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基于苯并噻二唑的共轭高分子材料的合成及其阻变存储性能
1
作者 赵泽淼 贺筱婷 +3 位作者 郑庭安 刘佳璇 车强 陈彧 《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期91-101,共11页
设计合成了一种新的基于苯并噻二唑的电子给体(D)-电子受体(A)型高分子阻变存储材料聚{[4,4′-(2,7-二苯基-9H-芴-9,9-二基)双(N,N-二苯基氨)]-alt-[4,7-双(4-正十二烷基-5-乙烯基噻吩-2-基)-苯并[c][1,2,5]噻二唑]}(PFVT)。以PFVT为活... 设计合成了一种新的基于苯并噻二唑的电子给体(D)-电子受体(A)型高分子阻变存储材料聚{[4,4′-(2,7-二苯基-9H-芴-9,9-二基)双(N,N-二苯基氨)]-alt-[4,7-双(4-正十二烷基-5-乙烯基噻吩-2-基)-苯并[c][1,2,5]噻二唑]}(PFVT)。以PFVT为活性材料制备的Al/PFVT/ITO(ITO:氧化铟锡)器件在室温下展现了非易失性阻变存储(RRAM)性能。器件经过50次开启、关闭循环操作,获得的平均开启和关闭电压分别为(-0.54±0.01) V和(2.42±0.05) V,电流开/关比为1.50×103。在循环操作期间的编程电压变化小于2.1%,器件展现出优良的可靠性。经200℃退火处理后,薄膜材料的结晶性增加,器件的平均开启和关闭电压减小,分别为(-0.49±0.01) V和(2.27±0.02) V。器件存储机制归属于电场诱导的分子内电荷转移。利用空间电荷限制电流模型和欧姆电流模型可以分别完美拟合OFF态和ON态电流。为了比较,用苯环替代高分子结构中的9,9-二(4-二苯胺基苯基)-芴单元,合成了聚{4-(4-十二烷基-5-(4-甲基苯乙烯基)噻吩-2-基)-7-(4-十二烷基-5-(丙烯-1-基)噻吩-2-基)苯并[c][1,2,5]噻二唑}(PPVT),该材料展现出类似的阻变存储性能。与PFVT相比,PPVT的开启电压明显变大,而电流开/关比则小了一个数量级,用苯环取代大体积芴单元后材料的热稳定性急剧下降,带隙增大。 展开更多
关键词 苯并噻二唑 共轭高分子 阻变存储 材料合成 电荷转移
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聚乙烯咔唑共价修饰黑磷纳米片及其在叠层阻变存储器中的应用
2
作者 郑庭安 顾敏超 +1 位作者 孙方成 陈彧 《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期31-41,共11页
提升阻变存储器存储密度的有效方法之一是通过对活性层的简单叠加制备三维垂直堆叠器件。使用S-1-十二烷基-S′-(α,α′-二甲基-α′′-乙酸)三硫代碳酸酯(DDAT)共价接枝的二维黑磷(BP)纳米材料(BP-DDAT)作为关键的二维模板和可逆加成... 提升阻变存储器存储密度的有效方法之一是通过对活性层的简单叠加制备三维垂直堆叠器件。使用S-1-十二烷基-S′-(α,α′-二甲基-α′′-乙酸)三硫代碳酸酯(DDAT)共价接枝的二维黑磷(BP)纳米材料(BP-DDAT)作为关键的二维模板和可逆加成-断裂链转移(RAFT)试剂,成功制备了由聚乙烯基咔唑(PVK)共价修饰的黑磷纳米片(BP-PVK)。采用傅里叶红外光谱、X射线光电子能谱、紫外-可见吸收光谱等手段对BP-PVK进行了表征。PVK在BP表面的共价接枝有效地提高了BP的环境稳定性和在常见有机溶剂中的溶解度。以BP-PVK为活性层,在玻璃基底上制备了一种结构为Al/BP-PVK/Al/BP-PVK/Al的双层17×17横条阵列垂直堆叠的阻变存储器件,该器件在室温下表现出了典型的双稳态非易失性可擦写存储性能,开/关电流比超过103,良品率和均一性较高。 展开更多
关键词 黑磷纳米片 聚乙烯基咔唑 阻变存储 非易失性 叠层阻变存储
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Ni/HfO_2/Pt阻变单元特性与机理的研究 被引量：5
3
