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题名方环可调频率选择表面吸收体
被引量：12
- 1
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作者
张成刚
张强
胡明春
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机构
南京电子技术研究所天线与微波技术国家重点实验室
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2009年第1期17-19,共3页
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文摘
讨论了带金属导电背板的可调频率选择表面(FSS)吸收体,这种FSS吸收体的阻抗层是无损耗的,集总器件被对称加载到FSS周期单元上。FSS周期单元的谐振频率在特定的频带内会随着集总器件电阻值的改变而发生平移,反射损耗低于-20dB的可调带宽可以覆盖6～12GHz,而且该吸收体的反射、传输特性基本不受入射波入射角度的影响。入射波经过FSS吸收体后基本被消除,而且吸收体的厚度要比传统FSS吸收体薄得多。
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关键词
频率选择表面
吸收体
对称加载
方环
集总器件
可调
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Keywords
Frequency selective surface（FSS）, Absorber, Symmetrical load, Square-loop, Lumped-element, Adoptable
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分类号
TN957
[电子电信—信号与信息处理]
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题名CMOS电路中的闩锁效应研究
被引量：11
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作者
牛征
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机构
无锡华润矽科微电子有限公司
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出处
《电子与封装》
2007年第3期24-27,共4页
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文摘
闩锁效应是功率集成电路中普遍存在的问题。文中分析了CMOS结构中的闩锁效应的起因,提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型,给出了产生闩锁效应的必要条件,列举了闩锁效应的几种测试方法。最后,介绍了避免发生闩锁效应的几种方法。
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关键词
闩锁效应
寄生双极晶体管
集总器件模型
版图设计
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Keywords
latchup
parasitic bipolar transistor
lumped component
layout
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名CMOS闩锁效应的研究及其几种预防措施
被引量：1
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作者
贾琼
孟坚
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机构
安徽大学电子信息工程学院
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出处
《电脑知识与技术》
2013年第9期5751-5754,共4页
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文摘
目前以CMOS工艺为基础的集成电路制造方式已经成为当今集成电路产业的主导技术，但早期的CMOS电路由于无法有效预防闩锁效应而并未为人们所接受。文章先对一个CMOS反相器以及它的工作原理进行了详细的介绍，进而在CMOS反相器的基础上对CMOS电路中闩锁效应的产生机理做了充分的分析，提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型，并且获得了闩锁效应的产生条件。通过对闩锁效应内部原理的认识，我们知道对闩锁效应的抑制或者预防是完全可以做到的，这可以通过对版图设计规则和对CMOS工艺技术的改进而达到。文章最后根据闩锁效应的产生条件给出了几种预防闩锁效应的措施。
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关键词
CMOS集成电路
闩锁效应
集总器件模型
深槽隔离
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Keywords
CMOS IC
latch-up effect
lumped components mode
deep trench isolation
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分类号
TP391
[自动化与计算机技术—计算机应用技术][自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
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