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一种实现冷分子囚禁的可控制静电双阱方案 被引量：3
1
作者 许雪艳 陈海波 印建平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期1563-1568,共6页
提出了采用双环形载荷导线和两透明电极系统实现冷分子静电囚禁的可控制静电双阱的新方案,计算了带电圆导线和带电板所产生的静电场分布,从几个方面分析了这个囚禁方案的优点.提出了一种有效的冷分子装载方法,并研究了双阱到单阱的演化... 提出了采用双环形载荷导线和两透明电极系统实现冷分子静电囚禁的可控制静电双阱的新方案,计算了带电圆导线和带电板所产生的静电场分布,从几个方面分析了这个囚禁方案的优点.提出了一种有效的冷分子装载方法,并研究了双阱到单阱的演化过程.研究表明,该可控制静电双阱方案不仅方便装载与操控弱场搜寻态的极性冷分子,而且在分子物质波的干涉、纠缠、冷碰撞,甚至进行双阱分子BEC研究等分子光学领域中有着广阔的应用前景. 展开更多
关键词 极性冷分子 静电囚禁 可控制静电双阱 分子光学
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极性冷分子的静电囚禁原理及方案简介
2
作者 许雪艳 《巢湖学院学报》 2010年第3期52-55,83,共5页
本文首先简单介绍了极性分子的静电囚禁原理,然后对目前存在的冷分子的静电囚禁方案进行了简单的介绍。
关键词 极性冷分子 静电囚禁原理 静电囚禁方案
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一种针对弱场搜寻态冷极性分子的可控静电表面囚禁方案 被引量：3
3
作者 李胜强 《计算物理》 CSCD 北大核心 2017年第6期731-739,共9页
提出一种使用带电金属环和六个球电极和一个外加偏置电场实现对冷极性分子静电囚禁的新方案.计算装载和囚禁时空间电场分布.囚禁中心距离芯片表面的高度可以通过外电场和环形电极所加电压来操控.蒙特卡罗模拟表明对于中心速度为15 m... 提出一种使用带电金属环和六个球电极和一个外加偏置电场实现对冷极性分子静电囚禁的新方案.计算装载和囚禁时空间电场分布.囚禁中心距离芯片表面的高度可以通过外电场和环形电极所加电压来操控.蒙特卡罗模拟表明对于中心速度为15 m·s^(-1)的ND3分子束,装载效率可以达到70%,得到冷分子的温度大约为45 mK.当继续增加偏置电场强度时,单阱分裂为对称的两个阱.如果同时改变球形电极上所加电压,得到不对称的两个阱,可以借此来调节两个阱中所囚禁的冷分子数目的比例.为了易于理解,用蒙特卡罗方法模拟了装载、囚禁、分裂冷分子波包的动力学过程. 展开更多
关键词 冷极性分子 静电表面囚禁 蒙特卡罗模拟
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芯片表面上极性冷分子的静电囚禁 被引量：1
4
作者 马慧 许雪艳 印建平 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期16-20,共5页
提出了采用芯片表面上方形载荷导线框产生的静电场实现极性冷分子芯片表面囚禁的新方案,计算了方形载荷导线框周围的电场分布,分析了囚禁中心位置和导线框几何参数之间的依赖关系,并研究了过囚禁中心在x和z方向的电场强度和其对应的CO... 提出了采用芯片表面上方形载荷导线框产生的静电场实现极性冷分子芯片表面囚禁的新方案,计算了方形载荷导线框周围的电场分布,分析了囚禁中心位置和导线框几何参数之间的依赖关系,并研究了过囚禁中心在x和z方向的电场强度和其对应的CO分子的Stark囚禁势与几何参数之间的关系。研究表明,对于CO分子,该方案的有效势阱深度可达130 mK,这足以囚禁温度约为50 mK处于弱场搜寻态的极性冷分子。显然,这样的静电表面势阱在分子光学和分子芯片、量子光学、量子计算和量子信息处理等领域中都有重要的应用。 展开更多
关键词 原子和分子物理学 静电表面囚禁 有限元分析 分子芯片 Maxwell软件
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