作者 庞华 邓宁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第14期291-297,共7页
研究了Ni/HfO2(10 nm)/Pt存储单元的阻变特性和机理.该器件具有forming-free的性质,还表现出与以往HfO2(3 nm)基器件不同的复杂的非极性阻变特性,并且具有较大的存储窗口值(>105).存储单元的低阻态阻值不随单元面积改变,符合导电细... 研究了Ni/HfO2(10 nm)/Pt存储单元的阻变特性和机理.该器件具有forming-free的性质,还表现出与以往HfO2(3 nm)基器件不同的复杂的非极性阻变特性,并且具有较大的存储窗口值(>105).存储单元的低阻态阻值不随单元面积改变,符合导电细丝阻变机理的特征.采用X射线光电子能谱仪分析器件处于低阻态时的阻变层HfO2薄膜的化学组分以及元素的化学态,结果表明,Ni/HfO2/Pt阻变存储器件处于低阻态时的导电细丝是由金属Ni导电细丝和氧空位导电细丝共同形成的. 展开更多
关键词 阻变存储 二氧化铪薄膜 导电细丝
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基于石墨烯及其衍生物的信息存储：材料、器件和性能 被引量：3
4
作者 孙赛 庄小东 +3 位作者 汪露馨 汪诚 张斌 陈彧 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第1期18-39,共22页
石墨烯以其独特的二维结构和高的热导电性、高杨氏模量、高电子/空穴迁移率、高抗拉强度、大的布鲁诺尔-埃米特-特勒表面积和量子霍尔效应等优异性能,备受科研工作者的关注,迅速成为材料、化学、物理和工程领域的热点研究课题。与富勒烯... 石墨烯以其独特的二维结构和高的热导电性、高杨氏模量、高电子/空穴迁移率、高抗拉强度、大的布鲁诺尔-埃米特-特勒表面积和量子霍尔效应等优异性能,备受科研工作者的关注,迅速成为材料、化学、物理和工程领域的热点研究课题。与富勒烯(C_(60)、C_(70))的功能化一样,利用共价键合修饰或非共价键合修饰的方法可以在石墨烯表面或石墨烯体系中引入功能基团或功能组分,制备出种类繁多的具有特殊光、电、磁和生物效应的石墨烯衍生物。以石墨烯作为数据存储介质的分子级别计算已经引发了一场信息技术产业的革命,它能在更小的空间上,使用更少的能源来存储更多的数据信息,有望成为目前基于硅半导体存储技术的潜在替代或补充技术。基于石墨烯的存储器件展现出优良的数据存储性能、器件稳定性和可靠性,为使这类器件具有更好的实际应用前景,人们采用许多技术手段来调控和优化器件性能。本文综述了近年来引起广泛关注的诸如石墨烯、共价修饰的石墨烯、石墨烯基复合材料、石墨烯/无机材料异质结等基于石墨烯及其衍生物的存储器件及相关材料研究进展,以及石墨烯/还原的氧化石墨烯透明电极在存储器件中的应用。探讨了该领域存在的亟待解决的关键基础问题和未来发展方向。 展开更多
关键词 石墨烯 信息存储 阻变存储 电双稳态 透明电极
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新型存储器产业发展现状与展望
5
作者 黄阳棋 《信息通信技术与政策》 2022年第5期78-81,共4页
为了解决日益严重的存储墙问题对计算系统的制约,应对新的存储应用需求,新型存储器正逐渐从科研走向产业化。英特尔、三星、台积电等国际巨头纷纷加入相关技术的产业化推进中。新型存储技术主要包括相变存储、磁变存储和阻变存储。相变... 为了解决日益严重的存储墙问题对计算系统的制约,应对新的存储应用需求,新型存储器正逐渐从科研走向产业化。英特尔、三星、台积电等国际巨头纷纷加入相关技术的产业化推进中。新型存储技术主要包括相变存储、磁变存储和阻变存储。相变存储适用于大容量的独立式存储应用,磁变存储适用于小容量高速低功耗的嵌入式应用,阻变存储则有可能在未来的人工智能、存算一体等领域发挥作用。 展开更多
关键词 存储器 新型存储技术 相变存储 磁变存储 阻变存储
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分子包埋纳米粒子薄膜阻变特性研究进展 被引量：2
6
作者 李建昌 邵思佳 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期1-18,共18页
