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非线性光导开关快速导通特性 被引量：4
1
作者 张同意 石顺祥 +1 位作者 龚仁喜 孙艳玲 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期327-331,共5页
非线性光导半导体开关的快速导通过程总是伴有电流丝的形成 ,基于电流丝形成的雪崩碰撞引起的粒子束放电机制的假定 ,考虑到载流子寿命、光吸收深度、碰撞电离系数以及初始载流子浓度等因素的影响 ,从理论上分析了非线性光导开关雪崩导... 非线性光导半导体开关的快速导通过程总是伴有电流丝的形成 ,基于电流丝形成的雪崩碰撞引起的粒子束放电机制的假定 ,考虑到载流子寿命、光吸收深度、碰撞电离系数以及初始载流子浓度等因素的影响 ,从理论上分析了非线性光导开关雪崩导通的物理过程和导通特性 ,得到了一些与实验观测结果吻合得很好的结论 ,提出了一些有利于改善和控制非线性光导开关的工作特性的可行手段。 展开更多
关键词 光控光电导半导体开关 丝状电流 非线性光导开关 雪崩碰撞 粒子束放电 饱和漂移速度 快速导通
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4H-SiC器件击穿特性的新型解析模型
2
作者 吕红亮 张义门 张玉明 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期771-774,共4页
基于4H SiC材料参数,同时考虑雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,建立了一套新型击穿解析模型.模型中首次考虑了雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,能够反映温度、掺杂浓度等参数对器件击穿特性的影响.利用这一模型计算得到4H SiC微波功率MESFET极... 基于4H SiC材料参数,同时考虑雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,建立了一套新型击穿解析模型.模型中首次考虑了雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,能够反映温度、掺杂浓度等参数对器件击穿特性的影响.利用这一模型计算得到4H SiC微波功率MESFET极限功率特性.采用MATLAB编程工具计算得到的结果与实验结果符合较好. 展开更多
关键词 4H-SIC 雪崩碰撞 带间隧穿 击穿特性 最大功率密度 碳化硅器件
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