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题名碳化硅晶圆划片技术研究
被引量：1
- 1
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作者
高爱梅
黄卫国
韩瑞
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机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2020年第1期32-35,共4页
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文摘
碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度大、导热性好、载流子迁移率高等优点,是第三代半导体材料的代表之一。因其莫氏硬度大,致使划片难度增大,严重制约了碳化硅器件的规模化发展;通过分析碳化硅的材料特性和现有划片技术特点,结合工艺试验,提出了几种碳化硅晶圆的划片方法,给出工艺参数并分析各自的优缺点,获得了理想的加工工艺。
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关键词
碳化硅划片
晶圆划片
隐形划片
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Keywords
Silicon carbide dicing
Wafer dicing
Invisible dicing
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分类号
TN305.1
[电子电信—物理电子学]
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题名隐形划片技术及其在MEMS制造中的应用
被引量：2
- 2
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作者
刘成群
程壹涛
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2021年第4期7-12,共6页
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文摘
通过传统划片技术与隐形切割的比较,介绍了隐形切割的技术特点;对隐形切割的基本原理、激光波长选择、切割过程中晶圆内改质层的形成机理做了详细分析;重点介绍了隐形切割技术在MEMS器件晶圆划片工艺中典型应用,对有关问题给出了解决方案。
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关键词
晶圆划片
激光隐形切割
MEMS晶圆划片
隐形划片改质层
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Keywords
Wafer dicing
Laser stealth dicing
MEMS wafer dicing
Stealth dicing layer
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分类号
TN305.1
[电子电信—物理电子学]
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题名MEMS划片技术的现状与技术革新
被引量：2
- 3
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作者
范亚飞
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机构
东精精密设备(上海)有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期296-299,共4页
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文摘
MEMS独特的结构和特性,给划片工艺带来了巨大的挑战。介绍了传统砂轮划片技术在MEMS芯片生产中的局限性,指出了隐形激光划片技术的优越性,综述了激光划片技术在MEMS划片中的应用,对几种较成熟的先进激光划片技术进行了比较,对各自的工作原理、特点、工序作了重点阐述,并对MEMS划片技术的发展前景作了展望。
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关键词
微机电系统
传统划片
微水刀激光划片
隐形激光划片
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Keywords
MEMS
traditional dicing
water jet guided laser dicing
stealth laser dicing
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分类号
TN305.1
[电子电信—物理电子学]
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