有机分子包埋纳米粒子阻变薄膜是信息存储领域的研究热点之一,本文从器件电极、介质层结构、纳米粒子种类、阻变机理和柔性弯折等方面,综述了其近年来的研究进展.电极/分子及分子/纳米粒子界面性质对器件阻变特性影响较大,但影响规律及... 有机分子包埋纳米粒子阻变薄膜是信息存储领域的研究热点之一,本文从器件电极、介质层结构、纳米粒子种类、阻变机理和柔性弯折等方面,综述了其近年来的研究进展.电极/分子及分子/纳米粒子界面性质对器件阻变特性影响较大,但影响规律及界面调控机理仍待探究;分子结构与纳米粒子的种类、尺度及分布可改变膜内界面性质进而影响阻变特性;器件阻变机理主要包括导电细丝、电荷俘获与释放和电荷转移三种,其中导电细丝又分金属、氧空位和碳细丝.分子包埋纳米粒子薄膜阻变研究现多停留在小规模和静态器件方面,下一步应从连续卷绕制备、纳米粒子分布精确控制和耐弯扭特性等方面深入研究,为实现大面积、低成本、高柔性阻变存储器奠定基础. 展开更多
关键词 阻变存储 有机薄膜 有机/无机界面 柔性电子
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基于过渡金属配合物的阻变存储材料 被引量：1
7
作者 崔彬彬 唐健洪 钟羽武 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第9期726-733,共8页
阻变型电存储依靠外加电场作用下存储介质的导电性高低差异,即电学双稳态或多稳态来实现数据存取,并具有高容量、高柔韧性、低成本、低能耗、可规模化等优点,为下一代高密度存储技术提供新前景.除了无机氧化物、碳纳米材料、有机小分子... 阻变型电存储依靠外加电场作用下存储介质的导电性高低差异,即电学双稳态或多稳态来实现数据存取,并具有高容量、高柔韧性、低成本、低能耗、可规模化等优点,为下一代高密度存储技术提供新前景.除了无机氧化物、碳纳米材料、有机小分子和有机聚合物半导体材料之外,近年来,过渡金属配合物在阻变型电存储方面的应用也引起广泛关注.本文对迄今为止报道的大部分基于过渡金属配合物的阻变存储材料进行了总结和讨论,主要包括第VⅢ族金属[包括Fe(Ⅱ)、Ru(Ⅱ)、Co(Ⅲ)、Rh(Ⅲ)、Ir(Ⅲ)、Pt(Ⅱ)等配合物]、第IB族和ⅡB族金属[Cu(Ⅱ)、Au(Ⅲ)、Zn(Ⅱ)等配合物]和镧系过渡金属配合物[Eu(Ⅲ)及其它],并对各种配合物的存储行为和存储机理进行了探讨.过渡金属配合物具有清晰可逆的氧化还原过程,通过改变配体的结构和金属的种类可以很方便地调节材料的前线轨道能级和能隙,利于形成电学双稳态或多稳态,达到二进制或多进制存储的目的,具有潜在应用价值. 展开更多
关键词 阻变存储 信息存储 过渡金属配合物 光电器件 光电材料
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聚噻吩/季铵盐聚离子液体双层体系的电存储性能研究
8
作者 李月琴 王竹叶 +4 位作者 宋阳 张锡予 吴相香 江蕾 华倩 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期113-116,共4页
合成了一种基于季铵盐的聚离子液体q-PVBC,以其作为固体电解质层,制备基于聚[3-(6-羧基)己基]噻吩(P3CPT)的OFET型微电子器件。器件的电流-时间关系曲线揭示了双层体系具有双稳态的存储特性,在+3V的电压下写入信号,在-3V的电压下擦除信... 合成了一种基于季铵盐的聚离子液体q-PVBC,以其作为固体电解质层,制备基于聚[3-(6-羧基)己基]噻吩(P3CPT)的OFET型微电子器件。器件的电流-时间关系曲线揭示了双层体系具有双稳态的存储特性,在+3V的电压下写入信号,在-3V的电压下擦除信号,写入/擦除操作之后可用0.5V的电压读取信号。两种导电态的电流比达到104,"写入-读取-擦除-读取"循环操作可以达到上百次。由双脉冲测试观察到瞬时的响应和较快的开启速度,信号写入时间约为0.39s。尽管写入电信号随时间出现一定的衰减,在保持大约2000s后体系仍然可以进行擦除操作。 展开更多
关键词 聚离子液体 聚噻吩 双稳态 阻变存储
