期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
基于APD参数建模的单光子探测研究 被引量：3
1
作者 艾青 万钧力 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期219-224,共6页
针对单光子雪崩光电二极管(SPADs)的单光子量子效率(SPQE),提出了一种严格的数学模型。模型适用于工作波长为1.3μm和1.5μm的In_(0.52)Al_(0.48)As、InP倍增层和In_(0.52)Al_(0.48)As-InP异质结倍增层的SPADs。模型作为器件结构、工作... 针对单光子雪崩光电二极管(SPADs)的单光子量子效率(SPQE),提出了一种严格的数学模型。模型适用于工作波长为1.3μm和1.5μm的In_(0.52)Al_(0.48)As、InP倍增层和In_(0.52)Al_(0.48)As-InP异质结倍增层的SPADs。模型作为器件结构、工作电压、倍增层材料的函数,可用来优化SPQE,进而评估和优化盖革模式下APDs的性能。 展开更多
关键词 光电子学 单光子量子效率 雪崩概率 暗计数 雪崩光电二极管
下载PDF
密钥控制的多S盒Rijndael算法 被引量：3
2
作者 殷新春 杨洁 谢立 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第9期125-132,共8页
根据AESS盒的设计思想构造出了一批密码性能良好的S盒,并从方差的角度对它们的雪崩概率进行了分析。在此基础上,对Rijndael算法中的字节代换步骤SubBytes进行改进,从而提出了一种基于密钥控制的多S盒的Rijndael算法。实验结果表明,改进... 根据AESS盒的设计思想构造出了一批密码性能良好的S盒,并从方差的角度对它们的雪崩概率进行了分析。在此基础上,对Rijndael算法中的字节代换步骤SubBytes进行改进,从而提出了一种基于密钥控制的多S盒的Rijndael算法。实验结果表明,改进后的算法对差分攻击的抵抗能力有所提高,雪崩效应更趋合理。 展开更多
关键词 RIJNDAEL算法 S盒 差分攻击 雪崩概率 雪崩效应
下载PDF
空穴主导雪崩倍增的短波长SiC紫外单光子探测器
3
作者 苏琳琳 杨成东 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第18期227-231,共5页
制备并分析了SiC nip雪崩光电二极管(APDs)雪崩倍增的物理机制。与280 nm紫外光相比,在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现出更高的增益和更大的单光子探测效率。在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现为空穴主导碰撞离化过程,随着入... 制备并分析了SiC nip雪崩光电二极管(APDs)雪崩倍增的物理机制。与280 nm紫外光相比,在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现出更高的增益和更大的单光子探测效率。在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现为空穴主导碰撞离化过程,随着入射光波长增加到280 nm,电子和空穴共同主导碰撞离化过程。由于SiC中空穴的碰撞离化系数大于电子,空穴主导的碰撞离化过程将具有更大的光子雪崩概率和更高的增益。因此,得益于空穴主导雪崩倍增过程,SiC nip APD更适用于短波长紫外光探测。 展开更多
关键词 激光器 SIC 雪崩光电二极管 深紫外光探测 光子雪崩概率
原文传递
基于单光子探测机理的伪随机码测距性能研究 被引量：15
4
作者 沈姗姗 陈钱 +3 位作者 何伟基 陈云飞 尹文也 戴慧东 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期131-138,共8页
建立了伪随机码测距的系统测距模型,从光子统计理论出发提出一种新的系统输出信噪比模型。蒙特卡罗算法模拟不同系统死时间下,系统输出信噪比和伪随机码码型的关系。理论模型与蒙特卡罗仿真基本吻合,结果表明信噪比随着伪随机码1的比例... 建立了伪随机码测距的系统测距模型,从光子统计理论出发提出一种新的系统输出信噪比模型。蒙特卡罗算法模拟不同系统死时间下,系统输出信噪比和伪随机码码型的关系。理论模型与蒙特卡罗仿真基本吻合,结果表明信噪比随着伪随机码1的比例增大先增大再减小,选择最佳的发送码型可以获得最佳信噪比。根据新的模型,系统死时间的降低可提高信噪比,光子计数值增大,信噪比先增大再减小。引入系统高斯抖动,重构接收脉冲时间记录值,码速越高单点记录值出现误差的可能性越大,选取1GHz的码发送速率可完全避免距离数值误差。 展开更多
关键词 遥感 统计光学 激光测距 雪崩触发概率 信噪比模型 系统抖动
原文传递
Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响
5
作者 郭可飞 尹飞 +8 位作者 刘立宇 乔凯 李鸣 汪韬 房梦岩 吉超 屈有山 田进寿 王兴 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期184-194,共11页
对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管进行结构设计与数值仿真,得到相应的电学与光学参数。针对雪崩击穿概率对器件光子探测效率的影响,研究了两次Zn扩散深度差、Zn扩散横向扩散因子、Zn掺杂浓度以及温度参数与器件雪崩击穿概率的关系。研... 对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管进行结构设计与数值仿真,得到相应的电学与光学参数。针对雪崩击穿概率对器件光子探测效率的影响,研究了两次Zn扩散深度差、Zn扩散横向扩散因子、Zn掺杂浓度以及温度参数与器件雪崩击穿概率的关系。研究发现,当深扩散深度为2.3μm固定值时,浅扩散深度存在对应最佳目标值。浅扩散深度越深,相同过偏压条件下倍增区中心雪崩击穿概率越大,电场强度也会随之增加。当两次Zn扩散深度差小于0.6μm时,会发生倍增区外的非理想击穿,导致器件的暗计数增大。Zn扩散横向扩散因子越大,倍增区中心部分雪崩击穿概率越大,而倍增区边缘雪崩击穿概率会越小。在扩散深度不变的情况下,浅扩散Zn掺杂浓度对雪崩击穿概率无明显影响,但深扩散Zn掺杂浓度越高,相同过偏压条件下雪崩击穿概率越小。本文研究可为设计和研制高探测效率、低暗计数InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管提供参考。 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 INGAAS/INP ZN扩散 单光子探测 雪崩击穿概率
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部