全光纤皮秒激光切割蓝宝石晶圆的实验研究 被引量：12

1

作者 胡小豹 郝强 +1 位作者 郭政儒 曾和平 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期139-145,共7页

搭建了中心波长为1064nm的光纤激光器装置。全保偏光纤结构的锁模脉冲种子源结合选频单元和全光纤放大器,实现了重复频率连续可调、脉冲串中脉冲数可选、微焦量级单脉冲能量的皮秒激光输出。通过优化选取激光器的输出参数,对厚度为110μ... 搭建了中心波长为1064nm的光纤激光器装置。全保偏光纤结构的锁模脉冲种子源结合选频单元和全光纤放大器,实现了重复频率连续可调、脉冲串中脉冲数可选、微焦量级单脉冲能量的皮秒激光输出。通过优化选取激光器的输出参数,对厚度为110μm的蓝宝石晶圆进行了切片。观察多种激光参数下切片后的微观形貌,发现单脉冲能量、脉冲串的脉冲数以及光束的光斑圆度会显著影响切割效果。在重复频率100kHz、脉冲串内7脉冲、光斑圆度大于97%、平均功率0.37 W、划切速度600mm/s时,芯片外观最佳,良品率高达99.58%。 展开更多

关键词 光纤激光器 超短脉冲 隐形切割 蓝宝石晶圆

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激光技术在半导体晶圆划片工艺中的应用 被引量：1

2

作者 张晓磊 《科学技术创新》 2023年第17期47-50,共4页

半导体晶圆划片工艺是芯片制程中的重要工序,与传统砂轮切割相比,激光切割技术具有能耗低、产出高等特点,且伴随激光技术的不断进步以及器件小型化的发展需求,激光切割技术将在半导体切割工艺中占据愈发重要的地位。本研究主要从激光切... 半导体晶圆划片工艺是芯片制程中的重要工序,与传统砂轮切割相比,激光切割技术具有能耗低、产出高等特点,且伴随激光技术的不断进步以及器件小型化的发展需求,激光切割技术将在半导体切割工艺中占据愈发重要的地位。本研究主要从激光切割技术的原理、技术优势等方面,对现有的相关技术进行介绍和讨论。 展开更多

关键词 隐形切割 激光烧蚀切割 半导体工艺

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碳化硅晶圆超快激光多脉冲模式和脉冲串模式隐形切割技术研究

3

作者 任云鹏 涂新诚 +4 位作者 何坤 程力 叶云霞 任旭东 任乃飞 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第20期202-213,共12页

碳化硅具有优秀的物理化学性能,是制作耐高温高压电子器件的关键材料,应用前景广阔。碳化硅硬度大,传统的机械切割存在崩边大、芯片破损和晶圆利用率低等问题,隐形切割因切割质量好和加工效率高脱颖而出。在多脉冲模式下采用控制变量法... 碳化硅具有优秀的物理化学性能,是制作耐高温高压电子器件的关键材料,应用前景广阔。碳化硅硬度大,传统的机械切割存在崩边大、芯片破损和晶圆利用率低等问题,隐形切割因切割质量好和加工效率高脱颖而出。在多脉冲模式下采用控制变量法研究了碳化硅晶圆隐形切割时激光单脉冲能量、进给间距、脉冲重复频率、脉冲宽度和扫描速度对上下表面烧蚀道宽度、崩边尺寸和断面形貌的影响规律。针对多脉冲模式下存在的崩边大和断面粗糙度高等问题,采用脉冲串模式切割。结果表明,脉冲串模式可以更有效地实现内部改质,从而减小崩边,降低断面粗糙度。 展开更多