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Pt/TiO_2/Nb:SrTiO_3/Pt器件的记忆效应
9
作者 胡苹 彭志华 胡继文 《天津理工大学学报》 2016年第1期44-48,共5页
本文以Pt/TiO_2/Nb:SrTiO_3/Pt为研究对象,研究了此种器件的阻变存储效应和容变存储效应.所研究的器件表现出明显的双极多态存储性能,同时也具备负电容的特性.在正、反向偏压的作用下,器件能够实现从导通状态到绝缘态或者其他程度的导... 本文以Pt/TiO_2/Nb:SrTiO_3/Pt为研究对象,研究了此种器件的阻变存储效应和容变存储效应.所研究的器件表现出明显的双极多态存储性能,同时也具备负电容的特性.在正、反向偏压的作用下,器件能够实现从导通状态到绝缘态或者其他程度的导通态的转变.不仅如此,该器件还表现出与初始状态关联的负电容特性.产生这些现象的原因可认为是氧空位在外加电场的驱动下移动造成的,从而使得器件的导电状态发生变化,同时也使得电荷变化滞后于电压的变化,产生了负电容现象. 展开更多
关键词 阻变存储 负电容 双极性 氧空位
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新一代存储技术：阻变存储器 被引量：14
10
作者 王源 贾嵩 甘学温 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期565-572,共8页
阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了RRAM的基本结构和工作原理,并介绍了三维集成和多值存储等RRAM新型技术。
关键词 不挥发性存储器 阻变存储器 电阻可逆转换 三维集成 多值存储
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阻变存储器及其集成技术研究进展 被引量：13
11
作者 左青云 刘明 +6 位作者 龙世兵 王琴 胡媛 刘琦 张森 王艳 李颖弢 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期546-551,共6页
在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及制备工艺,对RRAM阵列的集成方案进行了比较,并讨论了目前存在的问题;最后,对RRAM的研究趋势进行了展望。
关键词 非挥发性存储器 阻变存储器 电阻转变
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阻变存储器研究进展 被引量：13
12
作者 龙世兵 刘琦 +1 位作者 吕杭炳 刘明 《中国科学：物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2016年第10期138-164,共27页
阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一,与传统浮栅闪存相比在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势,本文对RRAM技术进行了综述.首先简单介绍了阻变存储... 阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一,与传统浮栅闪存相比在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势,本文对RRAM技术进行了综述.首先简单介绍了阻变存储器的工作原理、技术优势、发展历程和面临的基础科学问题.然后深入总结了RRAM的材料体系,包括固态电解质、多元金属氧化物、二元金属氧化物3类传统的阻变介质材料,总结了纳米线、二维材料等低维纳米材料在RRAM运用方面的近期研究进展,分析了绝缘/导电的低维材料分别用作阻变介质、平面电极层/纳米电极/侧边电极、界面插层所带来的微缩性、阻变性能和稳定性等的改善效果.总结和分析了细丝型电阻转变的3类物理机制:热化学机制(Thermochemical Mechanism,TCM)、电化学金属化(Electrochemical Metallization,ECM)机制、化合价变化机制(Valence Change Mechanism,VCM),详细分析了3种机制的SET/RESET转变原理和基本电学特性、透射电镜观测关键实验验证、对阻变机制的认识发展过程等.在阻变机制分析的基础上,接着阐述了RRAM电阻转变过程中由于纳米尺度下材料微观结构和能带结构的变化导致的一些新奇的物理现象,包括量子效应、磁电效应、光电效应等.最后针对RRAM实现应用的关键——集成技术,总结分析了存储阵列架构、二维/三维集成等关键问题及其研究进展. 展开更多
