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提高SiPM时间分辨能力方法研究——基于两种SiPM性能对比测试
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作者 李维姣 陈嘉敏 +1 位作者 陈瑞 奚道明 《电路与系统》 2019年第2期16-22,共7页
本文通过实验分析从脉冲宽度和能量分辨率两个维度,对比Sensl的FC10035和FC10020的性能,为基于硅光电倍增管(SiPM)的闪烁体探测器提供设计参考,实验表明FC10020的脉冲宽度仅为200 nS,适合对于时间性能要求较高的应用场景,FC10035的能量... 本文通过实验分析从脉冲宽度和能量分辨率两个维度,对比Sensl的FC10035和FC10020的性能,为基于硅光电倍增管(SiPM)的闪烁体探测器提供设计参考,实验表明FC10020的脉冲宽度仅为200 nS,适合对于时间性能要求较高的应用场景,FC10035的能量分辨能力较好,适用于对能量分辨要求较高的应用场景;为提高响应的动态范围,降低Pileup的概率,设计了pole-zero (零极相消)电路,通过实验验证了零极相消电路对于缩短脉冲宽度的有效性。 展开更多
关键词 SIPM YSO晶体 能量分辨率 相消电路
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