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高功率、高效率808nm半导体激光器阵列 被引量：7
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作者 王贞福 杨国文 +3 位作者 吴建耀 宋克昌 李秀山 宋云菲 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第16期109-114,共6页
通过设计高效率808 nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm^(-1).制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25?C下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率... 通过设计高效率808 nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm^(-1).制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25?C下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率高达1.25 W/A,中心波长809.3 nm,器件最高电光转换效率为65.5%,这是目前国内报道的808 nm半导体激光器阵列的最高电光转换效率,达到国际同类器件最好水平. 展开更多
关键词 半导体激光器阵列 电光转换效率 光吸收损耗 非对称宽波导结构
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