关键词 阻变存储器 阻变材料 阻变机制 导电细丝 三维集成 选通管
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基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 被引量：11
13
作者 李颖弢 刘明 +7 位作者 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期134-140,153,共8页
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的... 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。 展开更多
关键词 阻变存储器 非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制 工作原理
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新型阻变存储器的物理研究与产业化前景 被引量：8
14
作者 张颖 龙世兵 刘明 《物理》 北大核心 2017年第10期645-657,共13页
阻变存储器具有结构简单、速度快、存储密度高、易于三维集成等诸多优点,是下一代存储器的重要候选之一。文章详细介绍了阻变存储器的工作原理、电阻转变的物理机制、电阻转变过程中的物理效应以及阻变存储器的集成和产业化前景。
关键词 阻变存储器 电阻转变 导电细丝 集成
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金属氧化物基阻变存储器的研究进展 被引量：3
15
作者 张娇娇 周龙 +2 位作者 王洪强 董广志 樊慧庆 《铸造技术》 CAS 2023年第1期23-31,I0005,共10页
随着集成电路技术的发展,半导体器件尺寸也逐渐趋于摩尔定律的极限。当前主流的非挥发性存储器件已经无法满足信息科技对于超高密度快速存储的需求。阻变存储器(RRAM)因其结构简单、工作速度快、可缩小性强且与CMOS工艺兼容等优点,被认... 随着集成电路技术的发展,半导体器件尺寸也逐渐趋于摩尔定律的极限。当前主流的非挥发性存储器件已经无法满足信息科技对于超高密度快速存储的需求。阻变存储器(RRAM)因其结构简单、工作速度快、可缩小性强且与CMOS工艺兼容等优点,被认为是下一代非易失性存储器的新星。氧化物基阻变存储器因其优异的器件性能和稳定性,在信息存储和类脑神经计算领域具有重要的应用价值。本文从阻变存储器存储机理、材料种类、器件结构和器件性能等方面系统地概述了氧化物基阻变存储器的研究进展,为氧化物基阻变存储器的发展提供新思路。 展开更多
关键词 氧化物半导体 阻变存储器 信息存储 类脑计算
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钛酸钡基阻变存储单元的构建及其特性
16
作者 郝瑞 刘越 刘贵山 《大连工业大学学报》 CAS 2024年第1期51-55,共5页
采用磁控溅射在低阻态Si(100)衬底上制备均匀的钛酸钡(BTO)薄膜,通过磁控溅射制备Ag电极,构建Si(100)/BTO/Ag阻变存储单元。利用XRD,SEM和AFM对不同退火温度和保温时间下的BTO薄膜结构和形貌进行表征,利用数字源表对Si(100)/BTO/Ag阻变... 采用磁控溅射在低阻态Si(100)衬底上制备均匀的钛酸钡(BTO)薄膜,通过磁控溅射制备Ag电极,构建Si(100)/BTO/Ag阻变存储单元。利用XRD,SEM和AFM对不同退火温度和保温时间下的BTO薄膜结构和形貌进行表征,利用数字源表对Si(100)/BTO/Ag阻变存储单元进行阻变性能测试。结果表明,退火温度750℃、保温0.5 h条件下制备的BTO薄膜结晶度最高,薄膜表面晶体颗粒呈均匀分布,构建的Si(100)/BTO/Ag阻变存储单元阻变性能最佳,呈现典型的双极性开关效应。 展开更多
