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场发射显示器(FED)荧光粉的研究进展 被引量：11
1
作者 余泉茂 刘中仕 荆西平 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期7-17,共11页
场发射显示器 (FED) 是一种新发展起来的平板显示器,它在亮度、视角、响应时间、工作温度范围、能耗等方面具有优良的特性。文章首先简要地介绍了 FED发展历史和现状、工作原理以及对荧光粉的要求,然后介绍了 FED荧光粉的研究历史和发... 场发射显示器 (FED) 是一种新发展起来的平板显示器,它在亮度、视角、响应时间、工作温度范围、能耗等方面具有优良的特性。文章首先简要地介绍了 FED发展历史和现状、工作原理以及对荧光粉的要求,然后介绍了 FED荧光粉的研究历史和发展现状以及有关 FED荧光粉激发和发光机理的相关研究工作,最后就FED荧光粉的研究提出了一些建议。 展开更多
关键词 场发射显示器 荧光粉 阴极射线荧光 发光机理
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Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光 被引量：11
2
作者 许小亮 徐军 +3 位作者 徐传明 杨晓杰 郭常新 施朝淑 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期171-176,共6页
几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加,... 几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加,同时也发生了绿带的红移以及窄化效应。但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了,其峰位为525nm。当退火温度为950℃时,紫外带几乎消失,而只剩下绿带,且与纯硅酸锌样品的CL谱一致,掠入射X射线衍射测量表明,确有三角相三元化合物硅酸锌的产生。因此,从ZnO/Si异质结的质量来看,直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结:因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时,不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量,而当退火温度接近或高于800℃时,虽然ZnO晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加,但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌,将严重影响ZnO/Si异质结的电学输运特性。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 阴极射线荧光 硅衬底 薄膜生长 氧化锌薄膜 高温退火
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MOCVD方法生长氧化锌薄膜及其极性表面发光特性
3
作者 王剑宇 王立 《南昌大学学报（理科版）》 CAS 北大核心 2022年第6期607-610,620,共5页
氧化锌ZnO由于其高激子束缚能等特点在光电器件等方面表现出广泛的应用,制备高质量ZnO薄膜并研究其发光性能有着重要的意义。本文通过MOCVD方法在不同晶面的蓝宝石衬底上生长了不同极性表面的ZnO薄膜。扫描电子显微镜和阴极射线荧光表... 氧化锌ZnO由于其高激子束缚能等特点在光电器件等方面表现出广泛的应用,制备高质量ZnO薄膜并研究其发光性能有着重要的意义。本文通过MOCVD方法在不同晶面的蓝宝石衬底上生长了不同极性表面的ZnO薄膜。扫描电子显微镜和阴极射线荧光表征结果显示得到的ZnO薄膜结晶度较好,且H2刻蚀对得到平整的ZnO表面有着重要作用。光谱测量结果显示ZnO极性面的带边发光强度要明显高于非极性面,这一发光衰减和非极性面的表面缺陷直接相关。本文的对于研究ZnO薄膜外延生长有着重要的意义,有助于进一步的光电器件应用。 展开更多
关键词 凝聚态物理 ZNO薄膜 蓝宝石衬底 MOCVD 阴极射线荧光
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阴极射线发光测试系统的应用 被引量：2
4
作者 孙铁铮 李援朝 高山 《分析测试技术与仪器》 CAS 1997年第3期129-134,共6页
介绍了一种阴极射线发光测试系统的结构、各部分工作原理、灯丝的制作质量对形成的均匀光斑的重要性及影响电子束的各种因素。报道了主要检测项目和实测结果。
关键词 显像管 阴极射线荧光粉 荧光粉检测系统
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阴极射线荧光粉经高激发密度灼伤后发光效率的研究 被引量：1
5
作者 熊光楠 李炳生 +2 位作者 余华 李岚 娄素云 《应用光学》 CAS CSCD 2000年第C00期42-44,共3页
近年来发光材料在应用中所处激发密度越来越高 ,在使用中往往造成荧光粉的饱和和灼伤。本文研究高清晰投影电视管用绿色荧光粉ZnSiO4 :Mn和YAGG :Tb在高激发密度阴极射线束灼伤后影响发光效率的主要环节 ,发现ZnSiO4 :Mn的表面深层处材... 近年来发光材料在应用中所处激发密度越来越高 ,在使用中往往造成荧光粉的饱和和灼伤。本文研究高清晰投影电视管用绿色荧光粉ZnSiO4 :Mn和YAGG :Tb在高激发密度阴极射线束灼伤后影响发光效率的主要环节 ,发现ZnSiO4 :Mn的表面深层处材料的吸收和传递机制受到损伤 ,而YAGG :Tb的发光中心受到损伤 ,出现饱和。 展开更多
关键词 阴极射线荧光粉 发光效率 荧光粉灼伤
全文增补中
InGaN/GaN多量子阱纳米线发光二极管制备及研究 被引量：1
6
作者 曹瑞华 殷垚 +4 位作者 陈鹏 万青 濮林 施毅 郑有炓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期24-28,共5页
用SiO2纳米图形层作为模板在以蓝宝石为衬底的n-GaN单晶层上制备了InGaN/GaN多量子阱纳米线,并成功实现了其发光二极管器件(LED)。场发射扫描电子显微镜(FESEM)的测量结果表明,InGaN/GaN多量子阱纳米线具有光滑的表面形貌和三角形的剖... 用SiO2纳米图形层作为模板在以蓝宝石为衬底的n-GaN单晶层上制备了InGaN/GaN多量子阱纳米线,并成功实现了其发光二极管器件(LED)。场发射扫描电子显微镜(FESEM)的测量结果表明,InGaN/GaN多量子阱纳米线具有光滑的表面形貌和三角形的剖面结构。室温下阴极射线荧光谱(CL)的测试发现了位于461 nm处的强发光峰,其峰位与多量子阱薄膜相比发生了明显的蓝移。I-V测量表明,多量子阱纳米线LED具有典型的p-n结伏安特性,在20 mA注入电流下,开启电压为4.28 V,且与多量子阱LED的绿色发光相比,其电致发光偏紫色。 展开更多
关键词 铟镓氮/氮化镓多量子阱纳米线 阴极射线荧光谱 发光二极管
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电子对介质阻挡放电平面光源光电特性的影响研究
7
作者 刘震 韦海成 +2 位作者 王文江 王兴常 刘纯亮 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1016-1020,共5页
为了研究介质阻挡放电平面光源(DBDL)中气体放电产生的电子对DBDL光电特性的影响,本文设计并制作了一种内部涂覆有阴极射线荧光粉的平面光源,该光源内部充入了20 kPa的纯氖气,在此条件下对该光源的光谱及放电图像进行了测量与比较。实... 为了研究介质阻挡放电平面光源(DBDL)中气体放电产生的电子对DBDL光电特性的影响,本文设计并制作了一种内部涂覆有阴极射线荧光粉的平面光源,该光源内部充入了20 kPa的纯氖气,在此条件下对该光源的光谱及放电图像进行了测量与比较。实验结果表明,在高气压下仍可观察到阴极射线荧光粉被电子激发的现象,且谱线的强度随着外加电压的升高而升高。在此基础上设计了一种采用光致荧光粉和阴极射线荧光粉相混合的DBDL,结果表明,在相同的输入功率下,对Ne-10%Xe混合气体而言,当气压为20 kPa,亮度低于2000 cd/m2时,混合荧光粉型结构可以提高DBDL的亮度及发光效率(最高21.2%)。 展开更多
关键词 平面光源 阴极射线荧光粉 介质阻挡放电 光致荧光粉
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