关键词 激光技术 超快激光 碳化硅 隐形切割 脉冲串模式 崩边 断面粗糙度

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碳化硅晶圆切割方法综述 被引量：2

4

作者 邹苗苗 窦菲 《超硬材料工程》 CAS 2022年第3期35-41,共7页

碳化硅在功率器件的制造中具有巨大的应用价值,随着高功率半导体市场份额的不断增加,超薄大直径碳化硅晶圆的需求量日益增加。但是由于碳化硅是典型的硬脆性材料,晶圆切割的难度大,而且切割成本占晶圆生产总成本的50%,因此需要研究碳化... 碳化硅在功率器件的制造中具有巨大的应用价值,随着高功率半导体市场份额的不断增加,超薄大直径碳化硅晶圆的需求量日益增加。但是由于碳化硅是典型的硬脆性材料,晶圆切割的难度大,而且切割成本占晶圆生产总成本的50%,因此需要研究碳化硅晶圆切割方法以降低生产成本,提高材料利用率。文章系统总结了碳化硅晶圆的切割方法,介绍了线锯切割、激光热裂法、激光隐形切割碳化硅晶圆的原理和优缺点,最后论述了碳化硅激光隐形切割法研究的进展以及目前所面临的挑战,并且提出了该方法在未来的碳化硅晶圆切割领域将具有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 碳化硅 晶圆切割 线锯法 激光热裂法 隐形切割

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半导体晶圆激光切割工艺研究 被引量：1

5

作者 林明睿 《新型工业化》 2022年第12期189-192,共4页

随着集成电路制造的高度发展、高性能发展以及光电技术的飞速发展,晶圆切割作为半导体制造的一个重要环节,晶圆加工的精度要求也愈发严格,本文详细介绍了金刚石切割、激光切割等传统工艺和微水导激光切割、隐形激光切割、整形激光切割... 随着集成电路制造的高度发展、高性能发展以及光电技术的飞速发展,晶圆切割作为半导体制造的一个重要环节,晶圆加工的精度要求也愈发严格,本文详细介绍了金刚石切割、激光切割等传统工艺和微水导激光切割、隐形激光切割、整形激光切割等新型激光切割工艺的基本原理及优缺点,为进一步研究和应用提供参考。在未来,整形激光切割技术具有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 晶圆切割工艺 激光切割 水导激光 隐形切割 整形激光

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皮秒脉冲隐形切割碳化硅晶圆实验研究 被引量：1

6

作者 宋燕国 郭旭 +1 位作者 王嫣鸾 郝强 《光学仪器》 2022年第3期88-94,共7页

为了实现高速度切割碳化硅(SiC)晶圆,采用自行研制的高能量皮秒脉冲光纤激光器进行了隐形切割实验。依据切片的截面形貌、表面热损伤区和边缘直线度,分析了皮秒激光器的切割结果,并探究了单脉冲能量和扫描速度对切片质量的影响。结果表... 为了实现高速度切割碳化硅(SiC)晶圆,采用自行研制的高能量皮秒脉冲光纤激光器进行了隐形切割实验。依据切片的截面形貌、表面热损伤区和边缘直线度,分析了皮秒激光器的切割结果,并探究了单脉冲能量和扫描速度对切片质量的影响。结果表明,当使用中心波长为1030 nm、重复频率为100 kHz、单脉冲能量为20μJ、脉冲宽度约为100 ps的皮秒脉冲隐形切割360μm厚度的SiC晶圆时,切片的质量能够满足实际应用要求,且激光的扫描速度可达400 mm/s,相应的切割速度为44.44 mm/s,高于其他相关报道。 展开更多

关键词 光纤激光器 高能量皮秒脉冲 隐形切割 4H-SiC晶圆

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SiC基GaN激光划片工艺研究 被引量：1

7

作者 王彦硕 邹鹏辉 +3 位作者 贾洁 林罡 高建峰 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期57-62,72,共7页

介绍了一种SiC基GaN激光划片工艺。通过对划痕形貌、裂片效果、热效应和装配适应性四方面的分析,在几种氮化镓激光划片试验中优化得出高质量划切工艺,并通过小批量生产证明新工艺在良率、效率方面有一定的优势。

关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管 碳化硅衬底 激光划片 隐形切割 划痕

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提升LED芯片产能的划片技术研究

8

作者 郑佳晶 高爱梅 《电子工业专用设备》 2020年第2期39-42,61,共5页

介绍了几种不同切割技术在蓝宝石衬底发光二极管芯片切割中的应用情况,对比和分析了不同切割技术的优缺点。隐形切割技术由于具有切割效率高、切痕小,切割面损伤小等优点,解决了芯片加工效率低的问题,并提高了芯片的亮度和可靠性。阐述... 介绍了几种不同切割技术在蓝宝石衬底发光二极管芯片切割中的应用情况,对比和分析了不同切割技术的优缺点。隐形切割技术由于具有切割效率高、切痕小,切割面损伤小等优点,解决了芯片加工效率低的问题,并提高了芯片的亮度和可靠性。阐述了隐形切割技术对提高LED芯片产能的贡献。 展开更多