关键词 磁控溅射 BTO薄膜 阻变存储单元 阻变性能
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基于阻变存储器的仿真模型设计
17
作者 万新宇 《集成电路应用》 2024年第1期44-47,共4页
阐述RRAM模型的开关方法和电流电压关系,探讨物理电热仿真模型、斯坦福模型、黄的物理模型的仿真模型的搭建原理,RRAM的仿真分析。
关键词 阻变存储器 氧空位电热 模拟与仿真 SPICE 有限元法
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Ti/TiO_(2)/p-Si阻变存储器中非线性电阻转变机制的研究
18
作者 罗涵琼 胡全丽 《山东化工》 CAS 2024年第4期12-14,共3页
采用磁控溅射沉积技术在p型硅片(p-Si)上沉积TiO_(2)薄膜,然后使用掩模板沉积Ti顶电极,制备出具有Ti/TiO_(2)/p-Si结构的阻变存储器。该器件表现出了稳定的非线性电阻转变特性,该器件具有自整流效应,并且具有较大的开关比(高于10^(3))... 采用磁控溅射沉积技术在p型硅片(p-Si)上沉积TiO_(2)薄膜,然后使用掩模板沉积Ti顶电极,制备出具有Ti/TiO_(2)/p-Si结构的阻变存储器。该器件表现出了稳定的非线性电阻转变特性,该器件具有自整流效应,并且具有较大的开关比(高于10^(3))和非常稳定的循环特性。器件的电阻转变机制为空间电荷限制电流传导和肖特基发射机制。研究表明Ti/TiO_(2)/p-Si器件是一种非常有潜力的下一代非易失性存储器件。 展开更多
关键词 氧化钛 薄膜 阻变存储器
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TMDs阻变存储器微观机理研究综述
19
作者 李肖敏 刘翠霞 《广州化工》 CAS 2024年第8期15-17,共3页
过渡金属硫族化合物(TMDs)阻变存储器具有简单的金属-介质层-金属三明治结构,且功耗低、可缩性好。分析TMDs阻变存储器阻变机理和导电细丝形成特性,为明确阻变存储器机理模拟研究重点提供理论基础。总结分析了国内外存储层TMDs的范德华... 过渡金属硫族化合物(TMDs)阻变存储器具有简单的金属-介质层-金属三明治结构,且功耗低、可缩性好。分析TMDs阻变存储器阻变机理和导电细丝形成特性,为明确阻变存储器机理模拟研究重点提供理论基础。总结分析了国内外存储层TMDs的范德华层间空隙半径、掺杂和缺陷状况与器件性能之间的关系,展望了TMDs阻变存储器的发展趋势和应用前景,为TMDs阻变存储器技术攻关提供支撑。 展开更多
关键词 TMDs材料 阻变存储器 第一性原理
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硒化银薄膜-氧化锰纳米颗粒自组装薄膜电阻转变特性的研究
20
作者 罗涵琼 胡全丽 《云南化工》 CAS 2024年第2期37-40,共4页
采用热分解法制备粒径约为30 nm的单分散氧化锰纳米颗粒,然后通过浸渍提拉法将这些纳米颗粒在铂底电极上自组装成氧化锰薄膜,接着利用热蒸镀工艺沉积硒化银薄膜,最后利用磁控溅射工艺沉积钛顶电极,获得具有Ti/Ag_(2)Se/MnO/Pt结构的阻... 采用热分解法制备粒径约为30 nm的单分散氧化锰纳米颗粒,然后通过浸渍提拉法将这些纳米颗粒在铂底电极上自组装成氧化锰薄膜,接着利用热蒸镀工艺沉积硒化银薄膜,最后利用磁控溅射工艺沉积钛顶电极,获得具有Ti/Ag_(2)Se/MnO/Pt结构的阻变存储器。该器件表现出双极性电阻转变特性,并且具有良好的循环特性和数据保持特性,表明Ti/Ag_(2)Se/MnO/Pt阻变存储器在非易失性存储器件中具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 硒化银 氧化锰 薄膜 阻变存储器
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