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大功率小垂直发散角980nm量子阱激光器 被引量:4
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作者 胡理科 祁琼 +4 位作者 熊聪 王冠 崇锋 刘素平 马骁宇 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期677-681,686,共6页
提出了一种新型非对称宽耦合波导结构,通过理论计算优化了结构中n型波导层和限制层厚度,并采用低压金属有机化学气相沉积方法生长了设计的器件结构。测试了器件的光电特性,1200μm腔长器件的阈值电流为590mA,斜率效率为0.96W/A,最大输... 提出了一种新型非对称宽耦合波导结构,通过理论计算优化了结构中n型波导层和限制层厚度,并采用低压金属有机化学气相沉积方法生长了设计的器件结构。测试了器件的光电特性,1200μm腔长器件的阈值电流为590mA,斜率效率为0.96W/A,最大输出功率达2000mW;当注入电流为0.6A时,其远场发散角为16.1°(θ⊥)×10.2°(θ∥)。实验结果表明:新型非对称宽耦合波导结构能实现器件大功率输出,有效减小器件远场垂直发散角,改善器件光束质量。 展开更多
关键词 半导体激光器 输出功率 垂直发散角 非对称耦合波导
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