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用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型 被引量：4
1
作者 孟坚 高珊 +4 位作者 陈军宁 柯导明 孙伟锋 时龙兴 徐超 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1983-1988,共6页
分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式.针对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比.结果... 分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式.针对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比.结果表明两者相差仅5%,这说明所得公式可用于该类型LDMOS的分析和设计. 展开更多
关键词 阱区 双扩散MOS晶体管 导通电阻 解析模型
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P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延生长研究 被引量：3
2
作者 刘兴昉 闫果果 +11 位作者 桑玲 郑柳 钮应喜 王嘉铭 张峰 杨霏 杨香 樊中朝 孙国胜 曾一平 温家良 何志 《智能电网》 2017年第8期752-756,共5页
基于碳化硅半导体的高压电力电子器件如MOSFET、IGBT等有望用于智能电网系统中。这些器件的基本结构包含PN结及其变体,其特点是包括N-漂移层、P阱区及位于其中的N+和P+并列阱区,形成了P+(N+)/P/N-结构。一般采用高温高能离子注入的方式... 基于碳化硅半导体的高压电力电子器件如MOSFET、IGBT等有望用于智能电网系统中。这些器件的基本结构包含PN结及其变体,其特点是包括N-漂移层、P阱区及位于其中的N+和P+并列阱区,形成了P+(N+)/P/N-结构。一般采用高温高能离子注入的方式制备此结构,具有较高的难度。本文采用外延生长的方法实现P+/P/N-同质多层结构,以P型阶梯掺杂的方式实现了一种4H-SiC多层薄膜同质外延材料。与注入方法相比,本方法在阱区几何尺寸、掺杂精度上具有优势,可望用于今后制备性能更优的同类高压器件。 展开更多
关键词 碳化硅 高压器件 外延 阱区 智能电网
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基于ANSYS的自安装井口平台隔水管扶正架围阱区分析
3
作者 陈卫 严明 《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》 2023年第7期60-64,共5页
本文介绍了一种适用于某自安装井口平台的隔水管扶正架围阱区结构,利用环境条件较为恶劣的南海某海域的井位资料,对该隔水管扶正架围阱区进行了有限元分析。分析结果表明,设计的隔水管扶正架围阱区最大应力满足规范设计的要求,为115.6M... 本文介绍了一种适用于某自安装井口平台的隔水管扶正架围阱区结构,利用环境条件较为恶劣的南海某海域的井位资料,对该隔水管扶正架围阱区进行了有限元分析。分析结果表明,设计的隔水管扶正架围阱区最大应力满足规范设计的要求,为115.6MPa,在油气田开发尤其是边际油气田过程中,可有效减少建造费用,优化投资成本,具备良好的应用前景。 展开更多
关键词 自安装井口平台 隔水管扶正架 围阱区 有限元分析
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云南会泽铅锌矿床外围高家阱勘查区构造样式与构造地球化学找矿 被引量：3
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作者 周俊朋 吴鹏 +3 位作者 韩润生 郭忠林 王雷 龚红胜 《地质通报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1899-1911,共13页
高家阱勘查区位于云南会泽铅锌矿床北东侧,是矿山厂断裂NE向延伸的有利成矿地段。在1∶5000构造地质填图基础上,结合典型构造面力学性质分析,认为高家阱勘查区受NE向矿山厂背斜、矿山厂断裂控制,NE向左行压扭性层间断裂是矿体赋存的有... 高家阱勘查区位于云南会泽铅锌矿床北东侧,是矿山厂断裂NE向延伸的有利成矿地段。在1∶5000构造地质填图基础上,结合典型构造面力学性质分析,认为高家阱勘查区受NE向矿山厂背斜、矿山厂断裂控制,NE向左行压扭性层间断裂是矿体赋存的有利部位。印支晚期,在NW-SE向应力持续作用下,形成NE向牵引褶皱,构成高家阱控岩控矿构造格架--逆冲推覆构造,为成矿流体的运移提供通道。通过蚀变指数计算,提取肉红色粗晶白云岩、米黄色粗晶白云岩、灰白色粗晶白云岩蚀变信息,划定3个强蚀变地段。通过构造地球化学因子分析,绘制Pb-Zn-Cd-Ag、As-Sb-Hg元素组合异常图,提取异常信息并圈定4个主要异常区。除石炭系外,异常还分布在震旦系、泥盆系,具多层位找矿潜力。综合控矿构造-矿化蚀变-构造地球化学勘查技术组合,提出找矿方向。 展开更多
关键词 构造样式 构造地球化学 高家阱勘查区 会泽铅锌矿床 云南
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