期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
一种优化设计的高频高压电力半导体器件 被引量：7
1
作者 邹德恕 亢宝位 +3 位作者 杜金玉 王东风 高国 王敬元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期29-32,共4页
介绍一种优化设计的静电屏蔽晶体管（ＧＡＴ）的结构、工作原理。通过采用网格版图设计，加场限环，使器件具有更好的高耐压、高频率、快速开关和宽的安全工作区等良好性能。
关键词 静电屏蔽晶体管 栅极 半导体器件
下载PDF
静电屏蔽晶体管GAT的结构研究
2
作者 郑海东 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第3期23-26,共4页
本文介绍了静电屏蔽晶体管（ＧＡＴ）的结构与器件性能，该器件具有高耐压，高速和低饱和压降等优良特性。本文对该器件的结构作了较为详细的分析研究。
关键词 功率器件 静电屏蔽晶体管 双极晶体管 结构
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部