生长技术能有效控制高迁移率2DEG浓度分布;与范德堡法相比,非接触霍尔方法无破坏性、测试结果可靠,该结果可以用来分析多层结构的PHEMT外延材料中InGaAs沟道界面的生长情况。
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关键词
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
非
接触
霍尔
测试
双平面掺杂
二维电子气面密度
霍尔
测试
下载PDF
职称材料
题名
GaAs PHEMT材料中2DEG浓度的控制与测试研究
被引量：
1
1
作者
吕晶
杨瑞霞
武一宾
孙莹
机构
河北工业大学信息学院
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期116-120,共5页
文摘
设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度。采用非接触霍尔方法对样品二维电子气(2DEG)浓度及迁移率进行测试,并用范得堡法对实验结果加以验证。结果表明,平整异质结界面生长技术能有效控制高迁移率2DEG浓度分布;与范德堡法相比,非接触霍尔方法无破坏性、测试结果可靠,该结果可以用来分析多层结构的PHEMT外延材料中InGaAs沟道界面的生长情况。
关键词
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
非
接触
霍尔
测试
双平面掺杂
二维电子气面密度
霍尔
测试
Keywords
GaAs PHEMT
contactless-Hall test
double-delta dope
2DEG sheet-density
Hall-test
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
TN304.054
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs PHEMT材料中2DEG浓度的控制与测试研究
吕晶
杨瑞霞
武一宾
孙莹
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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