关键词 激光切割技术 隐形切割 蓝宝石衬底

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芯片三维集成激光隐形切割技术

9

作者 廖承举 杜金泽 +3 位作者 卢茜 张剑 孔欣 常文涵 《电子工艺技术》 2024年第1期1-5,13,共6页

随着新一代信息装备内部SiP集成密度不断提升,传统的平面混合集成技术已接近极限,芯片三维集成技术必将成为未来SiP内部集成的主流形态,激光隐形切割技术是芯片三维集成技术的关键技术之一。介绍了激光隐形切割技术在芯片三维集成中的... 随着新一代信息装备内部SiP集成密度不断提升,传统的平面混合集成技术已接近极限,芯片三维集成技术必将成为未来SiP内部集成的主流形态,激光隐形切割技术是芯片三维集成技术的关键技术之一。介绍了激光隐形切割技术在芯片三维集成中的用途。通过传统分片技术与隐形切割技术的比较,阐述了各种晶圆分片工艺的技术特点,对隐形切割的基本原理、改质层的形成机理、切割方法、激光器参数选择做了详细分析。重点介绍了隐形切割技术在GaAs芯片三维集成分片工艺中的典型应用,对有关问题给出了解决方案。 展开更多

关键词 芯片三维集成 激光隐形切割 GaAs晶圆分片

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隐形划片技术及其在MEMS制造中的应用 被引量：2

10

作者 刘成群 程壹涛 《电子工业专用设备》 2021年第4期7-12,共6页

通过传统划片技术与隐形切割的比较,介绍了隐形切割的技术特点;对隐形切割的基本原理、激光波长选择、切割过程中晶圆内改质层的形成机理做了详细分析;重点介绍了隐形切割技术在MEMS器件晶圆划片工艺中典型应用,对有关问题给出了解决方案。

关键词 晶圆划片 激光隐形切割 MEMS晶圆划片 隐形划片改质层

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激光隐形切割技术在智能卡领域晶圆切割上的量产应用 被引量：2

11

作者 杨惠琳 《中国集成电路》 2013年第3期54-56,62,共4页

随着智能卡产品的不断更新发展,行业普遍应用的金刚刀划片已经不能满足产品加工的需求,激光隐形切割技术已经开始逐步在智能卡领域使用。本文将结合智能卡类产品讲述激光隐形切割技术的量产应用。

关键词 激光隐形切割 智能卡 激光扫描 扩片

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3D NAND FLASH晶圆切割技术原理及其特征分析

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作者 李君斌 李太龙 +1 位作者 鄢宇扬 邵滋人 《中国集成电路》 2021年第12期61-66,共6页

3D NAND Flash产品封装工艺中,晶圆切割作为核心工艺之一,目的是将整片晶圆分割成单一芯片,从而为后续上片做准备。随着晶圆越来越薄,当前主流的刀片在切割时,较容易导致芯片损伤、破裂。本文主要通过介绍和展现目前业界先进的晶圆切割... 3D NAND Flash产品封装工艺中,晶圆切割作为核心工艺之一,目的是将整片晶圆分割成单一芯片,从而为后续上片做准备。随着晶圆越来越薄,当前主流的刀片在切割时,较容易导致芯片损伤、破裂。本文主要通过介绍和展现目前业界先进的晶圆切割技术,包括激光消融切割、隐形激光切割以及等离子体切割,以及这些技术的加工原理和优势,在最后结语中结合3D NAND Flash产品发展趋势,指出了我国业界领先的3D NAND Flash封装厂已经将隐形激光切割技术作为主要的加工工艺之一,同样涌现了诸如苏州镭明、航天三江、长城科技等设备制造商。 展开更多

关键词 3D NAND Flash晶圆切割 刀片切割 紫外激光切割 微水刀激光切割 隐形激光切割 等离子体切割

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